Fターム[2H025FA18]の内容
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Fターム[2H025FA18]に分類される特許
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電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
【課題】電子線、X線又はEUVを使用する半導体素子の微細加工に於いて、経時安定性が良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】プロトンアクセプター性官能基を有し、活性光線又は放射線の照射により酸基を生成し、そのアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター官能基が酸性に変化する化合物を含有し、且つ組成物の固形分濃度が、2.5〜4.5質量%であることを特徴とする電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。
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感光性組成物、パターン形成材料、感光性積層体、及びパターン形成方法
【課題】寸法安定性に優れた感光性組成物、該感光性組成物により形成された感光層を有するパターン形成材料、感光性積層体、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくともバインダー、重合性化合物、光重合開始剤及び炭素系ナノ材料を含む感光性組成物である。本発明の感光性組成物は、パターン情報に基づいて、光を変調しながら露光ヘッドと感光層の被露光面とを相対走査することによる前記被露光面上の二次元パターンの形成に用いられ、或いは、感光層を露光し現像した場合に、露光及び現像後において、前記感光層の被露光部の厚みが変化しない露光の最小エネルギー量が0.1mJ/cm2〜100mJ/cm2である感光層に含有されるものである。また本発明は、前記感光性組成物により形成された感光層を有するパターン形成材料、感光性積層体、及びパターン形成方法である。
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