【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。シール材１０７で囲まれた領域で、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで液晶層５０に表面を向けており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで液晶層５０に表面を向けている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第１の領域および第２の領域を有し、少なくともインジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第１の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第２の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のＩｎの濃度が高く、界面から１５ｎｍの範囲で遠ざかるに従いＩｎの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第１の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第２の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ＧＲＴＡ装置を用いて、第１の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第１の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第２の酸化物半導体膜とし、ＧＲＴＡ装置を用いて、酸素が添加された第２の酸化物半導体膜に熱を加える。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該ＧＲＴＡ装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びるゲート配線Ｇと、列に沿って延びるソース配線Ｓと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴの周囲の領域において画素電極ＰＥと同層に配置され、ゲート配線Ｇと同層に配置された第１導電体とソース配線Ｓと同層に配置された第２導電体とを電気的に接続する電極ＥＢと、電極ＥＢの端部に沿って設けられた突起２００と、を備えた第１基板ＡＲと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴおよび周囲の領域と対向した共通電極ＣＥを備え第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を備えたＴＦＴ素子などのアクティブ素子の良否の予測を精度高く行うことができる回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２には、第１の電極４と、第１の電極４とは電気的に分離されている第２の電極６と、第１の電極４および第２の電極６と接するように形成された酸化物半導体層５と、を備えたトラップ準位測定用パターン３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程を増やすことなく液晶表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１透明電極１４の端部に載る第１絶縁層３０と、第１絶縁層３０下のゲート電極１８と、第１絶縁層３０上の半導体層３４と、半導体層３４上から第１透明電極１４上に至るように形成されて第１透明電極１４に電気的に接続する第１配線４６と、第１配線４６から間隔をあけて半導体層３４上から引き出された第２配線４８と、第１配線４６、第２配線４８、半導体層３４及び第１透明電極１４を覆う第２絶縁層５４と、第２絶縁層５４上に形成された第２透明電極６０と、第２透明電極６０の上に配置された液晶層６６と、を有する。第１透明電極１４と第２透明電極６０の間に印加される電圧によって、基板１０の面方向に電界を加えて、液晶層６６の液晶分子を基板１０と平行な面内で回転させる。 （もっと読む）

【課題】 １つの表示領域を２つの領域に分割し、当該２つの領域に並行して映像や画像を表示する液晶表示装置におけるドライバ回路の発熱を抑え、かつ、画質の低下を防ぐ。
【解決手段】 液晶表示パネルの１つの表示領域は、走査信号線の延在方向と一致する境界線により第１の表示領域と第２の表示領域に分割されており、前記第１の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線と、前記第２の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線とは、電気的に絶縁されており、前記第１の表示領域および前記第２の表示領域のそれぞれの表示領域において、前記映像信号線の延在方向に沿って並んだ複数個の画素の列には、それぞれ、２本の隣接する映像信号線のうちの一方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素と、前記２本の隣接する映像信号線のうちの他方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素とが、交互に並んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板と、第１の絶縁基板上に実質的に第１の方向に互いに平行するように配値されたゲート配線およびストレージ配線と、ゲートおよびストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第２の方向に配値されたデータ配線と、データ配線上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された第１の画素電極と第２の画素電極と、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を含み、ストレージ配線は、実質的に第１の方向に配値された水平部および水平部から実質的に第２の方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部を含み、垂直部は、第１の画素電極および第２の画素電極とオーバーラップし、第１の画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は第２の画素電極および垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品質の劣化を抑制することである。
【解決手段】絶縁基板の上面に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うように積層されたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１の上方に形成されるドレイン電極７およびソース電極８と、ゲート絶縁膜１１の上面に積層されて、ゲート電極１２が発生させる電界によりドレイン電極７及びソース電極８間の電流を制御する半導体層９と、半導体層９の上方のチャネル領域１３に対応した領域に形成された開口部１４を有する共通電極２と、ドレイン電極７およびソース電極８から離間して配置された帯電防止パターン１６とを含み、帯電防止パターン１６の一端および他端を共通電極２に接続する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１において、半導体層ＡＳＩと半導体層ＡＳＩの液晶材側の面に形成された金属層Ｍとの積層部分であり、かつ画素電極ＭＩＴの液晶材側の面に重なる部分である重なり部５０を含むソース電極ＳＤ２を有し、第２の絶縁層ＰＡＳ２は、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部の５０端部、及び画素電極ＭＩＴの一部を開口するように形成されており、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部上、及び画素電極ＭＩＴ上に、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部、及び画素電極ＭＩＴを導通させる導体膜７０が形成されている。 （もっと読む）