【課題】短パルス光発生装置を構成する光変調器の出力光からＯＮ／ＯＦＦ消光比を直接測定することなく、該光変調器に印加されるバイアス電圧を最適に制御可能な短パルス光発生装置を提供する。
【解決手段】繰り返し周波数ｆ_０で短パルス光Ａを発生するパルス発信器１と、入力信号に基づき繰り返し周波数ｆ_０の短パルス光の内、特定の短パルス光を除去し、繰り返し周波数をｆ_０／ｎ（ｎは２以上の自然数）とする光変調器２と、光変調器２からの出力光の一部を分岐する分岐部３と、光変調器２に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御部５と、分岐部３で分岐された光Ｂ２のスペクトルを解析するスペクトル解析部４とを有する短パルス光発生装置であって、バイアス制御部５は、スペクトル解析部４に入射された光の所望のスペクトル周波数範囲における光強度の最大値と最小値との差を最小化するように、バイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】外部要因の変動によらず、光出力波形を維持することである。
【解決手段】光送信機は、ＥＡ変調器と、フォトカレント検出回路と、変調器駆動回路と、ＣＰＵとを有する。ＥＡ変調器は、入力された信号を光信号に変換して出力する。フォトカレント検出回路は、ＥＡ変調器における光吸収電流（フォトカレント）を検出する。変調器駆動回路は、ＥＡ変調器を制御する。ＣＰＵは、フォトカレント検出回路により検出された上記光吸収電流に基づき、変調器駆動回路に印加する電圧を算出する。 （もっと読む）

【課題】高出力の光が入射されてもファラデー回転子の温度上昇を抑制できる偏波無依存型光アイソレータを提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３単結晶から成る一対の楔形複屈折結晶板１、５と磁性ガーネット単結晶から成るファラデー回転子３を備え、ファラデー回転子の各光透過面にサファイア単結晶板が接合された偏波無依存型光アイソレータであって、各サファイア単結晶板の光透過面がサファイア単結晶板のｃ面からオフセットされるように形成され、かつ、楔形複屈折結晶板で分離された常光と異常光が共にサファイア単結晶板入射後にサファイア単結晶板のｃ軸とのなす角度が０．７４度以内の条件を満たすように、常光と異常光の光軸がなす角度の２等分線で表される仮想光のサファイア単結晶板への入射角θaと、サファイア単結晶板のｃ面からのオフセット角θoffが所定範囲に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができる光変調器を得ること。
【解決手段】変調導波路３，４と、分波器２と、変調導波路３，４の出力光の位相を変化させる位相調整導波路５，６と、位相調整導波路５の出力光と位相調整導波路６の出力光を合波する合波器７と、変調導波路３，４の入力電圧と出力光の振幅の関係に基づいて、変調導波路３の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４からの出力光の振幅との加算結果と変調導波路４の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４の出力光の振幅との加算結果とが等しくなるよう変調導波路３，４の印加電圧を制御する利得制御部１３および変調バイアス制御部１４と、位相誤差を打ち消すよう位相調整導波路５，６を制御する位相調整バイアス制御部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】親マッハツェンダ光導波路に印加するＤＣバイアス電圧について改善されたネスト型の光変調器を提供する。
【解決手段】子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路の上方にバイアスを印加するための中心導体の役割を成す２つの電極を各々有し、該２つの電極に同相のバイアス電圧を印加することにより、親マッハツェンダ光導波路としてのバイアスを設定するネスト型の光変調器であって、子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路と当該２本の光導波路の上方に形成された前記２つの電極の位置が光の導波方向と交わる方向にずれた状態であっても当該２本の光導波路において発生する屈折率変化が互いに等しくなるように、接地導体の役割をなす３つの電極を、光の導波方向と交わる方向における前記２つの電極の各電極の両側にして当該２つの電極の間は共通で設けた。 （もっと読む）

【課題】光変調器の信号線間クロストークを抑制し、これに伴い小型化が実現可能な光変調器およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された複数の光導波路３と、光導波路３内を通過する光を変調するために設けられる信号線電極４と、光導波路３上に信号線電極４を配してなる光変調部１２とを備える光変調器において、信号線電極４がその周囲を誘電体絶縁膜５によって覆われ、誘電体絶縁膜５がその外側をグラウンド電極６によって覆われるようにした。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器を用いた波長選択スイッチにおいて、所望の位相シフト関数を再現すること。
【解決手段】本実施例の波長選択スイッチでは、入射信号光及び回折信号光と空間位相変調器であるＬＣＯＳとの位置関係は、ＬＣＯＳのピクセル面の直交する２方向のうちの一方の方向は、ＬＣＯＳへ入射する入力信号光の波長分散方向に一致するように配置され、他方の方向のみが回折信号光の回折方向となっている。この場合、チャネル帯域は、線分散と無関係となるため、帯域の制限から決まるスポットサイズの上限は制限されないことになる。一方で式（２０）で表されるスポットサイズの下限は、スポットサイズに対して位相変調関数が粗すぎて、空間位相変調器上に集光されたガウシアンビームが高い周波数成分をもった変調関数を感じてしまうことに起因しており、線分散とは無関係に生じるため本実施例においても適用される。 （もっと読む）

【課題】音響光学素子を用いて、単色のコヒーレントな電磁放射を光学的に分割および変調するための装置において、音波のビートによる光の振幅変動を抑制する。
【解決手段】装置は、ビーム源２と、ビーム源によって生成されたビーム４を複数の部分ビームＬ１〜４に分割する音響光学素子８と、その下流側に配置される変調器２２と、ビーム４を分割するための電気信号１２を音響光学素子８に印加するための信号生成器１４とを含み、分割されるビームの数にかかわらず、個々の部分ビームＬ１〜４の強度を一定に保つように、音響光学素子８およびその下流側に配置される音響光学変調器２２の駆動波形を制御する。 （もっと読む）

【課題】 容易にゼロチャープ変調と負チャープ変調とを行うことが可能な光半導体素子を提供する。
【解決手段】 光分波器が、第１及び第２の入力ポートと、第１及び第２の出力ポートとを含む。第１の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光と、第２の出力ポートに出力される信号光との強度が等しくなり、第２の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光の強度が、第２の出力ポートに出力される信号光の強度より大きくなる。光合波器が、第３及び第４の入力ポートと、第３及び第４の出力ポートとを含む。第１の光導波路が、第１の出力ポートと第３の入力ポートとを接続し、第２の光導波路が、第２の出力ポートと第４の入力ポートとを接続する。第１の変調電極及び第２の変調電極に印加される電圧により、第１の光導波路及び第２の光導波路の光路長が変化する。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号光の一部を電気光学変調器により切り出してパルス光を出力するレーザ装置において、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を改善可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、信号光を出力する信号光源１１と、信号光源１１から出力された信号光を増幅する光増幅器２１と、光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器２５と、電気光学変調器２５の出射側に設けられ、光増幅器２１において発生するＡＳＥ光を検出するＡＳＥ光検出器２７と、電気光学変調器２５の作動を制御するＥＯ制御部５５とを備え、ＥＯ制御部５５が、ＡＳＥ光検出器２７により検出されるＡＳＥ光の強度が最小になるように、電気光学変調器２５のバイアス電圧を調整するように構成される。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 （もっと読む）

【課題】光信号を適切に遮断する。
【解決手段】光送信器は、入力された光を変調することで光信号を出力し、且つ印加されるバイアス電圧に依存して光吸収の程度が変化する光吸収特性であって、第１の特性領域及び第１の特性領域よりも光吸収の程度が大きくなる第２の特性領域を含む光吸収特性を有するマッハツェンダ型光変調器と、マッハツェンダ型光変調器からの光信号の出力を所望量以下に遮断する場合に、第２の特性領域に対応する遮断バイアス電圧をマッハツェンダ型光変調器に形成された２つの干渉用光導波路の夫々に備えられた電極に印加することにより、発生する電界を前記干渉用光導波路に与える印加部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ネスト型光導波路のように、光導波路が複数の光導波路部分を有し、該光導波路部分が互いに平行配置される光導波路素子において、光導波路部分が近接して配置される場合でも、各光導波路に印加される変調信号のクロストークを効果的に抑制することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板上に形成された光導波路２−３〜２−６と、該光導波路内を導波する光波を変調するための変調用電極３−１，３−２とを有する光導波路素子において、該光導波路は、複数の光導波路部分が互いに平行配置され、少なくとも一つの該光導波路部分には該変調用電極による電界が印加される構成を有し、該光導波路部分は、ネスト型光導波路のサブマッハツェンダ導波路であり、該光導波路部分間の距離が３００μｍ以下であり、かつ該光導波路部分間には溝１０が形成され、該溝は異なるサブマッハツェンダ導波路間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】
薄板化した主基板を伝播する信号光の光学的な特性劣化を抑制し、製品の光学特性を向上させることが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該光導波路基板の該補強基板側の面上であって、該光導波路が形成された部分にバッファ層が形成され、
該バッファ層を覆うように該光導波路基板の該補強基板側に、光吸収膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ネスト型光導波路のように、光導波路が複数の光導波路部分を有し、該光導波路部分が互いに平行配置される光導波路素子において、光導波路部分が近接して配置される場合でも、各光導波路に印加される変調信号のクロストークを効果的に抑制することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決方法】
電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路内を導波する光波を変調するための変調用電極とを有する光導波路素子において、該光導波路は、複数の光導波路部分が互いに平行配置され、少なくとも一つの該光導波路部分には該変調用電極による電界が印加される構成を有し、該光導波路部分間の距離が３００μｍ以下であり、かつ該光導波路部分間には溝が形成され、該溝の内側には、導電性材料が充填又は付着されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変調時の動作条件が変動した場合における光パルスの波形劣化を抑制すること、また、ノイズ成分の小さい光パルスを発生させること。
【解決手段】光パルス発生装置１は、光周波数が増加方向に変化する第１の時間領域と減少方向に変化する第２の時間領域が交互に繰り返され、前記第１及び第２の時間領域の一方の時間領域で大きい光パワーを有し他方の時間領域で小さい光パワーを有する連続した光パルス列を発生させる光パルス発生部２０と、前記光パルス発生部２０からの光が入射され、前記一方の時間領域で前記入射光を透過させ前記他方の時間領域で前記入射光を遮断又は減衰させる光制御部３０と、前記光制御部３０からの光が入射され、前記一方の時間領域の光をパルス圧縮する光パルス圧縮部４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 大型化を抑制しつつ、分岐比の劣化を抑制することができる、光導波路、光変調器、および、光カプラを提供する。
【解決手段】 光導波路は、基板に形成され、曲がり導波路と、前記曲がり導波路に接続されて分岐する分岐部と、を備え、前記曲がり導波路の前記分岐部と反対側の始点から前記分岐部に至るまでの導波路において、前記曲がり導波路の始点の実効屈折率よりも低い実効屈折率を有する低屈折率部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）