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Fターム[2H092GA29]の内容

Fターム[2H092GA29]に分類される特許

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【課題】 表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】光の利用効率に優れると共に、容易に製造可能な液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターを提供すること。
【解決手段】対向配置され、複数の画素領域が設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち第一基板において複数の前記画素領域のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記一対の基板のうち前記第一基板において前記スイッチング素子よりも前記液晶層側に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第一光屈折部と、前記一対の基板のうち前記第一基板とは異なる第二基板に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第二光屈折部とを備え、前記第一光屈折部及び前記第二光屈折部のうち、一方は曲面状に形成されており、他方は平面視で前記画素領域の中央部へ向けて傾斜する複数の平面によって形成されている。 (もっと読む)


【課題】画素の高開口率化に有効であって剥離を生じ難い絶縁膜を有するアレイ基板と、このアレイ基板の製造方法を提供する。また、輝度が高く、高い信頼性を備えた液晶表示素子を提供する。
【解決手段】カルボキシル基を有する構成単位と重合性基を有する構成単位とを含む重合体と、キノンアジド化合物あるいは重合性化合物および重合開始剤と、熱酸発生剤と、硬化促進剤である式(1)または式(2)の化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物を用い、スイッチング能動素子8の形成された基板4上に絶縁膜12を形成し、アレイ基板1を製造する。アレイ基板1を用い液晶表示素子を構成する。
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【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】VA(Vertical Alignment)モードの液晶装置100においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第1基板10側の配向膜16には、画素電極9aの端部に平面視で重なる部分に、配向膜16の膜厚を他の領域より薄くする凹部16aが設けられている。凹部16aが設けられている部分では、液晶層50に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子50bの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層50での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極や走査線(ゲート線)及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第1の絶縁膜を介して設けられた第1の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にゲート電極と第2の配線134を形成する。第1及び第2の配線は、第1及び第2の絶縁膜を介して交差する。第2の配線134の上層には、層間絶縁膜として第3の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第1の配線及び第2の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 (もっと読む)


【課題】視野角の広い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層と、複数の画素PXと、を備える。複数の画素PXは、1つ又は複数の主画素電極PAと、複数の主共通電極CAと、を有している。各画素PXは、第1方向Xに沿った主画素電極PA及び主共通電極CA間の隙間が互いに異なる複数の領域R3、R4を有している。 (もっと読む)


【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100においては、並列に電気的に接続された第1保持容量70aと第2保持容量70bとによって保持容量70が形成され、かつ、第1保持容量70aと第2保持容量70bとは積層された構造になっている。また、素子基板10の端部と画像表示領域との間には、第1保持容量70aと同一の層構造を備えた検査用第1容量と、第2保持容量70bと同一の層構造を備えた検査用第2容量が形成されているとともに、検査用第1容量に電気的に接続する第1容量検査用端子対と、検査用第2容量に電気的に接続する第2容量検査用端子対とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】 製造工程を単純化して第1の金属膜上に第2の金属層が積層された積層構造を有する領域および第1の金属膜のみで形成されている領域からなるゲート配線を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置の製造方法であって、第1の金属膜3b上に第2の金属膜3cが積層された積層構造を有する領域および第1の金属膜3bのみで形成されている領域からなるゲート配線3を、多階調マスクを用いて、感光性樹脂膜12を、積層構造となる領域では膜厚の厚い厚膜部12aになり、ゲート電極3aの少なくとも半導体層5と重なっている領域では厚膜部12aよりも膜厚の薄い薄膜部12bになるようにそれぞれ複数のゲート配線3のパターンにするとともに、隣接するゲート配線3のパターン間の領域では第2の金属膜3cが露出するようにパターニングする工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】画素電極に光反射防止構造が採用され、明るい表示が可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、第1基板としての素子基板10と、第2基板としての対向基板20と、素子基板10と対向基板20とにより挟持された液晶層50と、画素電極層15と、画素電極層15に対応したトランジスター30と、トランジスター30と画素電極層15との間に設けられ、コンタクトホールCNT2が形成された層間絶縁膜12とを備え、画素電極層15は、第2層間絶縁膜12側から順に形成された、導電性の第1透光性層15aと、第1透光性層15aよりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性層15bと、第2透光性層15bよりも屈折率が大きく導電性の第3透光性層15cとを含み、コンタクトホールCNT2内において第1透光性層15aと第3透光性層15cとが電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 (もっと読む)


【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板60に形成された薄膜トランジスタ200であって、周面の一部又は全部が導電性材料20により覆われたワイヤー10と、前記導電性材料を覆う絶縁膜30と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体40と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部50を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第1及び第2の電極70、80が接続されて形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アライメント精度良く半導体層を形成し、かつ、プロセス数を増やすことなくトランジスタの素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ50は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、基板1とゲート電極2とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層4と、ゲート絶縁体層4上に形成された半導体層5と、半導体層5上に形成された保護層6と、ゲート絶縁体層4と半導体層5と保護層6とにわたって、これらの上に形成された、ソース電極7及びドレイン電極8と、を有し、半導体層5における、ソース電極7とドレイン電極8との間のチャネル部を流れる電流の方向の一端5aは、ソース電極7の一端7aと一致し、半導体層5における他端5bは、ドレイン電極8の一端8aと一致している。 (もっと読む)


【課題】 光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するTFTを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。
【解決手段】 TFT100は、絶縁基板107としてのガラス基板上に形成された遮光膜113と、遮光膜113上に形成された絶縁膜112と、絶縁膜112上に形成された半導体膜111と、半導体膜111上に形成されたゲート絶縁膜104とを基本的に有する。遮光膜113、絶縁膜112及び半導体膜111の三層から成る積層体100aは、各層が同時にパターニングされている。そして、積層体100aの各層がシリコン又はシリコンを含む材料から成る。 (もっと読む)


【課題】極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間では、第1保持容量80aが画素電極9aに導通状態となるので、第1電極81、第1誘電体層86(第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2)、第2誘電体層87(第2絶縁材料/シリコン窒化膜/SiN)、および第2電極82に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間では、第2保持容量80bが画素電極9aに導通状態となるので、第4電極84、第4誘電体層89(第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2)、第3誘電体層88(第2絶縁材料/シリコン窒化膜/SiN)、および第3電極83に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。 (もっと読む)


【課題】実質的な開口率をより一層向上できるMVAモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、画素毎にTFT214と該TFT214に電気的に接続された画素電極215とを有している。TFT214は、ゲートバスライン211及びデータバスライン212に接続されている。1つの画素は4つの領域に分割されており、画素電極215には各領域毎に異なる方向に延びる微細電極部215bが設けられている。また、微細電極部215bの基端側の微細電極部間の領域の形状が、微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状となっている。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置100は、TFT30と、TFT30に電気的に接続された容量素子16とを備え、容量素子16は、TFT30と第2層間絶縁層11cを介して形成された第1容量電極16aと、第1容量電極16aに第1誘電体層16bを介して対向配置され、TFT30の半導体層30aに第2層間絶縁層11cに形成されたコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続された第2容量電極16cとを有し、第2容量電極16cは、第1導電層16c1と第1導電層16c1上に積層された第2導電層16c2を有し、第1導電層16c1は、コンタクトホールCNT53と重なる領域が除去されてなり、第2導電層16c2と半導体層30aとがコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第1方向に沿って延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、第1ゲート配線と第2ゲート配線との間の略中間に位置した補助容量線と、第2方向に沿って延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、第1ゲート配線及び第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、補助容量線の上方に位置し前記スイッチング素子とコンタクトし第1方向に沿って延出したコンタクト部、コンタクト部の第1ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第1主画素電極、及び、コンタクト部の第2ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、第1主画素電極と第2主画素電極との間、第1ソース配線及び第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


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