【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物に起因する表示不具合が改善された液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極１５が配列する画素領域Ｅが設けられた第１基板としての素子基板１０と、共通電位が印加される共通電極２３が設けられた第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わすシール材４０と、シール材４０で囲まれた領域内に保持された液晶層５０と、を備え、素子基板１０は、平面視で画素領域Ｅとシール材４０との間において、共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層としての定電位配線１２１ｓと、定電位配線１２１ｓと液晶層５０との間に設けられると共に、平面視で定電位配線１２１ｓの少なくとも一部と重なって設けられ、共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層としての周辺電極１４１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第１の配線と、信号線として機能することができる第２の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第１の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第１基板１０側の配向膜１６には、画素電極９ａの端部に平面視で重なる部分に、配向膜１６の膜厚を他の領域より薄くする凹部１６ａが設けられている。凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層５０での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ８８１は、リーク電流が小さいため、画素８８０内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素８８０の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極や走査線（ゲート線）及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極と第２の配線134を形成する。第１及び第２の配線は、第１及び第２の絶縁膜を介して交差する。第２の配線134の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第１の配線及び第２の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１方向に沿って延出した第１補助容量線及び第２補助容量線と、第１補助容量線と第２補助容量線との間に位置し第１方向に沿って延出したゲート配線と、第２方向に沿って延出したソース配線と、半導体層と、ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、半導体層にコンタクトしソース配線と電気的に接続されたソース電極と、半導体層にコンタクトした第１電極部、第１電極部に繋がり第１補助容量線と対向し第１方向に沿って延出した第２電極部、及び、第１電極部に繋がり第２補助容量線と対向し第１方向に沿って延出した第３電極部を備えたドレイン電極と、を備えた第１基板と、第２電極部を挟んだ両側及び第３電極部を挟んだ両側にそれぞれ位置し第１方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】静電破壊が起こりにくく、しかも、静電破壊が起こったときにショートが起こりにくい静電保護回路を有する電気光学装置およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、絶縁基板上に、複数の画素を有する画素領域と、画素領域の周縁に形成されたフレーム領域とを備えている。フレーム領域は、画素を駆動する駆動回路と、制御信号線と、共通電位と同一電位の共通電位電極と、駆動回路を保護する静電保護回路とを有している。静電保護回路は、制御信号線と共通電位電極との間に互いに直列に接続されるとともに、薄膜トランジスタで構成された複数のダイオードを有している。本技術の表示装置は、上記の電気光学装置を表示パネルとして備えている。 （もっと読む）

【課題】高動作マージン・高信頼性・狭額縁・小型・低コストの駆動回路一体型アクティブマトリクス型の表示装置を提供する。
【解決手段】図１４［２］を参照すると、ゲート線駆動回路１２と対向電極２１とが対面していないことがわかる。このことから、対向電極２１とシール材１１とが重なっている領域における電気的な影響は、少なくともゲート線駆動回路１２には及ばない。これが本発明の特徴である。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Ｇ２と、ゲート配線Ｇ２と交差するように延びたソース配線Ｓ１と、ソース配線Ｓ１と略平行に延びた主画素電極ＰＡを備えた画素電極ＰＥと、ゲート配線Ｇ２とソース配線Ｓ１とが交差した位置に配置されたスイッチング素子ＳＷと、を備えた第１基板ＡＲと、主画素電極ＰＡを挟んだ両側で主画素電極ＰＡと略平行に延びた共通電極ＣＥを有する第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、スイッチング素子ＳＷは、前記画素電極と電気的に接続され前記ゲート線と重なるように配置されたドレイン配線ＥＤを含む、液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】画像表示動作中にも画素領域のイオン性不純物を周辺領域に排出することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質を挟持して対向する第１基板及び第２基板と、複数の画素を有する画素領域とを備え、各々の画素に対応して設けられた画素電極と、複数の画素電極に対向する共通電極とを有し、画素電極に交流電圧が印加される電気光学装置であって、画素領域のうちの一部の画素では第１の電位を中心電位とする交流電圧が画素電極に印加され、他の一部の画素では第１の電位と異なる第２の電位を中心電位とする交流電圧が画素電極に印加されることを特徴とする。 （もっと読む）