【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤモジュール組立装置において、表示パネル基板の搭載部材にＡＣＦを貼り付ける際に、気泡の発生を抑制し、ＡＣＦの接着特性を改善する。
【解決手段】テープ上に形成された搭載部材を打ち抜いて、ＡＣＦにより表示パネル基板の周縁部に搭載して、ＦＰＤモジュールを製造するＦＰＤモジュール組立装置で、仮圧着工程において、上刃と下刃とで挟み込み、加熱・加圧することにより、搭載部材にＡＣＦを貼り付ける際に、上刃の搭載部材に接する面に、例えば、シリコンゴムなどの弾性体からなる保護材を、下刃のＡＣＦの下面に接する面に同じくシリコンゴムなどの弾性体からなる緩衝材を設ける。上刃の保護材、下刃の緩衝材は、例えば、それぞれにはめ込まれたＴ型パッドとして形成する。 （もっと読む）

【課題】 １つの表示領域を２つの領域に分割し、当該２つの領域に並行して映像や画像を表示する液晶表示装置におけるドライバ回路の発熱を抑え、かつ、画質の低下を防ぐ。
【解決手段】 液晶表示パネルの１つの表示領域は、走査信号線の延在方向と一致する境界線により第１の表示領域と第２の表示領域に分割されており、前記第１の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線と、前記第２の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線とは、電気的に絶縁されており、前記第１の表示領域および前記第２の表示領域のそれぞれの表示領域において、前記映像信号線の延在方向に沿って並んだ複数個の画素の列には、それぞれ、２本の隣接する映像信号線のうちの一方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素と、前記２本の隣接する映像信号線のうちの他方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素とが、交互に並んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】支え部材によってＰＣＢ及び搭載部材を傷つけないようにすることができるＰＣＢ接続装置及びＦＰＤモジュール組立装置を提供する。
【解決手段】ＰＣＢ接続装置７０は、基板保持部９４と、本圧着部７６と、ＰＣＢ支持部９５とを備える。基板保持部９４は表示基板１０１を保持し、本圧着部７６は基板保持部９４に保持された表示基板１０１に搭載されている搭載部材１０２にＰＣＢ１０３を接続する。ＰＣＢ支持部９５は、基板保持部９４に設けられており、搭載部材１０２に接続されたＰＣＢ１０３を支える支え部材９７と、支え部材を移動させる移動機構９８とを有する。そして、移動機構９８は、支え部材９７がＰＣＢ１０３の下面に当接する支持位置と、支持位置の下方に設けられた待機位置との間で支え部材９７を移動させる。 （もっと読む）

【課題】搭載部材の位置に合わせてＡＣＦを移動させ、搭載部材に正確にＡＣＦを貼り付けることを提供する。
【解決手段】ＡＣＦ貼付装置は、撮像部２１６と、位置検出部と、制御部２２３と、ＡＣＦを切断する切断部と、ＡＣＦ貼付部２３９と、を備える。位置検出部は、撮像部２１６により撮像された搭載部材７の端部の画像とアライメントマークの画像から、搭載部材７の端部の位置とアライメントマークの位置を検出する。制御部２２３は、検出されたアライメントマークの位置と搭載部材７の端部の位置から搭載部材７に対するＡＣＦの貼り付け位置を算出する。ＡＣＦ貼付部２３９は、制御部２２３が算出したＡＣＦの貼り付け位置に合わせて、切断部により切断されたＡＣＦを搭載部材７に貼付する。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜を有するTFTアレイ基板の製造工程において、ブラシ洗浄の際に異物が有機平坦化膜表面にキズを生じさせることがある。このようにキズが生じた有機平坦化膜上に、画素電極となる透明電極膜を成膜した場合、キズ上の透明電極膜も断線してしまい、画素電極に信号が伝わらず表示不良を引き起こすことがある。
【解決手段】 有機平坦化膜を塗布する工程と、中間調露光を用いて有機平坦化膜に凹凸を形成する工程と、凹凸が形成された有機平坦化膜表面をロールブラシを用いて洗浄する工程と、洗浄工程後に、有機平坦化膜上に画素電極を構成する透明導電膜を成膜する工程とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】ＡＣＦを貼付した際に生じる気泡によって位置決め用のマークを検出する時に不具合が生じることを防ぐ。
【解決手段】ＦＰＤモジュール組立装置１０は、ＡＣＦ１１０を貼付したＴＡＢ１０２に光Ｌを照射する光源１３１と、ＴＡＢ１０２を透過した光Ｌを撮像する撮像部１３３と、光源１３１から出射した光Ｌを拡散させる拡散機構１３２と、を備える。そして、拡散機構１３２による光の拡散率は、１０％以上に設定される。 （もっと読む）

【課題】表示動作に必要な構成を利用して製造情報を書き込むことができ、アクティブマトリクス基板のセットへの組み込み工程後であっても、既に書き込まれた製造情報を容易に読み込むことが可能なアクティブマトリクス基板を提案する。
【解決手段】表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板１は、データ信号を書き込む画素２０Ａを選択するための複数のゲート配線２１と、複数のゲート配線２１のそれぞれに接続された複数のゲート端子Ｇ１〜Ｇｍと、一端がゲート端子Ｇ３と接続された切断可能体１０１を有し、切断可能体１０１の両端間が導通状態であるか切断状態であるかを１ビットの情報として記憶するＲＯＭ回路１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）