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Fターム[2H079DA22]の内容

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Fターム[2H079DA22]に分類される特許

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【課題】分散ペナルティを小さく抑えること。
【解決手段】本発明は、2つの出力光導波路38a、38bに第2MMI34を介して接続する2つの光導波路32a、32bを有するマッハツェンダ型光変調器10と、2つの光導波路を伝搬する光を変調させる変調信号を2つの光導波路夫々に設けられた変調用電極42に差動信号として出力する駆動回路14と、2つの光導波路夫々に設けられた位相調整用電極40に出力する第1の位相制御信号を制御して、2つの光導波路を伝搬する光の位相を調整する位相調整回路12と、2つの光導波路夫々に設けられた位相シフト用電極54に出力する第2の位相制御信号を切替えて、2つの光導波路を伝搬する光の位相を変化させる位相シフト制御回路50と、差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路52と、を備える光変調装置である。 (もっと読む)


【課題】MRTシステムにおいてMRTシステムにおけるMR信号を高周波MR−HF信号から獲得するための回路コストを低減する。
【解決手段】MR−HF信号のための少なくとも1つの受信装置を備えるMRTシステムであって、前記受信装置は、MR−HF信号を受信するための受信コイルエレメントと、光学的変調器とを有し、該光学的変調器は、電気制御入力端が前記受信コイルエレメントと接続されており、当該変調器の出力信号出力するための光学的出力端を有するMRTシステムにおいて、前記光学的変調器は、前記MR−HF信号のための光学的復調装置を形成し、そのために前記変調器の光学的入力端はレーザ光源20と接続されており、該レーザ光源は、光強度が周期的に所定の周波数(Fosc)で変化するレーザ光を形成するよう構成されている、ことを特徴とするMRTシステム。 (もっと読む)


【課題】半導体光素子の消費電力を小さくする。
【解決手段】第1クラッド層4と第2クラッド層6と前記第1クラッド層と前記第2クラッド層に挟まれた光導波層8とを有し、前記光導波層は第1半導体層10と前記第1半導体層上に設けられ一方向に延在する第2半導体層12と前記第2半導体層の上面を覆う第3半導体層13を有し、前記第1半導体層は前記第2半導体層の片側に設けられたn型領域14と前記第2半導体層の反対側に設けられたp型領域16と前記n型領域と前記p型領域の間に設けられたi型領域18とを有し、前記第2半導体層は前記第1半導体層および前記第3半導体層より狭いバンドギャップを有する。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く、複雑な製造プロセスが不要な半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置及び計測装置を提供すること。
【解決手段】光パルスを発生する光パルス発生部2と、光パルス発生部2で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部3と、第1のパルス圧縮部3でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部5と、第1のパルス圧縮部3の前段、または第1のパルス圧縮部3と第2のパルス圧縮部5との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部4と、を有し、光パルス発生部2がスーパールミネッセントダイオードである。 (もっと読む)


【課題】 テラヘルツ波検出器で広い波長範囲で用いることができる非線形結晶を用いた方法では、高感度、広帯域を両立することが難しい。
【解決手段】 テラヘルツ波素子は、電気光学結晶を含み光を伝搬する導波路(2、4、5)と導波路(2、4、5)にテラヘルツ波を入射させる結合部材(7)を備える。導波路(2、4、5)を伝搬する光の伝搬状態は、結合部材(7)を介して導波路(2、4、5)にテラヘルツ波が入射することで変化する。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧が低く、高速で変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路3が形成された基板1と進行波電極4とを有し、進行波電極が、高周波電気信号の印加により光の位相が変調される相互作用部と、コネクタを介し外部回路から高周波電気信号を印加する入力用フィードスルー部と相互作用部を伝搬した高周波電気信号を出力する出力用フィードスルー部を具備し、動作ビットレートの約20〜30%の周波数範囲における少なくとも一点の周波数で、パワー反射率の包絡線が−10〜−15dBにあり、動作ビットレートの約40〜70%の周波数範囲内にパワー反射率の包絡線の一次微分が零で二次微分が正となる極小点を持ち、極小点におけるパワー反射率が−15dB以下となるよう、コネクタもしくは外部回路よりも低く、かつ部分的に相互作用部よりも低い特性インピーダンスを有するインピーダンス変換部を備える。 (もっと読む)


【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 (もっと読む)


【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための電極とからなる光変調器と、電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する複数でなる抵抗膜とを備え、電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は高周波電気信号が入力されることにより発生するジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、別の抵抗膜は、第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなる。 (もっと読む)


【課題】グラフェンを利用した光変調器を提供する。
【解決手段】半導体層120の上面上に位置した第1グラフェン141及び第2グラフェン142と、第1グラフェン141上に位置した第1電極161と、第2グラフェン142上に位置した第2電極162と、を備え、第1グラフェン141の一側と第2グラフェン142の一側とは離隔して位置し、半導体層120の第1リッジ部124と、第2グラフェン142上に位置した第2リッジ部150とは、光導波路をなし、第1グラフェン141及び第2グラフェン142は、光導波路の垂直面上でほぼ中央に形成されるグラフェンを利用した光変調器である。 (もっと読む)


【課題】DCドリフトを安定化し、製造工程も複雑化せず、製品の特性も精度良くコントロール可能な光導波路素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された光導波路2と、該光導波路の上に形成されたSiOを主原料とするバッファ層5と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極3,4とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021(atoms/cm)以上となる領域6が形成されている。 (もっと読む)


【課題】
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板を用いる光導波路素子に対し、当該素子の端面で反射するスラブ伝搬光を除去し、動作特性の劣化を抑制した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、該薄板には光導波路が形成されており、該薄板に接着層を介して接着された補強基板とを有する光導波路素子において、該光導波路素子の側面の一部に、反射防止膜が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】回路構成の簡素化およびサイズ削減を実現する。
【解決手段】基板上に形成されて、入力光信号をN個(Nは2以上の整数)の光信号に分岐して出力する光スプリッタと、光スプリッタから出力された光信号ごとに基板上に形成されて、光の波長により位相変化量が異なる位相変調特性に基づいて、当該光信号の位相を調整して出力するN個の光位相変調器とを備える。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、表面プラズモン・ポラリトン(SPP:surface plasmon polariton)の噴流を変調するための装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 装置は、金属性表面を有する基板と、構造物と、金属性上部表面に対向する誘電物体とを含む。構造物は、金属性表面上を伝播する表面プラズモン・ポラリトンを光学的に生成するように構成される。誘電物体は、金属性表面に沿った、及びその近くの異なる位置のアレイにおいて誘電率の値を調節するように制御可能である。 (もっと読む)


【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第1の下側クラッド層部と、コア層部と、第1の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第1の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第1の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第1のエッチストップ層と、を有し、前記第1の光導波路は、前記第1のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。
【解決手段】第1半導体層102は、第1導電型のシリコンから構成され、第2半導体層106は、第2導電型のシリコンから構成されている。また、第1障壁層103は、第1組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層104は、第1組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第2組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第2障壁層105は、第2組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第3組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。 (もっと読む)


【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 (もっと読む)


【課題】3値の入力信号を光変調器に印加して光を変調する変調方式において、制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から180°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御する。
【解決手段】光送信機は、MCU30を用いてMZ型光変調器に印加するバイアス電圧Vを制御する。MCU30は、低周波信号sをバイアス電圧Vに重畳する。このとき制御入力値fは制御誤差eとなる。制御誤差eがゼロであった場合、MCU30は、低周波信号sを入力信号に重畳する。このとき制御入力値fは判別量dとなる。MCU30は、判別量dの正負符号からバイアス電圧Vが最適なバイアス点にあるかを判定する。 (もっと読む)


【課題】 アームの光学特性を得ることができる光干渉素子の測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第1の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第1の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において、消光比のチューニングを容易にする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉素子は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第1の半導体アームに設けられた第1位相制御電極、第1変調電極、および補助電極と、前記第2の半導体アームに設けられた第2位相制御電極および第2変調電極と、を備え、前記第2変調電極の電極実効長は、前記第1変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 光干渉素子の干渉特性の調整を行うことなく、光干渉素子に入力される入力光の特性を精度よく測定することができる、光干渉素子の入力光の特性測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の入力光の特性測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の入力光の特性測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、1つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第1ステップと、前記第1ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光の特性を測定する第2ステップと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


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