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液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 構造 (10,751)

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【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 (もっと読む)


【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。または、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラスチック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、及び電子機器を提供する。また、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板10及び対向基板20間に液晶層50を挟持してなり、スイッチング素子基板10の液晶層側に画素電極35と、画素電極35と接続されたスイッチング素子41とを有しており、スイッチング素子41が、固定電極と可動電極22との間に静電気力を作用させて可動電極22と画素電極35との接続状態をスイッチングする素子となっている。 (もっと読む)


【課題】光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、および電子機器を提供する。また本発明は、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板10および対向基板間に液晶層を挟持してなり、スイッチング素子基板TFTの液晶層側に画素電極35と、画素電極35と接続されたスイッチング素子41とを有しており、スイッチング素子41が、固定電極22と可動電極22との間に静電気力を作用させて可動電極22を基板の厚さ方向に揺動させ、可動電極22と画素電極35との接続状態をスイッチングする素子となっている。 (もっと読む)


【課題】TFT−LCDアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】TFT−LCDアレイ基板の製造方法であって、基板にゲート金属層薄膜を堆積し、ゲート電極とゲート・ラインとのパターンが含まれたパターンを形成するステップ1と、前記ステップ1を完成した基板にゲート絶縁層薄膜と、半導体層薄膜と、TFTチャネル部分の半導体層がエッチングされることを防止する阻止層薄膜とを堆積し、ゲート絶縁層と、半導体層と、阻止層とのパターンが含まれたパターンを形成するステップ2と、前記ステップ2を完成した基板にオーミック接触層薄膜と、透明導電層薄膜と、ソース・ドレイン金属層薄膜と、パッシベーション層薄膜とを堆積し、オーミック接触層と、画素電極と、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、パッシベーション層とのパターンが含まれたパターンを形成するステップ3と、を備える。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の表示品位の低下を抑制して、薄膜トランジスタの欠陥を修正する。
【解決手段】各画素毎にゲート電極が規定され、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線11aと、各画素のゲート電極に絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第1半導体層13aと、各画素毎に各ゲート線11aに絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第2半導体層13bと、各画素毎に第1半導体層13aを介してゲート電極の一方の端部に重なるようにソース電極14aaが規定され、各ゲート線11aと交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線14aと、各画素毎に第1半導体層13aを介してゲート電極の他方の端部に重なると共にソース電極14aaと対峙するようにドレイン電極14baが規定され、各画素電極にそれぞれ接続するように設けられた複数のドレイン線14bとを備えている。 (もっと読む)


【課題】連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化された半導体膜において、結晶異方性が存在したとしても、その結晶異方性によるトランジスタの特性差を抑制することができるとともに、実用上の設計およびプロセス制約を緩和することのできる表示装置用基板を提供する。
【解決手段】上記第1のトランジスタ5は、上記半導体膜5aにおける、結晶の長軸方向D2と、ソース領域からドレイン領域に向かう方向である半導体チャネル長方向D1とのなす角が、上記第2のトランジスタ6における上記なす角より大きく、上記第1のトランジスタ5に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Caは、上記第2のトランジスタ6に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Caより大きい。 (もっと読む)


【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜8の上面全体に保護膜9を形成し、その上に上層絶縁膜12を成膜する。次に、上層絶縁膜12および保護膜9にコンタクトホール10、11を形成する。この場合、チャネル長Lは2つのコンタクトホール10、11間の間隔により決定され、チャネル幅Wはコンタクトホール10、11の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜8にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Lおよびチャネル幅Wに寸法変化が生じることはない。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の基板上に形成される成膜構造を簡略化でき、且つチャネル部の絶
縁性及び耐湿性も確保することが可能で、安価に製造できる液晶表示装置及びその製造方
法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置1は、液晶30を挟持した一対の透明基板11、25
を有し、一方の透明基板11の液晶層側には、間に第1絶縁膜13を介して配置された走
査線12及び信号線16と、TFTと、コモン配線Comと、層間膜14と、層間膜の表
面に、コンタクトホールCHを介してTFTの電極(D)に接続された第1電極17と、
第2絶縁膜18と、複数のスリットを有する第2電極21と、を備え、層間膜はTFTの
電極(S、D)を直接被覆しており、第2絶縁膜は層間膜に形成された開口部OPを介し
てチャネル部CRを直接被覆しており、第2電極は表示領域の外周囲に配設されたコモン
配線に接続されている。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ表示版の製造方法を単純化し、カラーフィルタの形成を容易にする。
【解決手段】基板と、前記基板上に第1方向に延在するゲート線と、前記基板上に形成され前記ゲート線と絶縁されて交差し第2方向に延在するデータ線と、制御端子、入力端子及び出力端子を有し、前記ゲート線及び前記データ線にそれぞれ前記制御端子と前記入力端子が接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された複数のカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され前記複数のカラーフィルタを区画し、前記薄膜トランジスタの出力端子の少なくとも一部領域を取り囲む出力端子保護部を含む遮光部材と、前記遮光部材と前記カラーフィルタの上に形成され、前記出力端子の前記出力端子保護部で囲まれた部分と接触する画素電極を有する薄膜トランジスタ表示板を有して構成される。 (もっと読む)


【課題】省電力化を図りつつ、開口率をより向上させることができるアクティブマトリクス装置、スイッチング素子の製造方法、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置10は、基板50の一方の面側に設けられた複数の画素電極8と、各画素電極8に対応して設けられ、画素電極8に接続された固定電極3と、固定電極3に対向して設けられ、固定電極3側へ変位可能な可動電極5と、可動電極5に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極2とを備えるスイッチング素子1と、各可動電極5に接続された第1の配線11と、各駆動電極2に接続された第2の配線12とを有し、固定電極3、可動電極5および駆動電極2は、基板50の板面に沿った方向で互いに異なる位置に配置され、可動電極5は、基板50の板面に沿った方向で固定電極3側に変位するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリと画素TFTが同一基板上に併設されており、かつ高信頼性とされた液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、画素部と、これを駆動させる駆動回路と、不揮発性メモリと、を備えた電気光学装置である。画素部及び前記駆動回路の少なくとも一方におけるスイッチング素子は、不揮発性メモリとともに基板10A上に形成されている。スイッチング素子のゲート絶縁膜は、第1絶縁膜35と第2絶縁膜36と第3絶縁膜38との積層構造からなっており、不揮発性メモリは、第2絶縁膜36を介して半導体層33上に設けられたフローティングゲート電極37と、第3絶縁膜38を介してフローティングゲート電極37上に設けられたコントロールゲート電極39Aと、を有するメモリセル110aを備えている。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有し、且つ、信頼性および量産性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、互いに対向する第1および第2主面を有する可撓性基板12と、可撓性基板の第1主面上に形成された島状の第1無機絶縁膜13と、第1無機絶縁膜上に形成された島状の積層体であって、無機半導体材料からなる半導体層14と半導体層と接する絶縁層15とを含む積層体と、積層体を覆う第2無機絶縁膜16と、半導体層に電気的に接続されたソース電極34aおよびドレイン電極34bと、半導体層の少なくとも一部の導電性を制御するゲート電極18とを有し、半導体層の法線方向からみたとき、半導体層および半導体層と絶縁層との界面の外周は、第1無機絶縁膜および第2無機絶縁膜によって包囲されており、且つ、第2無機絶縁膜は少なくとも1つ方向において可撓性基板上に端を有していることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なTFT特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域4c、ドレイン領域4d及びチャネル領域4bを有する多結晶半導体層4aと、多結晶半導体層4aのソース領域4c及びドレイン領域4d上に形成された金属性導電層6と、多結晶半導体層4aと金属性導電層6との間に形成された合金層5とを有し、多結晶半導体層4aは、チャネル領域4bの膜厚が、金属性導電層6が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部4eを有し、凹部4eの深さXと、合金層5の膜厚Yと、金属性導電層6の膜厚tとが、次の関係を満たしている。
0.1t≦Y≦0.3t
0.3Y≦X≦2Y (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜に異物の侵入あるいは汚染を回避させた薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。スルーホールを通した電気的接続に信頼性を向上させた表示装置の提供。
【解決手段】基板に薄膜トランジスタが形成された表示装置であって、
前記薄膜トランジスタとして、前記基板上にゲート電極を被って形成されるシリコン窒化膜に選択的に形成されたシリコン酸化膜を備え、
少なくとも前記シリコン酸化膜の上面に形成された擬似単結晶層あるいは多結晶層を含む半導体層を備え、
該半導体層の上面にコンタクト層を介してドレイン電極およびソース電極が形成されて構成され、
前記擬似単結晶層あるいは多結晶層はアモルファスシリコン層の結晶化によって形成されているとともに、その周側壁面はその下層の前記シリコン酸化膜の周側壁面と段差を有することなく連続した構成からなるものを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、オフ電流を低下させることが可能な有機トランジスタ、該有機トランジスタを有する有機トランジスタアレイ及び該有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタ10aは、基板1、ゲート電極2、分離用電極3、ゲート絶縁膜4、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層7を有し、ゲート絶縁膜4を介して、分離用電極3と、有機半導体層7が積層されている領域を有し、分離用電極3に電源が接続されている。 (もっと読む)


【課題】バリアメタル層を省略しても優れたTFT特性を発揮し得、ソース−ドレイン電極をTFTの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層33と、ソース−ドレイン電極28,29とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極28,29は、酸素を含有する酸素含有層28a、29aと、純CuまたはCu合金の薄膜28b、29bとからなっている。酸素含有層を構成する酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層33のSiと結合している。また、純CuまたはCu合金の薄膜28b、29bは、酸素含有層28a、29aを介して薄膜トランジスタの半導体層33と接続している。 (もっと読む)


【課題】データ電圧の変動範囲を十分に大きく維持したまま、各データ線の電圧の変動範囲を縮小可能にすることで消費電力を低減可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による表示基板の各画素では、画素電極が一対の薄膜トランジスタを通じて一対のデータ線に接続されている。各薄膜トランジスタは、異なるゲート線からのゲートオン電圧によって別々にターンオンする。一対のデータ線の一方は正極性のデータ電圧を伝達し、他方は負極性のデータ電圧を伝達する。すなわち、各データ線は、極性が正負のいずれかに固定されたデータ電圧を伝達する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの半導体層のチャネル領域に光が入射してしまうことを確実に防止するとともに、トランジスタが誤動作し、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッカが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下が発生してしまうことを確実に防止することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】TFT基板10に複数の薄膜が積層され、積層された複数の薄膜の一部によってTFT30が形成された液晶装置100であって、TFT30の半導体層1の少なくとも一部を平面視した状態で覆うよう、TFT基板10に複数の薄膜の一部を構成する遮光性の絶縁膜7が積層されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造コストを低減させてスループットを向上させる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板は、基板100、少なくとも1つの薄膜トランジスタ、少なくとも1つの走査線、少なくとも1つの蓄積容量、少なくとも1つのデータ線120b及び少なくとも1つの画素電極102aを備える。基板100は、平行かつ交互に配列された少なくとも1つの走査線トレンチ及び少なくとも1つの容量線トレンチを有し、少なくとも1つの走査線トレンチは、少なくとも1つの薄膜トランジスタ領域106a及び走査線領域を有する。少なくとも1つの薄膜トランジスタは、走査線トレンチの薄膜トランジスタ領域106aの中に位置する。少なくとも1つの走査線は、走査線トレンチの走査線領域の中に位置し、薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続される。 (もっと読む)


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