【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトを安定化し、製造工程も複雑化せず、製品の特性も精度良くコントロール可能な光導波路素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路の上に形成されたＳｉＯ_２を主原料とするバッファ層５と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Ｌｉの含有量が１×１０^２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以上となる領域６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を用いる光導波路素子に対し、当該素子の端面で反射するスラブ伝搬光を除去し、動作特性の劣化を抑制した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、該薄板には光導波路が形成されており、該薄板に接着層を介して接着された補強基板とを有する光導波路素子において、該光導波路素子の側面の一部に、反射防止膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用し、補強基板に接着した場合でも、薄板や補強版の破損を抑制し、さらには微小なクラックによる光損失などの性能劣化も抑制した、光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、該薄板には光導波路２が形成されており、該薄板に接着層５を介して接着された補強基板６とを有する光導波路素子において、該補強基板６の該薄板側の表面には、凹凸構造が形成され、該補強基板は、該凹凸構造が形成された後であり、かつ該薄板に接着する前に、キュリー温度以下の高温で熱処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型領域とＮ型領域との間の電圧印加により位相を変調させる際の応答速度を高めることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路素子１が位相変調部に用いられた光変調器。光導波領域４は、光の導波方向に沿って延在する厚板部３と、厚板部３の幅方向一方側および他方側にある薄板部２（２Ａ、２Ｂ）とを有する。光導波領域４は、厚板部３にてＰ型領域５とＮ型領域６とに分離されている。Ｐ型領域５とＮ型領域６の薄板部２Ａ、２Ｂには、それぞれ電圧印加用の電極７Ａ、７Ｂが接続されている。薄板部２Ａ、２Ｂの厚さは８０〜１１０ｎｍとされる。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子を用いた光変調素子の光変調度を向上することを目的とする。
【解決手段】磁化固定層１１と、非磁性中間層１２と、磁化自由層１３とをこの順で積層したスピン注入型磁化反転素子構造と、このスピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２，３とを備え、当該一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより磁化自由層１３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子１０において、一対の電極２，３のうち、磁化固定層１１側に設けられた電極である下部電極３は、少なくとも上層部がＡｇからなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】複数の共振波長を有する光デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する光デバイス１０は、光を伝搬するコア層１２を有し、コア層１２を伝搬する光を共振させる共振部１４と、コア層１２に沿って幅が変化しながら延びる共振波長変調層１６と、を備える。共振部１４は、コア層１２における長手方向の両側部に設けられた回折格子１３か、又は、コア層１２を伝搬する光と結合可能に配置された複数のリング型光導波路１７を有する。共振波長変調層１６は、コア層１２の光の伝搬方向における共振波長を変化させる。 （もっと読む）

【目的】より小さな変調電圧振幅で高速変調可能なリング光変調器を提供することを目的とする。
【構成】実施形態のリング光変調器は、リング共振器１２０と入出力光導波路１１０とを備えている。そして、前記リング共振器を構成する閉ループ光導波路１２１の共振波長λ_ｒにおける群屈折率をｎ_ｇ、閉ループ光導波路１２１の周長をｌ［μｍ］、閉ループ光導波路１２１のうち光カプラ１３０として機能するリング共振器１２０の一部を除く残りの部分の導波路長をｌ’［μｍ］とするとき、光カプラ１３０の出力から入力までリング共振器１２０を周回する共振波長λ_ｒの光に対して、電流ＯＦＦ時の共振器一周回あたりの損失ｘ［％］と光カプラのパワー結合比ｙ［％］が、所定の式（２）から式（８）までの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５６、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｐｒ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に他のデバイスに組み込むことが可能なＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。
【解決手段】互いに導波路を結合したＰＬＣ−ＰＢＳチップとＳＯＡ−ＣＯＳとを備えるＳＯＡ−ＰＬＣハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路を提供する。ＰＬＣ−ＰＢＳチップは、第１および第２の光導波路と、マッハツェンダー干渉計回路と、ＴＭモードの光が伝播する第１の石英系光導波路中に形成された半波長板とを含む。ＳＯＡ−ＣＯＳは、第１の光導波路に接続された第３の光導波路と、第２の光導波路に接続された第４の光導波路と、少なくとも一方の第３および第４の光導波路に形成されたＳＯＡとを含む。第３と第４の光導波路のそれぞれ第１および第２の光導波路と接続しないもう一端同士は、Ｕターン部光導波路で接続される。 （もっと読む）

【課題】 小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶基板中に、光を閉じ込める共振器と、共振器部位を挟んで対向する２つの領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に対向する２つの電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）