【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第２基板22の主面21ａ上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第１絶縁膜226を形成する工程と、第１絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第２基板22の反対主面22ｂ側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 （もっと読む）

【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。シール材１０７で囲まれた領域で、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで液晶層５０に表面を向けており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで液晶層５０に表面を向けている。 （もっと読む）

【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ＧＲＴＡ装置を用いて、第１の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第１の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第２の酸化物半導体膜とし、ＧＲＴＡ装置を用いて、酸素が添加された第２の酸化物半導体膜に熱を加える。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該ＧＲＴＡ装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びるゲート配線Ｇと、列に沿って延びるソース配線Ｓと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴの周囲の領域において画素電極ＰＥと同層に配置され、ゲート配線Ｇと同層に配置された第１導電体とソース配線Ｓと同層に配置された第２導電体とを電気的に接続する電極ＥＢと、電極ＥＢの端部に沿って設けられた突起２００と、を備えた第１基板ＡＲと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴおよび周囲の領域と対向した共通電極ＣＥを備え第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 １つの表示領域を２つの領域に分割し、当該２つの領域に並行して映像や画像を表示する液晶表示装置におけるドライバ回路の発熱を抑え、かつ、画質の低下を防ぐ。
【解決手段】 液晶表示パネルの１つの表示領域は、走査信号線の延在方向と一致する境界線により第１の表示領域と第２の表示領域に分割されており、前記第１の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線と、前記第２の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線とは、電気的に絶縁されており、前記第１の表示領域および前記第２の表示領域のそれぞれの表示領域において、前記映像信号線の延在方向に沿って並んだ複数個の画素の列には、それぞれ、２本の隣接する映像信号線のうちの一方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素と、前記２本の隣接する映像信号線のうちの他方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素とが、交互に並んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程を増やすことなく液晶表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１透明電極１４の端部に載る第１絶縁層３０と、第１絶縁層３０下のゲート電極１８と、第１絶縁層３０上の半導体層３４と、半導体層３４上から第１透明電極１４上に至るように形成されて第１透明電極１４に電気的に接続する第１配線４６と、第１配線４６から間隔をあけて半導体層３４上から引き出された第２配線４８と、第１配線４６、第２配線４８、半導体層３４及び第１透明電極１４を覆う第２絶縁層５４と、第２絶縁層５４上に形成された第２透明電極６０と、第２透明電極６０の上に配置された液晶層６６と、を有する。第１透明電極１４と第２透明電極６０の間に印加される電圧によって、基板１０の面方向に電界を加えて、液晶層６６の液晶分子を基板１０と平行な面内で回転させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】信号配線と配向膜ストッパとの間における電界の発生を抑制することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
表示領域よりも外側の領域に形成され、少なくとも表示領域の２つの異なる辺に沿って形成される配向膜ストッパを有し、該配向膜ストッパは液状の配向膜材料に対して疎水性を有する薄膜材料からなり、配向膜ストッパの塗布時において、第１基板側の最上層に形成される第２の導電体層ＳＰと、絶縁膜を介して第２の導電体層ＳＰの下層に配置され、第２の導電体層ＳＰ側から平面的に見て、第２の導電体層ＳＰの長手方向の辺縁部が露出するように配置される第１の導電体層ＳＨとからなり、第１の導電体層ＳＨが表示領域の辺部に配置される信号線と第２の導電体層ＳＰとの間の薄膜層に形成されてなる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品質の劣化を抑制することである。
【解決手段】絶縁基板の上面に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うように積層されたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１の上方に形成されるドレイン電極７およびソース電極８と、ゲート絶縁膜１１の上面に積層されて、ゲート電極１２が発生させる電界によりドレイン電極７及びソース電極８間の電流を制御する半導体層９と、半導体層９の上方のチャネル領域１３に対応した領域に形成された開口部１４を有する共通電極２と、ドレイン電極７およびソース電極８から離間して配置された帯電防止パターン１６とを含み、帯電防止パターン１６の一端および他端を共通電極２に接続する。 （もっと読む）

【課題】映像信号線のパターニング時における映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線１０７、ドレイン電極１０７、ソース電極１０７は同層で同時に形成される。映像信号線１０７等はベース層１０７１、ＡｌＳｉ層１０７２、キャップ層１０７３の３層によって形成される。従来は、ＡｌＳｉ層１０７２において、キャップ層１０７３との境界にエッチングレートの早い合金が形成されて映像信号線１０７等のパターニング時、断線を生じていた。本発明では、映像信号線１０７等の形成時、ＡｌＳｉ層１０７２をスパッタリングによって形成した後、ＴＦＴを大気にさらし、ＡｌＳｉ層の表面にＡｌ酸化層を形成した後、キャップ層１０７３をスパッタリングによって形成する。これによってＡｌＳｉ層に、エッチングレートが部分的に早くなる合金が発生することを防止し、映像信号線等の断線の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板と、第１の絶縁基板上に実質的に第１の方向に互いに平行するように配値されたゲート配線およびストレージ配線と、ゲートおよびストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第２の方向に配値されたデータ配線と、データ配線上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された第１の画素電極と第２の画素電極と、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を含み、ストレージ配線は、実質的に第１の方向に配値された水平部および水平部から実質的に第２の方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部を含み、垂直部は、第１の画素電極および第２の画素電極とオーバーラップし、第１の画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は第２の画素電極および垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】アクティブ動作中に外部電源による電位の制御を必要としない静電気保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板１は、複数のゲート配線２２と、複数のソース配線２１と、高電位側ＥＳＤリング３１及び低電位側ＥＳＤリング３２と、ゲート配線２２及びソース配線２１の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極がゲート配線２２及びソース配線２１のうちの一の配線に接続されたＥＳＤダイオード４２と、アノード電極が当該一の配線に接続されカソード電極が高電位側ＥＳＤリング３１に接続されたＥＳＤダイオード４１と、２本以上のゲート配線２２の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極が対応するゲート配線２２に接続された低電位固定ダイオード４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置のコントラストと応答速度の両立を図る。
【解決手段】 表示電極の長辺４２と、配向制御窓５０の直線部分５１の距離ｄを短くすると、液晶の応答速度が速くなる。一方、配向制御窓５０を大きくする（距離ｄを短くすることに相当する）と液晶のコントラストが小さくなり好ましくない。前記距離ｄが、２５μｍ〜３０μｍ以下になると、応答速度向上の効果が少なくなる。したがって、距離ｄを２５μｍ〜３０μｍにすることが好ましい。また配向制御窓５０はその幅を７μｍ程度とすることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性の安定した半導体装置を提供する。とくに、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して形成されたソース電極、及びドレイン電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、少なくとも酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された酸素放出型の酸化膜と、により構成され、酸素放出型の酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）