【課題】光の利用効率に優れると共に、容易に製造可能な液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターを提供すること。
【解決手段】対向配置され、複数の画素領域が設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち第一基板において複数の前記画素領域のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記一対の基板のうち前記第一基板において前記スイッチング素子よりも前記液晶層側に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第一光屈折部と、前記一対の基板のうち前記第一基板とは異なる第二基板に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第二光屈折部とを備え、前記第一光屈折部及び前記第二光屈折部のうち、一方は曲面状に形成されており、他方は平面視で前記画素領域の中央部へ向けて傾斜する複数の平面によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、画素の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置１は、信号電極228はＸ方向と交差するＹ方向に沿って延在
して設けられており、ドレイン配線Ｄと補助容量線222とは、信号電極229の形成領域内で、互いに重なるようにＹ方向での信号電極228の一端から他端にかけて延在していること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１配向膜と対向する第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板の前記第１配向膜と前記第２基板の前記第２配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】配線密度を高くしすぎることなく断線を修復することが可能であり、フレキシブル性を持たせる場合に短絡や断線などを抑えることが可能な薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電層と、前記第１導電層の少なくとも一部に対向して、前記第１導電層に合わせた平面形状の開口を有する絶縁膜と、前記開口を塞ぐと共に前記開口内で前記第１導電層に接するパッチ部を含む第２導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第１方向に延出した第１補助容量線及び第２補助容量線と、第１補助容量線と第２補助容量線との間に位置し第１方向にゲート配線と、画素の略中央でゲート配線の上方に位置する半導体層と、半導体層とコンタクトし第２方向にソース配線と、半導体層にコンタクトし第１補助容量線及び第２補助容量線の上方に延出したドレイン電極と、ドレイン電極と電気的に接続され第１補助容量線と対向し第１方向に延出した第１主画素電極及びドレイン電極と電気的に接続され第２補助容量線と対向し第１方向に延出した第２主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第１基板と、第１主画素電極を挟んだ両側及び第２主画素電極を挟んだ両側に位置し第１方向に延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域を最大化し、画素の透過率を向上させる、ＦＦＳ方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート配線とデータ配線１１３ａとの交差地点に形成された薄膜トランジスタＴと、薄膜トランジスタＴを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴを露出する開口部を備えた有機絶縁膜１１７の上部に形成された大面積の共通電極１２３ａと、開口部から薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃと、共通電極１２３ａ及び補助電極パターン１２３ｃを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃを露出するパッシベーション膜１２７の上部に形成され、露出した補助電極パターン１２３ｃを介して薄膜トランジスタＴに電気的に接続され、共通電極１２３ａとオーバーラップする複数の画素電極１３３ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】フロントウインドウを液晶パネルに接着した後に液晶パネルの周辺部に色ムラが発生することを抑制する。
【解決手段】液晶表示装置は、走査信号線、データ信号線、及び画素電極をそれぞれ含む複数のＴＦＴパターンを形成したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板と対向して配置されるカラーフィルタ基板と、カラーフィルタ基板においてＴＦＴ基板と対向する面に形成された、複数の柱状スペーサと、を備え、複数のＴＦＴパターンのうち少なくとも一部は、走査信号線の上又は画素電極の下に形成され、複数の柱状スペーサの１つを直接又は間接的に支持する台座を備え、ＴＦＴ基板の中央部分に形成されたＴＦＴパターンに備えられる台座が柱状スペーサを支持する面積が、ＴＦＴ基板の中央部分よりも外側に形成されたＴＦＴパターンに備えられる台座が柱状スペーサを支持する面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第１の配線と、信号線として機能することができる第２の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第１の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）