【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式（１）
Ｒ^１_ｎＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｎ （１）
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子内において基本波を折り返す構造を有する光波長変換装置において、高出力の波長変換波を得る。
【解決手段】基本波10を入射させる入射端面15ａとそれに対面する出射端面15ｂとを有し、基本波10を波長変換波14に変換する光波長変換素子15と、出射端面15ｂから出射した基本波10および波長変換波14を、前者は反射させ後者は透過させる第１の反射部材17と、第１の反射部材17で反射して光波長変換素子15を伝搬し入射端面15ａから出射した基本波10および同じく入射端面15ａから出射した波長変換波14を、前者は透過させ後者は反射させる第２の反射部材18と、第１の反射部材17に到達する前に素子15内を伝搬する波長変換波14の位相と、第２の反射部材18で反射して折り返し素子15内を伝搬する波長変換波14の位相とを互いに揃える位相調整手段20とから光波長変換装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で低コスト、かつ制御が容易で低損失な光変調器を提供する。
【解決手段】入力された電気信号を多値光信号に変換する光変調器であって、入射信号光を分岐する光分岐回路１０２と、光分岐回路１０２の出力側に接続され、電気信号に応じて伝搬光の位相を変調する位相変調器１０４ａ，１０４ｂと、位相変調器１０４ａ，１０４ｂからの出力を合流させる光合流回路１０６とを備え、さらに、光分岐回路１０２と光合流回路１０６のうち少なくとも一方が非対称な分岐比又は合流比を有し、位相変調器１０４ａ，１０４ｂから光合流回路１０６を経て出力側に導かれる信号光の強度が互いに異なるように設定した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高効率な波長変換を達成する波長変換素子を提供する。
【解決手段】２つの異なる波長の光を入射し、一方の光により第二高調波を発生し、他方の光と前記第二高調波の差周波発生により変換光を発生する波長変換素子であって、周期分極反転構造を有する二次非線形光学媒質からなる導波路部であって、前記一方の光を前記第二高調波に変換する第二高調波発生部と、前記第二高調波の屈折率を変化させるための位相調節部とを有する、導波路部と、前記導波路部の入力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第１の反射部と、前記導波路部の出力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第２の反射部とを備え、前記位相調節部は、前記第１の反射部によって反射された第二高調波の位相と前記第二高調波発生部で発生する第二高調波の位相とを整合させることを特徴とする波長変換素子である。 （もっと読む）

【課題】電極間における抵抗が低くすることができ、かつ、光の伝播損失を低くすることができる位相変調素子を提供する。
【解決手段】半導体材料により形成される光導波路と、前記光導波路の両側側面に各々接続される半導体材料により形成される接続構造部と、前記接続構造部の各々に接続される電極部と、を有し、前記接続構造部は、前記電極部との接続部分に不純物元素がドープされた不純物領域を有しており、前記不純物領域は、前記光導波路と前記接続構造部との接続部分における前記光導波路に対し垂直方向の延長線上とはならない部分に形成されていることを特徴とする位相変調素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、原理的な光損失の小さい多値光変調器を提供することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明の光変調器は、メイン入力ポートからの入力光を変調し、互いにコンスタレーション図形が等しくデータマッピングが異なる第１及び第２の光信号を同時に異なるポートから出力する第１の光変調手段と、前記第１の光信号をさらに変調し、第３の光信号を出力する第２の光変調手段と、前記第２及び前記第３の光信号を結合させ、メイン出力ポートへ出力する光結合手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調素子による磁気光学効果を改善する。
【解決手段】光変調素子１０は、１層以上の磁性膜１２を含む磁化固定層と、非磁性膜１３からなる中間層と、光の入射側に配置された１層以上の磁性膜１４を含む磁化反転層とがこの順番に積層された磁性多層膜４と、磁性多層膜４に電流を流すための磁化反転層側の透明電極７と、磁化固定層側の金属電極からなる下部電極３とを備え、透明電極７を介して磁性多層膜４に入射する光を変調する。この磁性多層膜４は、非磁性膜１３が、膜厚６ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｇからなる。この光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてカー回転角が増加し、光変調度を大きくすることができる。また、Ａｇスペーサを用いた光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてＭＲ比が２倍に増加するので、磁化反転層の磁化方向を反転し易くすることができる。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】再成長が不要である分離溝を形成する光変調器において、分離溝部で損失の増大を抑制することができる光変調器を提供することにある。
【解決手段】導波路構造の活性領域１６ａに接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、導波路内光伝搬方向にて徐々に狭くなる第１のテーパ部１８と、第１のテーパ部に対向し、前記導波路構造の非活性領域に接続して形成され、キャリアバリア層１４より上層にある層１５の少なくとも一部の幅が、徐々に広くなる第２のテーパ部１９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高い励起効率と光子取り出し効率の両方を兼ね備え、バックグラウンド雑音が少ない単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】量子ドット４が上部半導体層２と下部半導体層３の間に埋め込まれ、その上部の金属遮光膜５に、開口から金属突起１１〜１４が張り出した構造を持つ突起付開口６が形成されている。励起光源２１から発せられたＹ方向の偏光を有する励起光は、金属突起１３、１４からなるアンテナＹに共鳴して、量子ドット４を励起する。その後の量子ドットからの発光は、金属突起１１、１２からなるアンテナＸに結合し、Ｘ偏光の光子として外部に取り出される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体発光装置では一定動作電流での光出力が小さい上、それをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際にリッジ幅に制限ができ、本来得られるはずの特性を低くして集積しなくてはならず、低コストかつ低消費電力化ができなかった。
【解決手段】リッジを有する半導体発光装置において、リッジとそれ以外の構成要素との屈折率差を低くすることにより単一横モードのままリッジ幅の拡大を可能にし、かつリッジ両側に沿ってほぼ垂直の溝を形成することにより、拡散電流防止と屈折率差増大を防ぎ、かつリッジに回折格子を形成することにより、再成長による特性劣化を防ぎ、かつそれらをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際、成長回数を増大させることなく、テーパー状の導波路を用いることによりリッジ幅に制限なくマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と上記発光装置とを集積する。 （もっと読む）

【課題】複数の光変調素子に照射する光の利用効率を向上する。
【解決手段】電気光学結晶材料から成る複数の光変調素子８を備えた複数のチップ９を所定状態に配置して有する空間光変調手段４に光源２から光源光を照射すると共に、前記複数の光変調素子８を駆動制御して前記空間光変調手段４の射出光をオン・オフする光スイッチング装置１であって、前記空間光変調手段４は、前記光源光をＰＢＳ６により偏波面が直交する二つの直線偏光に分離し、該二つの直線偏光を前記複数のチップ９に照射させる構成としたものである。 （もっと読む）

【課題】周知の構成の限界を部分的にせよ少なくとも克服するような、ＷＤＭ用の信号フォーマットを提供すること。
【解決手段】複数ｎ本のデータ・ストリームを伝送するための方法により、差分Ｍ位相偏移変調（ＤＭＰＳＫ）信号（Ｍ＝２^ｎ）を用いて光搬送波を変調する。本発明により、好適にｎ＝２のとき差分４位相偏移変調を用いる。本発明の主な長所は、データが位相の絶対値によってではなく位相変化の形で差分的に符号化されるため、位相同期した局地的なオシレータを必要とすることなく変調された光搬送波が直接検出によって復調される点にある。本発明は、特にＷＤＭ通信システムに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を利用した光変調素子を含む変調器では、適切な結晶成長を確保するため、屈折率変化量が大きい方向、すなわち屈折率変調効率が高い方向にレーザおよび変調素子のメサストライプを形成し、高効率な屈折率変調を実現することができない課題があった。より低バイアス電圧で変調素子の制御駆動が可能であって、光損失変動が小さく、大きな屈折率制御量を得ることができる構造の実現が望まれていた。
【解決手段】電圧制御を用いて屈折率変調を行う半導体光制御装置において、ｐクラッド、ｎクラッド層に挟まれた単層または複数層からなる屈折率制御層の少なくとも一部がドーピング層を持っている。層構造は、バルク層、単層または多重量子井戸層とすることができる。素子ストライプの結晶方位は［１１０］に準ずる方向または［１−１０］に準ずる方向とする。 （もっと読む）

【課題】書き込み光が照射された画像を表示する箇所の反射率を高くする。
【解決手段】画像を書き込む際に、書き込み光を照射する時間間隔Ｔ_Ｗで光導電体層１０に照射されるように照射部３２を制御すると共に、表示層７及び光導電体層１０に時間間隔Ｔ_Ｗより長い間隔の第１のパルス電圧が印加され、第１のパルス電圧に続いて、第１のパルス電圧と極性が同一で、かつ電圧値の絶対値が第１のパルス電圧の電圧値より大きい第２のパルス電圧が印加されるように電圧印加部２６を制御する制御手段としての制御部３０を備える。 （もっと読む）

【課題】画像の書き込み時における画像の白とびを防止すると共に、画像の書き込み時以外の画像を視認する場合に、容易に画像を視認する。
【解決手段】光書き込み型画像表示媒体１の光導電体層１０に、光導電体層１０側から書き込み光を照射することにより、表示層７に画像を書き込む書き込み手段としての照射部３２と、表示層７から反射された反射光及び表示層７に入射される入射光の光量を調整するように設けられた光量調整手段としてのプラテンカバー１６と、画像を書き込む際には表示層７に入射される入射光の光量が予め定められた光量Ｑ以下となり、書き込まれた画像を視認する場合には表示層７から反射された反射光により表示層７の画像が視認可能な光量となるように、光量調整手段としてのプラテンカバー１６を制御する制御手段としての制御部３０を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型光回路の２つの電極間に発生するリーク電流を防止する手段を提供する。
【解決手段】光導波路を２方向に分岐する２つの分岐部と、分岐された光導波路の間を接続する第１および第２のアーム部とで形成された光回路を備え、光導波路を、第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成されたウェル層と、ウェル層上に形成された、第１導電型とは逆型の第２導電型半導体からなる第２のクラッド層とを積層して形成し、第１および第２のアーム部の第２のクラッド層に電気的に接続する第１および第２の電極を形成した半導体マッハツェンダ型光回路において、第１および第２の電極の両側の領域の、第１および第２のアーム部と、それらの両端をそれぞれ接続する分岐部とで形成される、第１の電極から第２の電極に至るそれぞれの第２のクラッド層の電極直下を除く少なくとも一部に、第１導電型半導体からなる第３のクラッド層を形成する。 （もっと読む）