【課題】画素部に形成される画素電極や走査線（ゲート線）及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極と第２の配線134を形成する。第１及び第２の配線は、第１及び第２の絶縁膜を介して交差する。第２の配線134の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第１の配線及び第２の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の端部と画像表示領域の端部とに挟まれた領域に電源線およびシール材を設けた場合でも、電源線の配線抵抗を大きく増大させることなく、シール材を確実に光硬化させることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた信号線１１および電源線１６のうち、配線幅寸法が広い電源線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、電源線１６のシール材８０との交差部分１７ｃ、１８ｃには、透光用の開口部１７ａ、１８ａが設けられている。開口部１７ａ、１８ａは、電源線１６の延在方向に延在するスリット状であり、開口部１７ａ、１８ａの長さ寸法は、シール材８０の幅寸法より小である。 （もっと読む）

【課題】高い動作信頼性を有する表示素子を提供する。
【解決手段】この液晶表示素子は、透明基板と、その一方の面に形成された透明電極とを有する透明電極基板と、液晶層と、液晶層を挟んで透明電極と対向する領域に位置する複数の画素電極、およびそれ以外の領域に位置する第１の導電膜を含む第１の層と、第１の導電膜と重複する領域に位置する第２の導電膜を含む第２の層とを順に有する画素電極基板とを備える。ここで、第１および第２の導電膜の少なくとも一方が電気的に孤立している。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】光の干渉による色ムラや表示ムラが低減され、明るい表示品質が得られる液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置は、素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された透光性の対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、素子基板１０の液晶層５０側に形成された光反射性の複数の画素電極１５と、対向基板２０の液晶層５０側に形成された導電性の第１透光性膜２２ａと、第１透光性膜２２ａの液晶層５０側に形成され、第１透光性膜２２ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性膜２２ｂと、第２透光性膜２２ｂの液晶層５０側に形成され、第２透光性膜２２ｂよりも屈折率が大きい導電性の第３透光性膜２２ｃと、を備え、複数の画素電極１５を有する画素領域における液晶層５０の厚みｄが、所定の値ｄ₀に対して±１０％以内となっている。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置と同等の反射表示性能を保ったまま、透過表示を実現可能な半透過型表示装置、半透過型表示装置の駆動方法、及び、当該半透過型表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】画素毎に設けられた反射電極を有する半透過型表示装置において、反射電極を用いて反射表示を行うとともに、反射電極の画素間の空間を用いて当該空間を透して透過表示を行うことで、反射型液晶表示装置と同等の反射表示性能を保ったまま、透過表示を実現できるようにする。 （もっと読む）

【課題】反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、透光膜の膜厚の測定結果に基づいて、透光膜の表面側からの研磨量やエッチング量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。この状態で、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに光を照射し、膜厚を測定する。 （もっと読む）

【課題】プロセスステップを減らし、製造コストを下げることの可能な表示パネルならびにそれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】サブピクセル１１ごとに液晶素子１４およびトランジスタ１５が設けられている。トランジスタ１５は、基板４１上に、ゲート電極４２、ゲート絶縁膜４３、チャネル層４４、ソース電極４５およびドレイン電極４６を含んで構成されている。ドレイン電極４６は、画素電極１６と同一面内に形成されており、さらに画素電極１６と接続されている。画素電極１６は反射電極としての役割も有している。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２０及び第２基板３０、第１電極２０Ｂ、第１電極２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、第１配向膜２２、第２電極３０Ｂ、第２電極３０Ｂに設けられた第２配向規制部３１、第２配向膜３２、液晶分子４１を含む液晶層４０を有する画素が、複数、配列されて成り、液晶層４０は、更に、重合した高分子化合物を含み、液晶分子４１Ａ，４１Ｂには、配向膜２２，３２と接する重合した高分子化合物によってプレチルトが付与されている。 （もっと読む）

【課題】画像形成層上に、容易且つ迅速にパターン形成できる方法で導体パターンを形成するディスプレイ・デバイスを提供する。
【解決手段】ディスプレイ・デバイス１０は、基板１５と、基板上に形成した第１の透明導電性層２０と、第１の透明導電性層上のコレステリック液晶光変調層３０と、コレステリック液晶光変調層上に形成した第２の導電性層４０とを含んでなるディスプレイ・デバイスであって、前記第２の導電性層４０が銀をベースにするＵＶ硬化性の導電性層である。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、反射電極と透明電極とを構成する場合、２つの
レジストマスクを用いるため、コストが高い。
【解決手段】画素電極となる透明電極と反射電極を積層させる。反射電極上に半透部を有
する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジ
ストパターンを形成する。レジストパターンを用いて反射電極と透明電極とを形成する。
以上により、１つのレジストマスクを用いて、反射電極と透明電極を形成することが可能
となる。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置であって、室外においても鮮明な表示を可能とする携帯電子機器用モニターを提供することを課題とする。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置において、反射電極を設ける。反射電極を設けることにより、室外において、効率よく自然光を反射することができ、鮮明な表示を提供することができる。さらに反射電極に凹凸を設けると、反射率を高めることができる。このような室外においても鮮明な表示を可能とする横電界方式の液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ショート欠陥部の破片の発生を抑えつつ、かつ確実に配線のショートを解消すること。
【解決手段】薄膜トランジスタを内蔵するＴＦＴパネルと、前記ＴＦＴパネルの表面上にマトリクス状に配置され、かつ画素電極を含む画素と、を有するディスプレイパネルの製造方法であって、前記ＴＦＴパネルを準備する工程と、前記ＴＦＴパネルの表面に画素電極をパターニングする工程と、前記画素電極のショート欠陥部を検出する工程と、前記ショート欠陥部に電圧を印加し、前記ショート欠陥部を溶断する工程と、を有する、ディスプレイパネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の間を通過する入射光の光量低減が要望されている。
【解決手段】 半導体基板に、複数のスイッチング素子が形成されている。半導体基板の上に、スイッチング素子に対応して配置され、対応するスイッチング素子に接続された反射電極が形成されている。反射電極の上面及び端面を覆い、反射電極の間の領域において、反射電極の底面と同じか、該底面よりも低い位置に上面が配置されているカバー絶縁膜が形成されている。反射電極の間のカバー絶縁膜の上に、遮光膜が形成されている。遮光膜の上面が、反射電極の上面よりも高い位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 （もっと読む）

【課題】コントラスト比と広視野角を同時に確保することができ、液晶分子の応答速度を速くすることができるだけでなく、優れた表示特性を示す液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる液晶表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１および第２基板の間に介在しており、液晶分子を含む液晶層と、第１基板の上に配置されており、互いに分離されている第１画素電極および第２画素電極とを含み、第１画素電極および第２画素電極の１つは、データ線を介して第１電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極の残りの１つは、電圧伝達線を介して第２電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極は、幹部と、幹部から延びた複数の枝電極とを含み、第１画素電極の枝電極と第２画素電極の枝電極は交互に配置されており、第１画素電極および第２画素電極の幹部は、電圧伝達線と少なくとも一部重畳する。 （もっと読む）

【課題】同じ輝度であればより低消費電力な、或いは、同じ消費電力であればより高輝度な液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板４０と、ＴＦＴ基板４０に対向する対向基板５０との間に液晶層６０を挟持し、ＴＦＴ基板４０に画素電極ＭＩＴと共通電極ＣＴとが絶縁層ＬＩを介して積層され、画素電極ＭＩＴと共通電極ＣＴのうち、液晶層６０から離れた電極は平面状に形成され、液晶層６０に近い電極は、複数のスリットＳＬを形成され、複数のスリットＳＬの端部が閉じている液晶表示パネル１０と、液晶表示パネル１０の光源となる照明手段２０と、を有する液晶表示装置１において、液晶表示パネル１０は、平面視でスリットＳＬの長手方向の端部、及びその近傍や、スリットＳＬの内側領域と一部が重なる照明装置２０側の面に形成された光を反射する反射手段１００を有してなる。 （もっと読む）

【課題】液晶シャッタが閉まっているときの光漏れが低減された液晶シャッタ眼鏡を提供する。
【解決手段】ブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持する第１の基板及び第２の基板と、第１の基板と液晶層との間に設けられた櫛歯状の第１の電極及び櫛歯状の第１の共通電極と、第２の基板と液晶層との間に設けられた櫛歯状の第２の電極及び櫛歯状の第２の共通電極と、を有し、第１の電極は、第２の電極と重畳し、第１の共通電極は、第２の共通電極と重畳し、第１の電極は、第２の電極と接続する液晶シャッタ眼鏡を提供する。 （もっと読む）

【課題】２つの配向状態間の遷移を利用する新規な反射型液晶素子を提供する。
【解決手段】液晶素子は、配向処理が施された第１基板５１及び第２基板５４と液晶層６０と少なくとも第１基板５１の外側に配置された偏光手段６１と第２基板５４の一面側又は第２基板５４の外側のいずれかに配置された反射板６５と偏光手段６１と第１基板５１の間又は第２基板５４と反射板６５の間のいずれかに配置された光拡散手段６４と液晶層に電圧を印加するための電圧印加手段を備える。第１基板５１と第２基板５４は、液晶層６０の液晶分子を第１方向へ捻れさせるように配向処理の方向を配置されており、液晶層６０は、液晶分子を第１方向とは逆の第２方向に捻れさせる性質のカイラル材を含有する。電圧印加手段は、第１基板５１に設けられた第１電極５２、第２基板５４に設けられた第２電極５５及び第２電極５５に絶縁層５６を介して形成される櫛歯状の第３電極５８を有する。 （もっと読む）