【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式（１）
Ｒ^１_ｎＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｎ （１）
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる方法、この方法に用いられる表示セル、及びこの表示セルを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】透明セル１内に、基板２上の作用極３に接するように設けられた直径の大きさの揃った金属型又は半導体型単層カーボンナノチューブの薄膜４、電解液７、対極５、参照極６を収納した表示セルの作用極３と対極５間に電圧を印加して電気化学ドーピングを行い、単層カーボンナノチューブに電子又はキャリアの注入することにより単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる。例えば、単層カーボンナノチューブが金属型単層カーボンナノチューブであり、その直径が１．３〜１．４ｎｍであればシアン系（青）の色を呈しているが、電圧印加によりイエロー系（黄）に変化し、電圧印加を停止すれば元のシアン系の色に回復する。このとき、単層カーボンナノチューブとして、チューブ内にＣ６０分子又はβカロテン分子などのπ共役系分子を内包したものを用いれば、色の回復が改善される。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】高速のアナログ光変調が可能で、高周波駆動におけるヒステリシスが非常に小さく、小型化・軽量化を図り、且つ低消費電力で駆動できるようにする。
【解決手段】光路中で偏光子１２と検光子１３との間に位置し、光が膜面に垂直方向に透過する磁気光学膜１４と、該磁気光学膜１４に高周波磁界を印加するコイル１６とを具備し、コイルによる高周波磁界によって光の進行方向に対する磁気光学膜の磁化方向を制御することにより、透過光の強度あるいは位相を変調するための磁気光学光変調素子１０である。磁気光学膜は非磁性基板１８上に成膜され且つ膜面内方向に磁化容易軸を有し、コイルは磁気光学膜の膜面に平行に前記非磁性基板と一体に形成され、それによって高周波磁界が磁気光学膜の磁化容易軸に対して垂直方向に印加されるようにする。 （もっと読む）

屈折率の周期的変調を備えたポリマーネットワークを有し、前記ポリマーネットワークが反射波長を有する調整可能なフォトニック結晶粒子であって、前記屈折率の周期的変調が外部刺激に対して応答性であり、前記反射波長が前記外部刺激に応答して変化する前記フォトニック結晶粒子と、前記粒子が分散している担体とを含む、調整可能なフォトニック結晶組成物。 （もっと読む）

【課題】波長が１．３μｍ〜１．６μｍ帯の光に対するファラデー回転能が４５°程度、かつ逆方向挿入損失が大きい値を有する磁気光学素子を提供する。
【解決手段】磁気光学素子は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶によって構成されたものであって、フラックスとして鉛化合物を用いない液相エピタキシャル法によって育成された厚さが３５０μｍ以上有するものであり、かつ白金を含み、白金の式量ｘが０．０２≦ｘ＜０．０４の関係を満たすものである。 （もっと読む）

【課題】有機電気光学材料を用いた導波路デバイスにおいて、ドリフト現象の発生を抑えた実用的な導波路デバイスを提供すること。
【解決手段】基板２０１上に、第１電極（下部電極２０２）、第１クラッド層（下部クラッド層２０３）、導波路２０４、第２クラッド層（上部クラッド層２０５）、及び第２電極（上部電極２０６）が順次積層され、前記下部クラッド層２０３、導波路２０４、上部クラッド層２０５のうち少なくともひとつの層が、金属若しくは金属イオンに対して配位可能な配位子化合物を含有して構成されていることを特徴とする導波路デバイスである。 （もっと読む）

【課題】主に1.55μm帯の光集積素子の導波路層としては、組成波長1.25μmから1.55μmの範囲にあり、膜厚が150nm以上のInGaAsP層が用いられてきた。本条件のInGaAsP層を、通常の格子整合条件下で再成長すると、多数の欠陥が発生し、素子特性を低下させていた。
【解決手段】本発明によれば、本InGaAsP層のInP基板との格子不整合度εを、+0.1%≦ε≦+0.4%の範囲内に設定することにより、非混和性を低下させ、欠陥の発生を抑制して良好な素子特性を実現する事ができる。 （もっと読む）

【課題】光透過性をはじめとする磁気光学特性に優れた、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）のマトリックス中にコバルト超微粒子が均一に分散された新規な磁気光学材料、及びその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸ジルコン酸鉛微粉末結晶とコバルト超微粒子を均一に混合してなる原料粉末をキャリアガス中に浮遊させて、常温で基板の表面に吹き付けることにより常温衝撃固化現象を利用して基板表面で接合させて、コバルト超微粒子をチタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス中に均一に分散させた薄膜を基板表面に形成することにより、光透過性の磁気光学材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】光学素子、特には、導波路型の光学素子に好適に利用される、優れた透明性を示すマトリクス材料中に、所望の金属微粒子を均一に分散させた薄膜光学材料と、その製造方法の提供。
【解決手段】光透過性材料で構成されるマトリクスと、該マトリクス中に分散された金属微粒子を具えてなる成形体型光学材料からなる薄膜光学材料とし、該金属微粒子に起因するプラズモン共鳴を利用することで、新たな光学特性を付与する。その際、薄膜形成に常温衝撃固化現象を利用した成膜法を採用して、平均半径ｄ₀≦５００ｎｍの範囲の粒径を有する光透過性材料の微粒子が一体に成形されたマトリクスを作製し、プラズモン共鳴のピーク波長において、マトリクス自体の消衰係数ｋをｋ＜０．０１の範囲に抑制する。 （もっと読む）

【課題】安価なファラデー回転子を提供する。
【解決手段】ファラデー効果を有する磁性体２がガーネット型結晶構造を有する多結晶体であり、かつ基体１に形成された溝１ａの内部に充填されている。前記磁性体２が、磁気弾性効果を起源とする磁気異方性を有し、かつ該磁気弾性効果を起源とする磁気異方性エネルギーが、該ファラデー効果を有する磁性体２の結晶磁気異方性定数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 磁性ガーネットの挿入損を低く且つ安定にできる製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式（Ｒ，Ｂｉ）₃（Ｆｅ，Ｍ）₅Ｏ₁₂（但し、ＲはＥｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｙｂ，Ｙの中から選ばれた少なくとも１種、ＭはＡｌ，Ｇａまたはその両方を示し、Ｍの量はゼロを含む）で表され、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されるビスマス置換希土類鉄系ガーネット厚膜単結晶の製造方法において、ＰｂＯ−Ｂｉ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃からなる融材に、ビスマス置換希土類鉄系ガーネット厚膜単結晶の原料を溶解した融液を、約１０００℃における保持および厚膜育成温度７６０〜７８０℃までの降温過程で攪拌した後、厚膜単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】ガーネット単結晶の厚みを550μｍ未満に抑えてLPE法での育成を可能にすると共に、単体で45度の回転角を有し、絶対値で温度特性0.030度/℃以下を実現するガーネット単結晶とその製造方法の提供。
【解決手段】波長1.3μｍ帯域用で、格子定数を12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲とし、ファラデー回転角45度、温度特性が絶対値で0.030度／℃以下の単体からなるビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を製造する。その製造方法としては、格子定数が12.482Å以上且つ12.486Å以下の範囲の非磁性ガーネット結晶基板上に、LPE法によって12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲の格子定数のビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】 衝撃固化現象による成形体に形成された導波路を有する光学素子及びその光学素子を含む光集積デバイスを提供する。
【解決手段】 基板上に供給した超微粒子脆性材料に機械的衝撃力を負荷して前記超微粒子脆性材料を接合させて形成した成形体の光吸収端を、局所加熱により制御し、導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】
より簡単に製造できて小さな、電気光学効果を有する光学デバイスを提供する。
【解決手段】
光ファイバ（１２）は、コア（１４）とクラッド（１６）を有する。光ファイバ（１２）の外周に、コア（１４）を挟むように、２つの電極（１８，２０）を接着してある。電圧源（２２）が、電極（１８，２０）間に直流電圧を印加する。コア（１４）とクラッド（１６）は共に、カルコゲナイドガラス、即ちＳ，Ｓｅ又はＴｅを含むガラスからなる。 （もっと読む）