【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
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【課題】化学増幅型ポジ型レジスト膜の成膜に好適に用いることができ、電子線又は極紫外線に有効に感応し、ナノエッジラフネスの発生を抑制することができる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（ｂ）下記一般式（２）で表される感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性組成物である。
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【課題】液浸露光による微細パターン形成プロセスにおける現像工程で、良好なレジストパターン形状を与える液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物を５０質量％以上含む溶剤系に、フルオロアルコール基を側鎖に有する水不溶性、かつアルカリ可溶性ビニルポリマーを溶かしてなることを特徴とする液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法。式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立に炭素数３〜５のアルキル基である。
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【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）半導体基板上に、酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物からなる第一のレジスト層を形成し、前記第一のレジスト層を選択的に露光し、現像して第一のパターンを形成する工程と、（２）隣接する前記第一のパターン同士の間に、酸発生剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物からなる第二のレジスト層を形成する工程と、（３）第一のパターンおよび第一のパターンに隣接する第二のレジスト層を選択的露光し、第一のパターン側壁に前記第二のレジスト層に由来する側壁層を形成する工程と、（４）前記第一のパターン及び前記第二のレジスト層を除去する工程とを含むパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線によるレジストパターン形成において、ＰＥＤ、ＰＣＤ等によって影響を受けることなく、微細で、かつ、正確なレジストパターンを形成するための方法を開発すること。
【解決手段】 基板に塗布されたレジスト上にスルホン酸基またはカルボキシル基を有する水溶性導電性ポリマー（Ａ）および２５℃における解離定数ｐＫａが１０以下である塩基性化合物（Ｂ）を含む導電性組成物を塗布して導電体を形成する導電性組成物塗布工程と、導電体を７０〜１４０℃で加熱する加熱工程と、次いで導電体が形成された基板に荷電粒子線によりレジストパターンを形成する荷電粒子線照射工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高解像度且つ高感度で形状が良好なパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する、特定の構造を有するカリックスレゾルシンアレン誘導体（Ａ）と、波長２４８ｎｍ以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤（Ｂ）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】高解像度且つ高感度で形状が良好なパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する、特定の構造を有するカリックスレゾルシンアレン誘導体（Ａ）と、波長２４８ｎｍ以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤（Ｂ）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】真空中でのＰＥＤにおけるラインパターンの線幅変動を満足し、かつ感度及び矩形性に優れるポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ｔ）２つ以上の酸分解性基を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する低分子化合物であって、置換又は無置換の２つ以上のフェノール構造を含有する低分子化合物、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｆ）フッ素原子を有する芳香族化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物、並びに該ポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能、エッチング選択性、及びインターミキシング防止効果が良好なレジスト下層膜を形成可能な下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位（Ｒ^１は水酸基等、ｎは０〜６の整数、Ｘは炭素数１〜２０の置換可能なアルキレン基等、ｍは１〜８の整数をそれぞれ示す）を必須の構成単位として有し、その他の特定の繰り返し単位を更に有する重合体（Ａ）を含有する下層膜形成用組成物である。
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【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有し、レジスト材料の染み込み量が少ないレジスト下層膜を形成することができ、且つ保存安定性に優れるレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記一般式（１）で表される構成単位を含有するポリシロキサンと、溶剤と、を含む。


（Ｘは、置換されていてもよいメチレン基、又は置換されていてもよい炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。） （もっと読む）

【課題】各種放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用可能な感放射線性組成物を提供すること。
【解決手段】特定構造のカリックスアレン型化合物（Ａ）、側鎖に三級炭素を有する繰り返し単位及びラクトン構造を有する繰り返し単位を含む重合体（Ｂ）、並びに感放射線性酸発生剤（Ｃ）、を含有する感放射線性組成物。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型ポジ型レジスト膜の成膜に好適に用いることができる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物と、感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性組成物。


（前記一般式（１）中、Ｒは１価の酸解離性基等を示し、Ｘはメチレン基等を示し、Ｙは、炭素数１〜１０の置換又は非置換のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】形成パターンの微細化の要請に適合したアルカリ現像可能な感光性組成物を提供する。
【解決手段】酸分解性基を有するトルクセン誘導体化合物と、化学放射線の作用により酸を発生する光酸発生剤とを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
バリア性を示すレジスト下層膜を形成するための組成物、及びレジスト下層膜のバリア性を適当な数値に換算して評価する方法を提供する。
【解決手段】
バリア性を示すレジスト下層膜を形成するための組成物は、少なくとも１つのヒドロキシル基が結合した芳香族環を有する化合物と有機溶媒と架橋剤を含む。そして、所定の条件で第１のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第２のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第１のレジスト下層膜上に第２のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第２のレジスト下層膜のバリア性を評価する。 （もっと読む）

【課題】低い屈折率を有し、スィングカーブがなだらかであり、スィング比が小さい上面反射防止膜を形成するための組成物の提供。
【解決手段】親水性基を含んでなるアントラセン骨格含有化合物と溶媒とを含んでなる上面反射防止膜形成用組成物。この組成物はレジスト膜上に反射防止膜を形成させ、１６０〜２６０ｎｍの光を用いてパターンを形成させるフォトリソグラフィーに用いられる。 （もっと読む）

【課題】
均一に塗布することができ、架橋剤を必要としない、且つ有機レジストとの密着性のよいレジスト下層膜が得られる、レジスト下層膜形成組成物を得ることを目的とする。
【解決手段】
シラノール基の水素原子が少なくとも１種のキャッピング基で置換された基及びシラノール基を有する珪素含有重合体と溶剤を含み、前記キャッピング基は下記式（１）：
【化１】


（式中、Ｑ^１乃至Ｑ^３の少なくとも１つはアルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、フェニル基、アダマンチル基及びノルボルネニル基からなる群から選択される置換基又は該置換基を含む有機基を示す）
で表される基を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】膜硬化性を有し、エッチング耐性に優れ、更に、ドライエッチングプロセスによって形成したパターンが折れ曲がり難いため、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で示される基、及び芳香族炭化水素基を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。


（前記一般式（１）において、ｎは０または１を示し、Ｒ^１は置換されてもよいメチレン基などを示し、Ｒ^２は水素原子などを示す。） （もっと読む）

【課題】レジスト下層膜材料であって、エッチング速度が速く、このためエッチング時間を短縮してエッチング中のレジストパターンの膜減りを少なく、パターンの変形も小さく抑えることが出来る。そのため、パターンの転写を高精度に行うことができ基板に良好なパターンを形成することができるレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化５５】
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【課題】半導体製造等の微細なパターン形成に用いられる、従来品よりも、高感度で、パターン倒れが改良された、ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に使用される高分子化合物、該高分子化合物の製造方法、該高分子化合物の製造に使用される化合物及びそのポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】末端に特定の一般式で表される構造を有する高分子化合物及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に使用される高分子化合物、該高分子化合物の製造方法、該高分子化合物の製造に使用される化合物及びそのポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）