【課題】短パルス光発生装置を構成する光変調器の出力光からＯＮ／ＯＦＦ消光比を直接測定することなく、該光変調器に印加されるバイアス電圧を最適に制御可能な短パルス光発生装置を提供する。
【解決手段】繰り返し周波数ｆ_０で短パルス光Ａを発生するパルス発信器１と、入力信号に基づき繰り返し周波数ｆ_０の短パルス光の内、特定の短パルス光を除去し、繰り返し周波数をｆ_０／ｎ（ｎは２以上の自然数）とする光変調器２と、光変調器２からの出力光の一部を分岐する分岐部３と、光変調器２に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御部５と、分岐部３で分岐された光Ｂ２のスペクトルを解析するスペクトル解析部４とを有する短パルス光発生装置であって、バイアス制御部５は、スペクトル解析部４に入射された光の所望のスペクトル周波数範囲における光強度の最大値と最小値との差を最小化するように、バイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、複数の電気信号を並行処理で光信号に変換する。
【解決手段】データ信号Ｄａ１，Ｄａ２，Ｄａ３、およびクロック信号ＣＫａの数未満の数の発光ダイオード１１ａで構成された光源部１１と、データ信号Ｄａ１，Ｄａ２，Ｄａ３、およびクロック信号ＣＫａと一対一で対応して配設されたこれらの電気信号の数と同数の光シャッタ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄとを備え、各光シャッタ１２は、対応する電気信号の信号内容に応じて、光源部１１から出射される光Ｌを透過する透過状態および光Ｌを遮光する遮光状態のうちの一方の状態から他方の状態、または他方の状態から一方の状態に移行することにより、上記の電気信号を光信号に並行処理で変換して出力する。 （もっと読む）

【課題】 アナログ的な光波形を動的に変化させる場合にも、ＭＺ型光変調器のバイアス電圧を最適点に制御することができるようにすることを目的としている。
【解決手段】 ディザ信号が重畳されたバイアス電圧および入力したデータ信号に基づいてＭＺ（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）型光変調器で光を変調し、この変調した光信号を送出する光送信器であって、前記ディザ信号および前記光信号の光強度に基づいて誤差信号を生成する誤差信号生成部と、前記データ信号の平均変調度に応じて前記誤差信号の極性を選択する誤差信号極性選択部と、前記誤差信号極性選択部で選択された極性をもつ前記誤差信号に基づいて前記バイアス電圧の制御を行うバイアス制御部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＴシステムにおいてＭＲＴシステムにおけるＭＲ信号を高周波ＭＲ−ＨＦ信号から獲得するための回路コストを低減する。
【解決手段】ＭＲ−ＨＦ信号のための少なくとも１つの受信装置を備えるＭＲＴシステムであって、前記受信装置は、ＭＲ−ＨＦ信号を受信するための受信コイルエレメントと、光学的変調器とを有し、該光学的変調器は、電気制御入力端が前記受信コイルエレメントと接続されており、当該変調器の出力信号出力するための光学的出力端を有するＭＲＴシステムにおいて、前記光学的変調器は、前記ＭＲ−ＨＦ信号のための光学的復調装置を形成し、そのために前記変調器の光学的入力端はレーザ光源２０と接続されており、該レーザ光源は、光強度が周期的に所定の周波数（Ｆｏｓｃ）で変化するレーザ光を形成するよう構成されている、ことを特徴とするＭＲＴシステム。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く、複雑な製造プロセスが不要な半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置及び計測装置を提供すること。
【解決手段】光パルスを発生する光パルス発生部２と、光パルス発生部２で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第１のパルス圧縮部３と、第１のパルス圧縮部３でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第２のパルス圧縮部５と、第１のパルス圧縮部３の前段、または第１のパルス圧縮部３と第２のパルス圧縮部５との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部４と、を有し、光パルス発生部２がスーパールミネッセントダイオードである。 （もっと読む）

【課題】光源に要求される線幅を緩和させ、常時、位相測定および補償を可能とする。
【解決手段】第１，２の周波数の２つの光波を発生する２光波発生手段１と、発生された光波を分配する光分配手段２と、光分配手段２から光サーキュレータ３および伝送光ファイバ１４を介して出力された分配光を反射する部分反射鏡１５と、基準信号を基に部分反射鏡１５から伝送光ファイバ１４および光サーキュレータ３を介した反射光の周波数をシフトさせる光周波数シフタ５と、分配光とシフト光とを合波する光合波手段６と、合波光から第１，２の周波数近傍の光波を抽出する光帯域フィルタ７ａ，７ｂと、抽出された各光波を電気信号に変換する光電変換手段８ａ，８ｂと、電気信号間の位相差から誤差信号を生成する位相比較手段９と、誤差信号を基に伝送光ファイバ１４に出力される光波の遅延時間を制御する光可変遅延手段１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の集光制御を充分な自由度で好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し（ステップＳ１０１）、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し（Ｓ１０４）、各集光点について、レーザ光に付与する集光制御パターンを設定する（Ｓ１０７）。そして、集光制御パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する（Ｓ１０８）。また、変調パターンの設計において、１画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、集光制御パターンの逆の位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の集光制御での歪み補正を好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し（ステップＳ１０１）、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し（Ｓ１０４）、各集光点について、レーザ光に空間光変調器を含む光学系で付与される歪み位相パターンを導出する（Ｓ１０７）。そして、歪み位相パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する（Ｓ１０８）。また、変調パターンの設計において、１画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、歪み位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 （もっと読む）

【課題】任意の駆動信号の振幅において適切なバイアス制御を行うことが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光変調器２の駆動制御装置１００は、光変調器２からの光信号に応じた電気信号の波形のピークを示すピーク検波出力信号を取得するピーク検波部５と、発振信号を生成する発振回路部６と、ピーク検波出力信号と発振信号とに基づいて同期検波を行う同期検波部７とを備える。駆動制御装置１００は、同期検波の結果に基づいて、光変調器２の変調に係るバイアスを制御するための制御信号を生成するバイアス設定部８と、制御信号に発振信号を加算する加算器１０ｂと、発振信号を含む所定信号に基づいてデータ信号を増幅することにより、駆動信号を生成する増幅器１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】信号電極を含む変調電極の回路配置を簡素化すると共に、駆動電圧の低減化を実現可能なネスト型変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する材料からなる基板２０と、基板上に形成された光導波路と、光導波路を導波する光波を変調する変調電極とを含み、光導波路が主マッハツェンダ型導波路１と２つの分岐導波路に設けられた副マッハツェンダ型導波路２，３を有し、変調電極は副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路に対し設けられているネスト型変調器において、各副マッハツェンダ型導波路の同じ側の副分岐導波路の一部に分極反転領域４６，４７を形成し、変調電極が、信号電極と接地電極とから形成され、各副マッハツェンダ型導波路に対し、単一の導入信号電極４０，４３から分岐する信号電極４１，４４を２つの副分岐導波路に作用するよう配置すると共に、分岐した信号電極を合流して導出する。 （もっと読む）

【課題】外部要因の変動によらず、光出力波形を維持することである。
【解決手段】光送信機は、ＥＡ変調器と、フォトカレント検出回路と、変調器駆動回路と、ＣＰＵとを有する。ＥＡ変調器は、入力された信号を光信号に変換して出力する。フォトカレント検出回路は、ＥＡ変調器における光吸収電流（フォトカレント）を検出する。変調器駆動回路は、ＥＡ変調器を制御する。ＣＰＵは、フォトカレント検出回路により検出された上記光吸収電流に基づき、変調器駆動回路に印加する電圧を算出する。 （もっと読む）

【課題】チャネル識別のための送信側での変調や合成のための構成や受信側での復調や分離のための構成を無くして、より確実なチャネル多重通信を行なうこと。
【解決手段】光送信器が、波長を変更可能な連続光を発光する第１光源と、割り当てられた送信チャネルに特有の第１変更周波数で、第１光源が発光する光の波長を変更する第１波長変更部と、を備え、光送信器からの光信号を受信する光受信器が、受信した光信号に基づいて、第１光源が発光した光の波長を基準とした波長の変更から第２変更周波数を検出する周波数検出部と、検出した第２変更周波数が、割り当てられた送信チャネルに特有の前記第１変更周波数に合致する場合、所望の受信チャネルから光信号を受信したと確認するチャネル識別部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路構成の簡素化およびサイズ削減を実現する。
【解決手段】基板上に形成されて、入力光信号をＮ個（Ｎは２以上の整数）の光信号に分岐して出力する光スプリッタと、光スプリッタから出力された光信号ごとに基板上に形成されて、光の波長により位相変化量が異なる位相変調特性に基づいて、当該光信号の位相を調整して出力するＮ個の光位相変調器とを備える。 （もっと読む）

【課題】入力された光信号の光入力パワーを効率よく利用して、ミリ波・テラヘルツ波の電磁波を発生させることを可能とする。
【解決手段】１つの基板上に、３ｄＢカプラ１３、位相シフタ１６、フォトダイオード１７，１８、および高周波線路１９を形成し、３ｄＢカプラ１３により、周波数の異なる２つの入力光信号Ｓ１１，Ｓ１２を合波して得られた光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５の位相が同相となるよう、光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５のうちの一方、例えば光ビート信号Ｓ１４の位相を位相シフタ１６により調整し、得られた光ビート信号Ｓ１６と光ビート信号Ｓ１４とをそれぞれ、フォトダイオード１７，１８でＯＥ変換し、得られた電気信号Ｓ１７，Ｓ１８を高周波線路１９で電力合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】光信号の歪の発生を低減しつつ、機器の小型化及び低コスト化を実現すること。
【解決手段】この光送信器１は、発光素子３からの出力光を、データ変調信号を基にＢＰＳＫ変調させるＭＺ型光変調器５と、ＭＺ型光変調器５に対してデータ変調信号を印加する増幅器７と、ＭＺ型光変調器５に印加されるデータ変調信号に直流バイアス電圧を重畳するオートバイアスコントロール回路１１と、増幅器７によって印加される変調信号のクロスポイント変動を検出し、クロスポイント変動を基に直流バイアス電圧を制御するクロスポイント変動検出回路１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表面プラズモン・ポラリトン（ＳＰＰ：ｓｕｒｆａｃｅ ｐｌａｓｍｏｎ ｐｏｌａｒｉｔｏｎ）の噴流を変調するための装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 装置は、金属性表面を有する基板と、構造物と、金属性上部表面に対向する誘電物体とを含む。構造物は、金属性表面上を伝播する表面プラズモン・ポラリトンを光学的に生成するように構成される。誘電物体は、金属性表面に沿った、及びその近くの異なる位置のアレイにおいて誘電率の値を調節するように制御可能である。 （もっと読む）

【課題】高スループットで高品質のレーザ加工をすることができて装置の小型化が可能であるレーザ加工装置等を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１は、レーザ光源１０、位相変調型の空間光変調器２０、駆動部２１、制御部２２、結像光学系３０を備える。結像光学系３０はテレセントリック光学系を含む。駆動部２１に含まれる記憶部２１Ａは、複数の基本加工パターンそれぞれに対応する複数の基本ホログラムを記憶するとともに、フレネルレンズパターンに相当する集光用ホログラムを記憶する。制御部２２は、記憶部２１Ａにより記憶された複数の基本ホログラムのうちから選択した２以上の基本ホログラムを並列配置し、その並列配置した各基本ホログラムに集光用ホログラムを重畳して全体ホログラムを構成し、その構成した全体ホログラムを空間光変調器２０に呈示させる。 （もっと読む）