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Fターム[2H025FA03]の内容

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Fターム[2H025FA03]に分類される特許

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【課題】ろ過性、線幅均一性に優れたレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)環状アルキル構造を有する特定の繰り返し構造単位を含有する酸分解性樹脂、(B)酸発生剤、(C)下記(a)群から選択される少なくとも1種の溶剤と、下記(b)群〜(d)群から選択される少なくとも1種の溶剤とを含む混合溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法。(a)群:アルキレングリコールモノアルキルエーテル、(b)群:アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、(c)群:直鎖状ケトン、分岐鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、アルキレンカーボネート、(d)群:乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル。 (もっと読む)


【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】側鎖の末端に「−SO−を含む環式基」を含有する構成単位(a0)と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)とを有する高分子化合物(A1)と、酸発生剤成分(B)と、フッ素原子を有していてもよい酸解離性溶解抑制基含有基を含み、かつ少なくとも1つのフッ素原子が含まれる構成単位(f1)を有する含フッ素樹脂成分とを含有するポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】化学増幅型フォトレジスト組成物において、ラインエッジラフネス(LWR)の更なる改善を図ること。
【解決手段】環状ポリシロキサンと、該環状ポリシロキサンを構成する珪素原子に結合した1又は2以上の側鎖と、を備え、前記側鎖のうち少なくとも一部が、光の作用により酸を発生する光活性基を含み、該光活性基が同一分子中に複数存在するときそれらは同一でも異なっていてもよい、光活性化合物。 (もっと読む)


【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】その環骨格中に−SO−を含む環式基を含む(メタ)アクリル酸エステル構成単位(a0)と酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)とを有する高分子化合物(A1)と、酸発生剤成分(B)と、塩基解離性基を含有する構成単位を有する含フッ素高分子化合物(F1)とを含有するポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】簡単に、高アスペクト比のレジストパターンを製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】マスクパターン層MPを含む土台ユニットUTに対し、マスクパターン層MP上に、ドライフィルムDF2を被せ、ガラス基板11の裏面11rからの露光によるフォトリソグラフィー法で、ドライフィルムDF2を第1レジストパターンRP1だけに重なるように残す。 (もっと読む)


【課題】露光ラチチュード、パターン形状に優れた微細パターンを提供することができる、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】(A)下記一般式(1)で表される構造を含む繰り返し単位及び下記一般式(I)で表される構造を含む繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。(式(1)及び(I)中の符号は明細書に記載の意味を表す。)
【化1】


【化2】
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【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、2回目のパターニングの影響を受けにくい第一のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】ダブルパターニングプロセスにおいて、第一のレジスト膜を形成するポジ型レジスト組成物として用いられ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、含フッ素化合物成分(F)とを含有し、当該(F)成分が、塩基解離性基を含む構成単位(f1)のみを有する含フッ素高分子化合物(F1)および前記構成単位(f1)と側鎖に特定の基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(f2)とを有する含フッ素高分子化合物(F2)からなる群から選択される少なくとも一種の含フッ素樹脂成分を含むポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】現像欠陥の発生が抑制され、且つ、露光ラチチュード及びラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂および、(C)疎水性樹脂を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物であって、(A)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式(1)で表される酸を発生する化合物であることを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。(式中の符号は、明細書に記載の意味を有する。)
【化1】
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【課題】 レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、ハードマスク材料、及び耐電防止材料等の極端紫外光の吸収係数や吸収率を測定するための測定材料と測定方法を提供する。
【解決手段】 樹脂、極端紫外光感応性化合物、感応性色素、及び溶剤を含む極端紫外光の吸収係数測定用支持膜形成組成物。極端紫外光感応性化合物が、極端紫外光の照射によりラジカル、酸、又は塩基成分を発生する化合物である。感応性色素が、ラジカル、酸、又は塩基の作用により193〜800nmの波長域で吸収変化を起こす化合物である。基板上に極端紫外光の吸収係数測定用支持膜形成組成物を塗布し吸収係数測定用支持膜を形成する工程、上記支持膜上に被測定膜形成組成物を塗布し被測定膜を形成した被覆支持膜を得る工程、極端紫外線で被覆支持膜を露光する工程、及び被覆支持膜の露光前後の光吸収スペクトル変化を計測する工程を含む被測定膜の極端紫外光の吸収係数の測定方法。 (もっと読む)


【課題】レジスト重合体を提供する。
【解決手段】式CF=CFCFC(X)(C(O)OZ)(CHnaCR=CHRで表される化合物の重合により形成された繰り返し単位(A)を含むレジスト重合体(ただし、Xは水素原子、シアノ基または式−C(O)OZで表される基を示し、Zは水素原子または炭素数1〜20の1価有機基を示し、naは0、1または2を示し、Rは水素原子または炭素数1〜20の1価有機基であって、2個のRは同一であってもよく異なっていてもよい。)。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造等における微細パターンを形成するためのレジスト積層体のレジスト層や保護層などに好適で、さらには水を液状媒体に用いる液浸リソグラフィーにおいて特に有用な重合性含フッ素単量体および含フッ素重合体ならびにレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式(1):


(式中、R1は水素原子または酸素原子、窒素原子、硫黄原子もしくはハロゲン原子を含んでいてもよい鎖状もしくは環状の飽和もしくは不飽和の1価の炭素数1〜15の炭化水素基)で示される重合性含フッ素単量体、その単独または共重合体、これらを用いた液浸リソグラフィー法によるレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニング法によるパターン不良の発生を防止して、良好な形状を有する微細パターンを得られるようにする。
【解決手段】基板101の上にポジ型化学増幅レジストからなるレジスト膜102を形成し、その上にアルカリ可溶で芳香環を有するフッ素ポリマーを含む光吸収膜103を形成する。その後、第1のマスクを介した極紫外線からなる第1の露光光104をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第1のパターン露光を行う。続いて、第2のマスクを介した露光光105をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第2のパターン露光を行う。基板を加熱した後、レジスト膜を現像して光吸収膜を除去すると共にレジスト膜からレジストパターン102aを形成する。第2のマスクの開口部は、第1のマスクにおける開口部が形成されていない非開口部に相当する領域に形成されている。 (もっと読む)


【課題】 光ナノインプリントに用いられる微細な凹凸を有する基材にエアーボイドの発生のない感光性樹脂層を積層することができる感光性エレメント及び光ナノインプリントに用いられる微細な凹凸を有する基材にエアーボイドの発生がなく、なおかつ安価な常圧下で加熱加圧するラミネータで感光性樹脂層を積層することができる、感光性エレメントの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面粗さが0.01〜2μmの微細な凹凸を転写する感光性エレメントであり、その構成が支持フィルム(A)、感光性樹脂組成物層(B)及び保護フィルム(C)を含み、かつ前記保護フィルム(C)の感光性樹脂組成物層と接触する面のRaが0.05〜0.5μmである感光性エレメント及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板101上に下層膜102、中間層膜103を形成した後、第1のレジスト膜104を用いた1回目のパターン露光、及び第2のレジスト膜107を用いた2回目のパターン露光で形成されたレジストパターンを中間層膜103に転写し、さらに中間層パターン103bをマスクに下層膜102をエッチングして下層膜パターン102bを形成する。ここで、下層膜102は、フッ素系の界面活性剤又は無機のナノパーティクルを添加物として含み、酸素系プラズマに対する耐性が付与されている。 (もっと読む)


【課題】表面硬化性と硬化深度との両立を図ることができる組成物、特にレジスト組成物を提供する。
【解決手段】露光前乾燥塗膜厚25μmあたり、レーザー波長400nmの吸光度L400が0.5−1.2、かつ、レーザー波長410nmにおける吸光度L410が0.01−0.5であり、かつ、L400>L410であることを特徴とする組成物。 (もっと読む)


【課題】感度に優れ、パターンプロファイルが良好で、現像欠陥が少ない、感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物を提供する。また、液浸露光においても上記性能が良好である、液浸露光に好適な感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物を提供する。
【解決手段】(A)特定のトリフェニルスルホニウム構造を有する繰り返し単位(a0)と、ラクトン構造及びシアノ基を有する繰り返し単位(a1)とを有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂を含有する感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物。 (もっと読む)


【課題】感度に優れ、パターンプロファイルが良好で、現像欠陥が少ない、感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物を提供する。また、液浸露光においても上記性能が良好である、液浸露光に好適な感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物を提供する。
【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂及び(A’)特定の一般式で表されるトリフェニルスルホニウム構造を有する繰り返し単位(a0)を有する樹脂を含有し、且つ、樹脂(A)及び/又は樹脂(A’)が、ラクトン構造及びシアノ基を有する繰り返し単位(a1)を有する樹脂である感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物。 (もっと読む)


【課題】通常露光、液浸露光、二重露光において、感度、パターン形状が良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)特定構造の非酸脱離性炭化水素基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(C)酸の作用により分解し、酸を発生する化合物
を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】
下層に感光性絶縁ペーストの塗布膜を形成し、上層に感光性導電ペーストの塗布膜を形成した後、露光、現像、焼成を行う方法において、下層の感光性絶縁ペーストの塗布膜が厚くなっても剥がれが生じないパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
基板上に無機粉末、感光性ポリマー、感光性モノマーおよび重合開始剤を含み、該無機粉末が絶縁性である感光性絶縁ペーストを塗布して感光性絶縁ペースト塗布膜を形成し、該該感光性絶縁ペースト塗布膜上に無機粉末、感光性ポリマー、感光性モノマーおよび重合開始剤を含み、該無機粉末が導電性である感光性導電ペーストを塗布して感光性導電ペースト塗布膜を形成した後、パターン化された透光部を有するフォトマスクを介して露光し、現像する工程を含むパターン形成方法であって、前記感光性絶縁ペースト中のポリマーと感光性モノマーの含有量の比率が質量比で3/7〜6/4の範囲内、前記感光性導電ペースト中のポリマーと感光性モノマーの含有量の比率が質量比で7/3〜9/1の範囲内であることを特徴とするパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】通常露光(ドライ露光)のみならず液浸露光においても、露光ラチチュード、パターン形状が良好であり、且つ、二重露光において、露光ラチチュード、パターン形状が良好である、ポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有し、該酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基の酸の作用により脱離する基内に非多環の炭化水素構造を有する繰り返し単位(Bb)を有する樹脂及び(C)酸の作用により分解し、酸を発生する化合物を含有するポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


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