【課題】
進行波型光変調器の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定することが可能であり、検査に必要な検査用電極もより小さな電極パターンとすることが可能な検査用電極付きウエハ及びその電極の屈折率測定方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路２と、該光導波路に沿って信号電極及び接地電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための複数の進行波型制御電極と、該ウエハの一部に形成された検査用電極（３，３１）とを有する検査用電極付きウエハにおいて、該検査用電極は、該信号電極と同一延伸方向に延びる共振型電極（３，３１）を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】伝搬損失が小さく、しかも、効率的に屈折率を変化させ得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成され、第１導電型の第１の不純物領域１６と、第１導電型の反対の第２導電型の第２の不純物領域１８と、第１の不純物領域と第２の不純物領域との間に形成されたストライプ状の光導波路１５とを有する半導体光導波路層１４と、第１の不純物領域と光導波路の一方の側壁の上部とを接続する第１導電型の第１の半導体層２６と、第２の不純物領域１８と光導波路の他方の側壁の上部とを接続する第２導電型の第２の半導体層２８とを有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧の増加を抑制しながら周波数応答特性の広帯域化が可能な光変調器を提供することであり、さらには、製造に掛る時間やコストの増加を抑制した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該変調電極は、信号電極Ｓとそれを挟むように配置される接地電極Ｇとからなるコプレーナ型電極であり、該信号電極と該接地電極との間隔（Ｇ１，Ｇ２）は、基板に最も近い部分から基板からはなれる方向に向かって徐々に広くなるよう構成され、少なくとも該信号電極全体は、単一の材料から構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子と接続基板との電気的接続の不連続性を減少させ、電気特性の劣化を防止した光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路を伝搬する光波を制御する制御電極を有する光導波路素子と、該制御電極と電気的に接続された配線を有する接続基板とを筐体内に収容する光導波路素子モジュールにおいて、該制御電極は、信号電極と該信号電極を挟むように配置された接地電極とから構成され、該接続基板は、信号線路と該信号線路を挟むように配置された接地線路とが設けられ、該制御電極の入力端部又は出力端部における該接地電極の間隔Ｗ１が、該接続基板の該光導波路素子側の該接地線路の間隔Ｗ２よりも大きく、該制御電極は、該入力端部又は該出力端部から離れた部分に、該接地電極の間隔が該間隔Ｗ２よりも小さい部分を有し、該光導波路素子と該接続基板とを繋ぐ接地用の配線間隔Ｗは、少なくとも該間隔Ｗ１よりも小さい配線を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】光導波路と電極が形成された光導波路素子の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定する。
【解決手段】電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路１０１と、光導波路１０１に沿ってホット電極及びアース電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための進行波型制御電極と、ホット電極と同一断面形状及び同一延伸方向を有し、長さがそれぞれ異なる少なくとも２つの検査用電極２０１，２０２と、を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された電気光学材料の第１の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された第２の基板とを備える。第１の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の第１の電極を備え、第２の基板は、第１の電極に結合する第２の電極を備える。第１および第２の電極は、誘電体の接着剤で接合される。このように、電極間を誘電体の接着剤で接合することにより、ＤＣブロック用のキャパシタンスを形成することができる。また、この接着剤は、電極間の接合のみならず、基板間の接合にも使用することができる。 （もっと読む）

【課題】波長選択性に優れた光透過特性を有する光透過金属薄膜複合体およびその製造方法の提供。
【解決手段】本発明によれば、基板と、前記基板表面上に形成された第一および第二の金属薄膜を具備する光透過性金属薄膜複合体と、その製造法が提供される。ここで、前記第一の金属薄膜は前記金属薄膜を貫通する複数の開口部を有し、前記開口部の開口径が透過光の最大ピーク波長以下であり、かつ前記第二の金属薄膜は、前記開口部内側に、前記第一の金属薄膜と空間的に離れて形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速のアナログ光変調が可能で、高周波駆動におけるヒステリシスが非常に小さく、小型化・軽量化を図り、且つ低消費電力で駆動でき、コイル通電により発生するジュール熱を効果的に発散させ、磁気光学膜の温度上昇による磁気特性劣化を防止する。
【解決手段】光路中で偏光子１２と検光子１３の間に位置し、光が膜面に垂直方向に透過する磁気光学膜１４と、磁気光学膜に高周波磁界を印加するコイル１６を具備し、コイルによる高周波磁界で光の進行方向に対する磁気光学膜の磁化方向を制御することにより、透過光の強度あるいは位相を変調する磁気光学光変調素子１０である。磁気光学膜は非磁性基板１９上に成膜され膜面内方向に磁化容易軸を有し、コイルは磁気光学膜の膜面に平行に非磁性基板と一体に形成され、高周波磁界が磁気光学膜の磁化容易軸に対して垂直方向に印加されるようにし、非磁性基板に熱発散膜１８が一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】
１ビット遅延干渉計の相対的遅延をより正確に制御可能な光素子を提供すること。
【解決手段】
１ビット遅延干渉計１と、該１ビット遅延干渉計から出力される干渉光であるコンストラクティブ光ｂとディストラクティブ光ｃについて、各々その一部を分岐する分岐手段５，６と、該分岐手段で分岐されたコンストラクティブ光及びディストラクティブ光に係る各分岐光を干渉させる第２干渉手段７と、該第２干渉手段の出力光の強度を検出する光検出手段８とを有することを特徴とする光素子である。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速く、画素の微小化による高精細な光変調が可能で、素子製造プロセスにおける加熱処理による磁化固定層の磁気特性の劣化に起因する動作のばらつきを防止することができる光変調素子、この光変調素子を用いて構成される光変調器の提供。
【解決手段】磁化固定層、非磁性中間層および磁化反転層の順で積層して構成されたスピン注入磁化反転素子部と、前記スピン注入磁化反転素子部を挟む一対の電極とを有し、前記磁化反転層における磁化状態の変化に応じて、前記磁化反転層へ入射した光の偏光面に対してその反射光または透過光の偏光面の回転角を変化させる光変調素子であって、一対の電極の少なくとも一方の電極がＣｕで形成され、Ｃｕで形成された電極とスピン注入光変調素子部との間に金属からなる防御層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 酸化物層上のシリコン層を含む熱スイッチ型シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）光電子デバイスを提供する。
【解決手段】 熱スイッチ型シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）光電子デバイスは、光導波路と該光導波路に水平方向に接近したシリサイド発熱体とを含むシリコン層を含む。導波路は、導波路に与えられる熱によって変化する屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】 電極の抵抗値が安定し、信頼性良く作製可能な光制御装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 入射光の光学特性、特に屈折率を変化させ、この変化した光学特性の光を出射する非線形電気光学膜４と、光学特性を変化させるために非線形電気光学膜４に電界を作用させる対向電極２及び３とを有し、非線形電気光学膜４と下部電極３との間に拡散防止膜５が設けられ、電気光学膜４の焼成時にその成分が下部電極３へ拡散して下部電極３の抵抗値を上昇させることを防止した光制御装置６。 （もっと読む）

【課題】
薄板化された基板を利用した光制御素子の製造時に、基板の研磨工程やウェハ加熱工程、さらには基板切断工程などにおいて、薄板や薄板上の電極が破損することを防止し、生産性の高い光制御素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板で形成され、厚みが５０μｍ以下の薄板１と、該薄板上に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための制御用電極３，４とを有する光制御素子の製造方法において、該基板に制御用電極を形成する際に、制御用電極以外の基板表面に、制御用電極と同じ材料で保護電極１２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）