【課題】分散ペナルティを小さく抑えること。
【解決手段】本発明は、２つの出力光導波路３８ａ、３８ｂに第２ＭＭＩ３４を介して接続する２つの光導波路３２ａ、３２ｂを有するマッハツェンダ型光変調器１０と、２つの光導波路を伝搬する光を変調させる変調信号を２つの光導波路夫々に設けられた変調用電極４２に差動信号として出力する駆動回路１４と、２つの光導波路夫々に設けられた位相調整用電極４０に出力する第１の位相制御信号を制御して、２つの光導波路を伝搬する光の位相を調整する位相調整回路１２と、２つの光導波路夫々に設けられた位相シフト用電極５４に出力する第２の位相制御信号を切替えて、２つの光導波路を伝搬する光の位相を変化させる位相シフト制御回路５０と、差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路５２と、を備える光変調装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と第２クラッド層６と前記第１クラッド層と前記第２クラッド層に挟まれた光導波層８とを有し、前記光導波層は第１半導体層１０と前記第１半導体層上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２と前記第２半導体層の上面を覆う第３半導体層１３を有し、前記第１半導体層は前記第２半導体層の片側に設けられたｎ型領域１４と前記第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と前記ｎ型領域と前記ｐ型領域の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、前記第２半導体層は前記第１半導体層および前記第３半導体層より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための電極とからなる光変調器と、電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する複数でなる抵抗膜とを備え、電気的終端用中心導体の近傍に位置する第１抵抗膜は高周波電気信号が入力されることにより発生するジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、別の抵抗膜は、第１抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなる。 （もっと読む）

【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。
【解決手段】第１半導体層１０２は、第１導電型のシリコンから構成され、第２半導体層１０６は、第２導電型のシリコンから構成されている。また、第１障壁層１０３は、第１組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層１０４は、第１組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第２組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第２障壁層１０５は、第２組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第３組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。 （もっと読む）

【課題】中心周波数から離れた透過帯域を有する広帯域分散補償回路を提供する。
【解決手段】第１のスラブ導波路、アレイ導波路、第２のスラブ導波路を縦列接続したアレイ導波路回折格子と、位相シフタおよび反射器とを有する分散補償回路と、アレイ導波路回折格子のＦＳＲと等しい周波数周期を有するインターリーバ回路と、第１のスラブ導波路とインターリーバ回路とを接続する等光路長の２本の接続導波路とを備え、接続導波路は、ＦＳＲの１／２の周波数だけ異なる周波数の２つの光が入射されたときに、第２のスラブ導波路の光スペクトル面上の同じ位置に結像するように、第１のスラブ導波路と接続する位置が設定されており、インターリーバ回路が、入射光を、ＦＳＲの１／２の周波数ごとに、異なる接続導波路に切り替えて出力することにより、第２のスラブ導波路の光スペクトル面の中心部分からの拡がりをフリースペクトラルレンジの１／２に抑えている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】印加電界に対して複雑な屈折率特性を有する結晶を用いて、高速な光変調器動作をさせる。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域および第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第１および第２バイアス電極とを有する伝送線路と、第１バイアス電極および第２バイアス電極に互いに異なる第１バイアス電圧および第２バイアス電圧を印加し、信号線に第１バイアス電圧および第２バイアス電圧の間の制御電圧を印加する駆動回路部と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子内において基本波を折り返す構造を有する光波長変換装置において、高出力の波長変換波を得る。
【解決手段】基本波10を入射させる入射端面15ａとそれに対面する出射端面15ｂとを有し、基本波10を波長変換波14に変換する光波長変換素子15と、出射端面15ｂから出射した基本波10および波長変換波14を、前者は反射させ後者は透過させる第１の反射部材17と、第１の反射部材17で反射して光波長変換素子15を伝搬し入射端面15ａから出射した基本波10および同じく入射端面15ａから出射した波長変換波14を、前者は透過させ後者は反射させる第２の反射部材18と、第１の反射部材17に到達する前に素子15内を伝搬する波長変換波14の位相と、第２の反射部材18で反射して折り返し素子15内を伝搬する波長変換波14の位相とを互いに揃える位相調整手段20とから光波長変換装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 光変調器のバイアス制御において、最適なバイアス電圧の収束点まで引き込む時間を早めることを目的としている。
【解決手段】 光送信器において、入力したデータ系列信号に基づいて駆動された変調信号を出力する変調信号駆動部と、印加されたバイアス電圧および前記変調信号駆動部から入力した前記変調信号に基づいて光を変調し、この変調した光信号を出力する光変調部と、前記変調信号駆動部から前記変調信号が前記光変調部に入力していない初期状態として前記バイアス電圧の制御を行った後に、前記変調信号駆動部から前記変調信号が前記光変調部に入力している通常状態として前記バイアス電圧の制御を行う制御部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】
パルスの振幅と位相をフィードバック系により操作することで所望形状のパルス波形を形成するパルス圧縮技術を提供する。
【解決手段】
光パルス圧縮装置１は、周波数コム光発生装置１１と、光パルスシンセサイザ１２と、光増幅器１３と、帯域拡大用光ファイバー１４１，分散補償用光ファイバー１４２とからなる光ファイバーモジュール１４と、光ファイバーモジュール１４からの光パルスＰを入射して、光パルスＰの波形を測定して、実測波形データＤ_wavを生成する光パルス波形測定装置１５と、光パルスＰのスペクトルを測定して、実測スペクトルデータＤ_spcを生成する光スペクトラムアナライザ１６と、光パルスシンセサイザ１２に振幅フィードバック制御信号Ｓ_Aと位相フィードバック制御信号Ｓ_Pを送出する光パルスシンセサイザ制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層を持つ電界吸収型変調器の特性を向上させる。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層７が順に積層されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６は、組成が異なる３つのＩｎＧａＡｓＰ層６ａ，６ｂ，６ｃを有する。ＩｎＧａＡｓＰ層６ａ，６ｂ，６ｃの価電子帯間のエネルギー障壁は、ＩｎＧａＡｓＰ層が単層の場合に比べて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】光信号を適切に遮断する。
【解決手段】光送信器は、入力された光を変調することで光信号を出力し、且つ印加されるバイアス電圧に依存して光吸収の程度が変化する光吸収特性であって、第１の特性領域及び第１の特性領域よりも光吸収の程度が大きくなる第２の特性領域を含む光吸収特性を有するマッハツェンダ型光変調器と、マッハツェンダ型光変調器からの光信号の出力を所望量以下に遮断する場合に、第２の特性領域に対応する遮断バイアス電圧をマッハツェンダ型光変調器に形成された２つの干渉用光導波路の夫々に備えられた電極に印加することにより、発生する電界を前記干渉用光導波路に与える印加部とを備える。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入力信号光パワーのダイナミックレンジを拡大した光波長変換装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体光増幅器と第２の半導体光増幅器からなる２つの半導体光増幅器が光導波路上に並列に配置されてなるマッハシェンダ干渉計を１つ以上搭載し、前記マッハシェンダ干渉計毎に、信号光を入射するために一端が前記マッハシェンダ干渉計に接続された透明導波路上に、信号光パワーの増幅及び減衰を行う第３の半導体光増幅器、および前記第３の半導体光増幅器よりも前記マッハシェンダ干渉計側に、信号光を透過させかつ前記第３の半導体光増幅器が増幅する他の光波長帯域の自然放出光を除去する光波長フィルタ素子を配置した光波長変換装置。 （もっと読む）

【課題】複数の光変調部に与えられる駆動信号間の遅延ずれを確実に補償できる低コストの光送信装置を提供する。
【解決手段】光送信装置は、被覆付き偏波保持光ファイバコードを介して直列に接続された複数の光変調部と、各光変調部に対応した駆動部と、各駆動部に入力される変調信号に可変の遅延量を与えることで、各光変調部に与えられる駆動信号間のタイミングを調整する遅延量可変部と、を備え、上記被覆付き偏波保持光ファイバコードとして、光信号の伝搬速度の熱依存係数が０．００７ｐｓ／℃／ｍ以下のものを適用する。 （もっと読む）

【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）