【課題】 被照射面上の位置毎に瞳強度分布を調整して、所望の照明条件を実現することのできる照明光学系。
【解決手段】 光源からの光により被照射面を照明する照明光学系は、光源と被照射面との間の光路中に配置されたオプティカルインテグレータと、オプティカルインテグレータと被照射面との間の光路中に配置されて、照明光学系の照明瞳における瞳強度分布と被照射面における照度分布との少なくとも一方の分布を調整する調整ユニットとを備えている。調整ユニットは、照明光学系の光軸方向に近接して配置された一対の光学面を有し、入射した光を一対の光学面の間で多重干渉させて射出する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーの設計を変更することなく、所望の波長の光をＭＥＭＳミラーへ入射することが可能な波長選択スイッチ（ＷＳＳ）を提供すること。
【解決手段】本願発明の一実施形態に係るＷＳＳは、入出力ファイバアレイと、合分波用回折格子と、ＭＥＭＳミラーアレイとを備え、さらに当該ＭＥＭＳミラーアレイの前段に遮光マスクを備えることを特徴とする。また、本願発明の別の一実施形態に係るＷＳＳは、入出力ファイバアレイと、合分波用回折格子と、ＭＥＭＳミラーアレイとを備え、さらに当該ＭＥＭＳミラーアレイの前段に折り返しミラーを備え、前記ＷＳＳを構成する光学素子の何れかにおいて、誘電体多層膜などから成るバンドストップフィルタを集積することを特徴とする。本願発明の更に別の実施形態に係るＷＳＳは、ＭＥＭＳミラーアレイの前段且つ信号光の光路の途中にバンドパスフィルタを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】赤外光あるいは紫外光と可視光とを同じように検出することを可能とする撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置１Ａは、レンズ系２０、及び、レンズ系２０を通過した光が入射する撮像部１０を備えており、撮像部１０は、第１波長帯の光を受光する複数の第１撮像素子１１、及び、第１波長帯と異なる第２波長帯の光を受光する複数の第２撮像素子１２を有し、レンズ系２０あるいは撮像部１０には、第２波長帯の光の光量よりも少ない光量の第１波長帯の光を撮像部に到達させる光学素子３０Ａが備えられている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い分光センサを得ることができる分光センサの製造方法を提供する。
【解決手段】 分光センサ１の製造方法は、ハンドル基板上に設けられた表面層をエッチングすることによりキャビティ層２１を形成する第１の工程と、第１の工程の後、キャビティ層２１上に第１のミラー層２２を形成する第２の工程と、第２の工程の後、第１のミラー層２２上に光透過基板３を接合する第３の工程と、第３の工程の後、キャビティ層２１からハンドル基板を除去する第４の工程と、第４の工程の後、ハンドル基板が除去されたキャビティ層２１上に第２のミラー層２３を形成する第５の工程と、第５の工程の後、第２のミラー層上に光検出基板４を接合する第６の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を励起させて各色の光を得る場合において、より少ない光源で各色の光を得ることを可能とする。
【解決手段】１の光源から出射される光の光路を、光により励起され、互いに異なる色を発光する２以上の蛍光体のうち何れの蛍光体に導くかを、偏光変換スイッチと偏光ビームスプリッタとを組み合わせた光路選択手段により選択する。光路の選択の際に、画像データの１フレーム期間内で、２以上の蛍光体のそれぞれに対して順次に光路が導かれるように、光路選択手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の撓みを抑制可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び波長可変干渉フィルターの製造方法を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定反射膜５４を有する固定基板５１と、可動反射膜５５を有する可動基板５２と、固定基板５１及び可動基板５２を接合する接合部５３と、を具備し、可動基板５２は、可動部５２１と、保持部５２２と、基板外周部５２５と、を備え、保持部５２２は、均一厚み寸法の平坦部５２２Ａと、平坦部５２２Ａの外周側に設けられ、基板外周部５２５に向かうに従って厚み寸法が増大する曲面部５２２Ｂと、を備え、接合部５３は、固定基板５１及び可動基板５２の互いに対向する面のうち、各基板外周縁に沿った外周領域に設けられ、かつ、接合部５３の内周縁５３Ａが、曲面部５２２Ｂの外周縁５２２Ｅよりも内側に設けられた。 （もっと読む）

【課題】反射膜の帯電を防止可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定基板５１と、可動基板５２と、固定基板５１に設けられた固定反射膜５４と、可動基板５２に設けられ、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧ１を介して対向する可動反射膜５５と、反射膜間ギャップＧ１を変化させる静電アクチュエーター５６と、可動基板５２にに設けられ、接地された可動電極５６２と、を備え、可動電極５６２は、平面視において、光干渉領域Ａｒ１を覆って可動基板５２に設けられ、可動反射膜５５は、可動電極５６２を介して可動基板５２に設けられ、固定反射膜５４は、可動電極５６２に電気的に接続された。 （もっと読む）

【課題】分光センサー及び角度制限フィルターを小型化する。また、角度制限フィルターの通過光量を向上する。
【解決手段】角度制限フィルター１０は、第１の開口部１５を有する第１の遮光層１４ｃと、第１の開口部に位置する第１の光透過膜１１ｃと、第１の開口部に第１の光透過膜１１ｃと重なって位置し、第１の光透過膜より屈折率の小さい第２の光透過膜１２ｃと、を含み、第１の光透過膜１１ｃは、第１の開口部の周縁から第１の開口部の中心に向かって膜厚が大きくなる方向に傾斜した第１の傾斜部を有し、第２の光透過膜１２ｃは、第１の開口部の周縁から第１の開口部の中心に向かって膜厚が小さくなる方向に傾斜した第２の傾斜部を有する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化すること無く選択波長の可変範囲を容易に広げること。
【解決手段】この分光装置は、光源からの光Ｌ２を、光Ｌ２の入射角に応じた波長範囲で選択的に透過させる４枚のバンドパスフィルタ１１ａ〜１１ｄと、バンドパスフィルタ１１ａ〜１１ｄが主面１０ａ上に立設され、主面１０ａに沿って回転中心Ｃ_１の周りを回転可能にされた平板状の回転テーブル１０とを備える分光装置であって、４枚のバンドパスフィルタ１１ａ〜１１ｄは、それぞれ、光入射面１２或いは光出射面１３が、回転テーブル１０の主面１０ａ上の回転中心Ｃ_１と主面１０ａ上の該バンドパスフィルタ１１ａ〜１１ｄの中心点１５ａ〜１５ｄとを結ぶ線に対して傾斜するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の他の光を取り除き、ＥＵＶ光のみをマスクに供給することができる露光装置を提供する。
【解決手段】ミラー５１０の表面には、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜が設けられており、この多層膜にブレーズド溝５１３が形成される。ＥＵＶ光源装置１から入射する光２０３，３０１は、ミラー５１０に入射し、反射または回折する。ＥＵＶ反射光２０４（ＥＵＶ回折光を含む）と、他の波長の光３０１Ａ，３０１Ｂとは、反射角度または回折角度が異なるため、進行方向が異なる。アパーチャやダンパによって他の光３０１Ａ，３０１Ｂを除去することにより、純度の高いＥＵＶ光をマスク６００に照射することができる。 （もっと読む）

【課題】光利用効率及び光走査の安定性を損なうことなく、小型化を図ることができる光走査装置を提供する。
【解決手段】 波長分離デバイス１６_１及び波長分離デバイス１７_１は、それぞれ波長λａの光束を透過させ、波長λｂの光束を反射する波長分離面を有している。そして、各波長分離面は、波長λｂの光束の透過率が１％以下となるように設計されており、波長分離デバイス１７_１は、波長分離デバイス１６_１で反射された光束の光路上に配置されている。この場合は、波長λａの光束の一部が波長分離デバイス１６_１で反射されても、そのほとんどは波長分離デバイス１７_１を透過し、感光体ドラム２０３０ｂに向かうゴースト光の光量を走査光の光量の１％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 画角による赤外カットの半値波長のシフト量が少なく、画面中心から画面周辺に至る広い範囲にわたり良好なる画質の画像情報が得られる撮像装置を得ること。
【解決手段】 画像情報を結像光学系によって、一方向に長い矩形状の受光部を有する受光手段に結像させて前記画像情報を得る撮像装置において、光路中に入射光束の分光特性を変化させて出射させる機能を有する多層膜を平行平板に施した分光特性調整手段を有し、
該分光特性調整手段は、前記一方向であって前記結像光学系の光軸に対し垂直方向の軸を回転軸として、該光軸に対して傾いて配置されており、該光軸に対する前記分光特性調整手段の面法線とのなす角度をα、前記受光手段に入射する光束のうち、最軸外主光線と光軸とのなす角度をθとするとき、
０．３θ＜α
なる条件を満足すること。 （もっと読む）

【課題】適正感度が高く、屈折率が低くかつ、現像後のパターンの欠けや残渣が少なく、高温高湿下での屈折率変化が小さく、耐候性に優れた性能を示すパターンを形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
（Ａ）中空又は多孔質粒子と、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により活性種を発生する化合物と、
（Ｃ）下記Ａ群に示される部分構造から選ばれる少なくとも一つと、カルボン酸基とを含有し、前記活性種の作用により現像液への溶解性が変化する樹脂
を含有することを特徴とする感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子。
＜Ａ群＞ 水酸基、アミノ基、アミド基、ウレア結合、エステル結合、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基、ポリエチレングリコール鎖、ポリプロピレングリコール鎖 （もっと読む）

【課題】励起光の利用効率を向上させるとともに、エテンデュの小さい光源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板４１と、基板４１上に設けられ、励起光によって励起されて励起光とは異なる波長の蛍光を射出する蛍光体層４５と、励起光を射出する光源１０と、蛍光体層４５から蛍光を射出する側に、蛍光体層４５に面して設けられ、励起光のピーク波長にあたる光を蛍光体層４５に向けて反射するとともに、蛍光の波長帯域にあたる光を透過する波長選択ミラー６０と、波長選択ミラー６０と蛍光体層４５との間に設けられたピックアップレンズ５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】分解能の低下を抑制できる光モジュール、および光分析装置を提供する。
【解決手段】測色センサーは、固定反射膜５６を有する固定基板５１、固定基板５１に対向し、可動反射膜５７を有する可動基板５２、および固定基板５１に設けられた第一電極５４４を備えた波長可変干渉フィルター５と、モジュール基板３０と、波長可変干渉フィルター５およびモジュール基板３０を接合する異方性導電層３０１を備え、固定基板５１は、モジュール基板３０に対向する固定対向電極５１６Ａと、第一電極５４４および固定対向電極５１６Ａを電気的に接続する導電接続部５１６と、を有し、モジュール基板３０は、固定対向電極５１６Ａに対向するモジュール電極３０２を有し、異方性導電層３０１は、固定対向電極５１６Ａと、モジュール電極３０２とを導通させる。 （もっと読む）

【課題】可動ミラーと固定ミラーがパチンと引き合うスナップダウン現象を防止し、且つ、低消費電力も実現できる波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置を提供すること。
【解決手段】固定ミラー５６と可動ミラー５７は所定のギャップＧをもって対向配置されており、固定ミラー５６と可動ミラー５７の外側には、ギャップＧよりも大きな電極間距離Ｇ１が設定され、Ｇ１が設定された部位から更に外側には、ギャップＧよりも小さな電極間距離Ｇ２が設定される。 （もっと読む）

【課題】見かけ上、干渉フィルタの機能が低下することが抑制された干渉フィルタアセンブリを提供する。
【解決手段】光の進行方向に、集光レンズ１０、平行レンズ２０、干渉フィルタが順次並んで配置された干渉フィルタアセンブリであって、集光レンズと平行レンズは、平行レンズの焦点距離、若しくは、集光レンズの焦点距離だけ離れて配置されており、平行レンズにおける、集光レンズ側の面２０ａが、集光レンズ側に凸となる曲面であり、干渉フィルタ側の面２０ｂが、進行方向に垂直な平面であり、曲面は、回転双曲面である。 （もっと読む）

【課題】ｎ波長多重光をｎ個の異なる波長の光に分波するために必要なフィルタ数を削減した光分波器を得る。（ｎは４以上の整数。）
【解決手段】各波長の中央値より短波長側のｉ個の波長と長波長側のｉ個の波長を透過帯域に含むｍ段のバンドパスフィルタにより、ｎ波長多重光を（ｎ／２）個の２波長多重光に分波し、その後、各波長の中央値より短波長側又は長波長側の波長を透過帯域に含むエッジパスフィルタにより、２波長多重光を各波長の光に分波する。（ｉは１以上ｍ以下の整数、ｍは（（ｎ／２）−１）でｎが奇数の場合は小数点以下切り上げ。） （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、かつ所望のギャップを正確に設定でき、正確な分光特性を測定可能な光モジュール、及び光分析装置を提供すること。
【解決手段】第１基板及び第２基板に互いに対向配置されて、ギャップが可変されて最小となる最小ギャップにおいて互いに接触する一対の検出電極と、反射膜間のギャップ及び電圧の関係を示すマップを複数有する相関データ７２１が記憶された記憶部７２と、検出電極の接触時での最小ギャップにおける静電アクチュエーターに印加している接触電圧を取得する接触検出部７１１と、相関データ７２１から１つのマップを選択するデータ選択部７１２とを備える。相関データ７２１は、最小ギャップに対する接触電圧が異なる複数のマップを備え、データ選択部７１２は、接触検出部７１１で取得した接触電圧に基づいて、マップを選択する。 （もっと読む）

【課題】形態操作による半導体光路の修正を提供する。
【解決手段】光デバイスは、基板と、基板の上に位置付けされた半導体層とを含む。光路は、導波路コア領域をさらに含む半導体層を含む。コア領域は、第１の型の形態および第１の屈折率を有する第１の半導体領域を含む。第１の半導体領域は、第２の型の形態と、第１の屈折率とは異なった第２の屈折率とを有する第２の半導体領域に隣接して位置付けされている。 （もっと読む）