【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】画像表示動作中にも画素領域のイオン性不純物を周辺領域に排出することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質を挟持して対向する第１基板及び第２基板と、複数の画素を有する画素領域とを備え、各々の画素に対応して設けられた画素電極と、複数の画素電極に対向する共通電極とを有し、画素電極に交流電圧が印加される電気光学装置であって、画素領域のうちの一部の画素では第１の電位を中心電位とする交流電圧が画素電極に印加され、他の一部の画素では第１の電位と異なる第２の電位を中心電位とする交流電圧が画素電極に印加されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像表示領域の端部と素子基板の端部との間で光硬化性のシール材に沿って配線を延在させた場合でも、シール材を確実に光硬化させることができるとともに、画像表示領域の外側でシール材および配線が占有する領域の幅寸法を縮小することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた第１配線１１および第２配線１６のうち、配線幅寸法が広い第２配線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、配線幅寸法が狭い第１配線１１は、シール材８０と重なる領域に設けられているが、シール材８０と重なる領域における第１配線１１の配線密度は、４０％から６０％である。 （もっと読む）

【課題】素子基板の端部と画像表示領域の端部とに挟まれた領域に電源線およびシール材を設けた場合でも、電源線の配線抵抗を大きく増大させることなく、シール材を確実に光硬化させることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた信号線１１および電源線１６のうち、配線幅寸法が広い電源線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、電源線１６のシール材８０との交差部分１７ｃ、１８ｃには、透光用の開口部１７ａ、１８ａが設けられている。開口部１７ａ、１８ａは、電源線１６の延在方向に延在するスリット状であり、開口部１７ａ、１８ａの長さ寸法は、シール材８０の幅寸法より小である。 （もっと読む）

【課題】データ線の配線構造に起因する寄生容量によって生ずるスジ状の系列的な表示ムラが改善された電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、画像信号が供給される画像信号線１１１と、データ線６ａと、データ線６ａと画像信号線１１１との間に電気的に接続され、画像信号をデータ線６ａに供給する第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１と、を備え、Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極とデータ線６ａとが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量が異なる少なくとも２種のＳ−ＴＦＴ７１を備えた。これにより、ゲート電極とデータ線６ａとの間に寄生容量が生じ、オーバーラップ量を異ならせることで、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量を調整することができ、スジ状の系列的な表示ムラを改善できる。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１信号配線Ｇと、第１信号配線Ｇと交差する方向Ｙに延びるとともに第１信号配線Ｇと交差する位置において第１信号線Ｇが延びる方向Ｘにおける幅が広くなった幅広部ＳＡを備えた第２信号配線Ｓと、第２信号配線Ｓの間において第１信号配線Ｇと交差する方向に延びた主画素電極ＰＡと、主画素電極ＰＡと電気的に接続された副画素電極ＰＢと、を含む画素電極ＰＥと、を備えた第１基板ＡＲと、画素電極ＰＥの両側に配置された共通電極ＣＥを備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備え、第１信号配線Ｇの全体が幅広部ＳＡと副画素電極ＰＢとの少なくとも一方と重なっている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率に優れた素子基板を容易に製造可能な電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】平面視で少なくとも画素電極と重なる領域であって、画素電極側から、第二遮光層、第二絶縁層、第一絶縁層および第一遮光層を貫通する凹部を形成すると共に、凹部の底部を曲面状に形成することとしたので、当該凹部の底部をマイクロレンズとして用いることができる。また、凹部形成工程を、スイッチング素子の半導体層を形成した後に行うこととしたので、スイッチング素子の半導体層を形成する環境に影響されること無く容易に凹部（マイクロレンズ）を形成することができる。これにより、光の利用効率に優れた素子基板を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】単極性のＴＦＴを用いて構成するデジタル型式の表示装置において、消費電流を低減することの出来る回路を提供する。
【解決手段】デジタル映像信号の保持を行うラッチ回路であって、ＴＦＴ１０１の入力電極にデジタル映像信号が入力されると、ＴＦＴ１０１の出力電極からは非反転出力信号が出力され、ＴＦＴ１０２およびＴＦＴ１０３の出力電極からは反転出力信号が出力されるラッチ回路を提供する。出力を非反転、反転の２系統得られるため、後段のバッファを駆動する際に、電源間の直流パスが生ずる期間を短くすることが出来、消費電流の低減に寄与する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、表示画像の縁付近における光漏れを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、複数の画素電極９ａと、複数の画素電極が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜４３を介して互いに異なる層に配置されると共に互いに重なる部分を夫々有する複数の遮光膜６０ｂ、４００ｂとを備える。更に、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、他の遮光膜と重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、一の遮光膜に比べて入射される入射光に対する反射率が低い低反射膜６０ａ、４００ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを含むアクティブエリアＡＣＴと、アクティブエリアＡＣＴの周囲に配置された内蔵回路ＧＤＲ、ＧＤＬ、ＣＬＫ、ＣＳＷを有する第１基板ＡＲと、第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと、第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備え、内蔵回路の動作に用いられない電圧が印加され、内蔵回路と対向して配置されたシールド層１００を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性の安定した半導体装置を提供する。とくに、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して形成されたソース電極、及びドレイン電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、少なくとも酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された酸素放出型の酸化膜と、により構成され、酸素放出型の酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも３０秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】液晶層中の不純物の偏在に起因する表示不具合が改善された液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、基板としての素子基板１０上にトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と、画素電極１５をＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおける第２ソース・ドレイン領域３０ｄに電気的に接続させる柱状のコンタクト部ＣＮＴ４とを有し、コンタクト部ＣＮＴ４は、画素電極１５の液晶層側の表面において突出部１５ａを形成している。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１方向に延出した第１ゲート配線Ｇ１及び第２ゲート配線Ｇ２と、第２方向に延出した第１ソース配線Ｓ１及び第２ソース配線Ｓ２と、第１ゲート配線及び第２ゲート配線と第１ソース配線及び第２ソース配線とで囲まれた内側に位置する画素電極ＰＥであって第１ゲート配線及び第１ソース配線と接続されたスイッチング素子とコンタクトするコンタクト部、コンタクト部から第１方向に延出した２本以上の主画素電極ＰＡ、及び、第２方向に延出し主画素電極を接続する接続部を備えた画素電極とを備えた第１基板と、第１ゲート配線と第２ゲート配線の上方、及び主画素電極間に位置し第１方向に延出した主共通電極ＣＡと、第１ソース配線と第２ソース配線の上方に位置し第２方向に延出した副共通電極ＣＢとを備えた共通電極を備えた第２基板とを備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１方向に沿って延出したゲート配線と、第１方向に交差する第２方向に沿って延出したソース配線と、第１方向に沿った長さが第２方向に沿った長さよりも長い画素に配置され第１方向に沿って延出した主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第１基板と、前記主画素電極を挟んだ両側で第１方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）