【課題】本発明は、各構成部品を等長化して組み立てる必要がなく、部品の温度特性及び経時変化が生じてもスキュー調整が容易である位相変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】位相変調装置３０１は、連続光を出力する光源１０と、２つの位相変調器１２及び強度変調器１５を有し、光源１０からの連続光を位相変調器１２がそれぞれに入力されるデータ信号（ＤＡＴＡ１、２）で位相変調して２つの位相変調光信号を生成し、位相器１３が位相変調光信号の一方の位相をπ／２ずらして位相変調光信号の他方と合波した合波信号を強度変調器１５が入力されたクロック信号ＣＬＫで強度変調しＲＺ化して出力するＲＺ位相変調回路１０１と、ＲＺ位相変調回路１０１の出力が最大となるように、ＲＺ位相変調回路１０１の位相変調器１２が生成する位相変調光信号の位相をそれぞれ調整する位相制御回路１１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第１の導波路と、第１の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第１のリング共振器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第２のリング共振器と、リング変調器と第１のリング共振器と第２のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第１のリング共振器中の光パワーをモニタする第１の光検出器と、第２のリング共振器中の光パワーをモニタする第２の光検出器と、第１の光検出器及び第２の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】接続部の面積のばらつきを抑制することである。
【解決手段】プリント基板１０は、接続用グランドパターン２１と配線用グランドパターン３１とを有する。接続用グランドパターン２１は、第１の配線層に設けられた、半田接続用のパターンである。配線用グランドパターン３１は、第１の配線層において、接続用グランドパターン２１と離間するように設けられている。接続用グランドパターン２１と配線用グランドパターン３１とは、第２の配線層を介して電気的に接続されている。配線用グランドパターン３１をソルダーレジスト等の絶縁層で被覆する際、絶縁層の端部の位置が、配線用グランドパターン３１毎に異なっても、接続用グランドパターン２１の露出面積に対する影響は排除される。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶９と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶８を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶９の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅（進）相軸が電界検出用電気光学結晶９の進（遅）相軸に対して平行になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、電流検出部が検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備える。マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 導波路型のフォトダイオードにおける信頼性を向上させること。
【解決手段】 半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路５０と、半導体からなり、光導波路５０に接続され、光導波路５０よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード５２と、を有する光半導体。フォトダイオード５２における導波路幅を広げることで、コア２０の側面付近に欠陥が生じた場合でも光の導波領域を保護することができるため、フォトダイオード５２の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の劣化を防ぎ、消費電力を低減し、光変調素子の故障を防ぐことができる光変調装置を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮに変調信号が入力される。光変調素子１０のアノードは入力端子ＩＮに接続され、光変調素子１０のカソードは接地されている。光変調素子１０に並列に整合抵抗Ｒ１及び整合コンデンサＣ１が接続されている。整合コンデンサＣ１は整合抵抗Ｒ１に直列に接続されている。保護抵抗Ｒ２が、光変調素子１０、整合抵抗Ｒ１、及び整合コンデンサＣ１に並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学材料を用いた光素子において、外部から供給される制御信号の繰り返し周波数などの条件変更に関わらず光の制御出力が変化しにくい光素子の出現が望まれている。
【解決手段】電気光学効果を持つ電気光学材料からなる光部品を含む光素子の制御方法において、前記電気光学材料が強誘電的相転移温度を含む常誘電性を示す温度範囲で動作させる光素子の制御方法と、温度制御手段を含む光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対し温度ドリフトが小さく、あるいは外力に対し機械的な信頼性が高い光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための進行波電極とを有し、進行波電極が、高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための相互作用部を構成する光変調器チップと、光変調器チップがその内部に形成された台座に接着剤で固定される筐体とを具備する光変調器モジュールにおいて、基板の裏面の一部に導電層が形成され、接着剤は、導電性接着剤と硬化後における柔軟特性が導電性接着剤よりも優れる柔軟性接着剤とでなり、基板の裏面と台座とが電気的に接続されるよう、台座の所定面積部分である第１の面領域で導電層と台座とが導電性接着剤で接着されるとともに、台座の第１の面領域以外の部分である第２の面領域で導電層と台座とが柔軟性接着剤で接着される。 （もっと読む）

【課題】損失を低減し、ＩチャネルとＱチャネルの光信号の振幅レベルの差を低減することができる光変調器を得ること。
【解決手段】第１ＭＺ光変調器５ａと、第２ＭＺ光変調器５ｂと、第１ＭＺ光変調器５ａの出力を第１のバイアス信号に基づいた増幅率で増幅する第１光増幅器６ａと、第２ＭＺ光変調器５ｂの出力を第２のバイアス信号に基づいた増幅率で増幅する第２光増幅器６ｂと、第２光増幅器６ｂの出力を位相回転させる光位相調整器７と、第１光増幅器６ａの出力と光位相調整器７の出力とを合波する光合波器８と、相補的な第１のパルス信号と第１のパルス信号を生成し、光合波器８の出力信号の強度変化に基づいて、第１のバイアス値と第２のバイアス値を求める第２ＤＣバイアス補正部１７と、を備え、第１のバイアス信号に第１のパルス信号を重畳し第２のバイアス信号に第２のパルス信号を重畳する。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波接続配線基板を有する光変調器モジュールにおいて、環境温度が大きく変化した際にも変調用基板の破損が生じない光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】本体基板上に中心導体と接地導体とを有し、中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、中心導体の他端側から高周波電気信号が出力される高周波接続配線基板と、電気光学効果を有する変調用基板上に、光導波路と、中心導体と接地導体からなる電極が形成され、高周波接続配線基板から出力された高周波電気信号が入力されるよう、高周波接続配線基板と電気的に接続された光変調器チップと、高周波接続配線基板と光変調器チップとを内部に収納した筐体と、を具備し、高周波接続配線基板の端と光変調器チップの端とが、電気的に接続される部位において所定距離離れて対向配置され、該所定距離が６μｍ以上であり、かつ７００μｍ以下である。 （もっと読む）

【解決手段】光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動回路１５と前記光変調素子ＥＡＭとの間の線路Ｌに設けられた１個又は複数個の検出点Ｐにおいて、当該線路Ｌを流れる光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動電流を検出し、検出された駆動電流が正常範囲内か正常範囲外かを判定することによって、前記線路Ｌの断線を判定する。
【効果】前記線路Ｌの断線を判定することができ、光変調素子の光透過率が上がったままで光を遮断しなくなるという事態を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＮ導波路およびＰＬＣ導波路を有する光変調器において、熱応力による機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＬＮ導波路１１１及びＰＬＣ導波路１１２で構成されたＰＬＣ−ＬＮチップ１１０と、ＰＬＣ−ＬＮチップ１１０を収納するパッケージ１４０と、パッケージ１４０のパイプ部１４０Ａを通るファイバ１３０と、ファイバ１３３０をＰＬＣ１１２に接続するファイバブロック１２０とを備える。ＬＮ導波路１１１がパッケージ１４０に固定されている。パイプ部１４０Ａ内にはフェルール１５０が挿入されており、その端面１５０Ａで、ファイバ１３０の一端が固定されている。ファイバ１３０の他端はファイバブロック１２０との接点で固定されている。この二点の間のファイバ１３０の長さΔＬ_max（以下「ファイバ自由長」と言う。）が式（２）の関係ΔＬ_max／Ｌ_fiber＜０．０１２５を満たす。 （もっと読む）

【課題】光デバイスや電子デバイスとそれらを駆動するための電気ドライバとの接続に適用する高周波コネクタの接合方法、及びこれにより製造した光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体または半導体からなる基板と、前記基板上に形成された電極と、前記電極の上方に所定距離離れて配置されたコネクタの芯線とを半田ペレットを用いて接合する、コネクタの芯線の接合方法において、前記半田ペレットは、前記所定距離よりも厚みが薄く形成されるともに、その幅が前記電極の幅よりも広く形成されており、前記所定距離離れた前記電極と前記コネクタの芯線との間に前記半田ペレットを挿入した状態で加熱して、前記半田ペレットを溶融させることにより、当該溶融した半田は前記基板には接合せず、かつ表面張力によって前記電極の上で上方に盛り上がって前記芯線と前記電極とを接合する。 （もっと読む）

【課題】光位相の連続可変と高速制御が可能であるとともに、温度等の環境条件からの影響を受けにくく、さらに、偏波無依存型への適応および自由空間型や光ファイバ型への適応がいずれも無理なく行える可変光位相器を提供する。
【解決手段】入力光である直線偏光を四分の一波長板１１で円偏光に変換し、この円偏光の偏光面をファラデー回転子２０で任意角度回転させてから四分の一波長板１２で直線偏光に変換することにより、その四分の一波長板１２によって直線偏光に変換された出力光の位相をファラデー回転子２０の回転角に応じて変化させる。 （もっと読む）

【課題】ＫＴＮ結晶で生ずる電歪による衝撃を導電性弾性体に吸収させ、信頼性の高い高速の電気光学デバイスを提供する。
【解決手段】ＫＴＮ結晶と、該ＫＴＮ結晶の第１の面および該第１の面と対向する第２の面に形成された電極対と、前記第１の面と接触する第１の導電性弾性体と、該第１の導電性弾性体の前記ＫＴＮ結晶と接触する面と対向する面に接触する第１の金属ブロックと、前記第２の面と接触する第２の導電性弾性体と、該第２の導電性弾性体の前記ＫＴＮ結晶と接触する面と対向する面に接触する第２の金属ブロックとを備え、前記第１および第２の金属ブロックの間に電圧を印加して、前記ＫＴＮ結晶に電界を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学素子モジュールを構成する筐体における熱応力が、筐体内部に収容する光学素子に与える影響を低減することが可能な光学素子モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板を用いた光学素子３を内蔵する光学素子モジュールにおいて、該モジュールを構成する筐体は、本体部１と蓋部２から構成され、該本体部の側壁で、該本体部と該蓋部との接合位置から離れた位置に、側壁の厚みを薄くする溝１１を形成することを特徴とする。好ましくは、該溝１１は、該本体部１の側壁に沿って１周する連続した溝を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】
厚みが１５０μｍ以下の薄板と、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光変調器において、焦電効果の影響を効果的に除去することにより温度ドリフトやＤＣドリフトの点で信頼性を一層向上させた光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚みが１５０μｍ以下の薄板と、該薄板に形成された光導波路と、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極と、該薄板より厚みの大きい補強板とを含む光変調器において、該薄板と該補強板との間に、該薄板材料と同等の材料で、基板の厚みが略等しく、かつ自発分極の方向が該薄板と互いに相反するように配置された焦電効果低減部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）