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Fターム[2H092JA43]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 構造 (10,751) | ソース、ドレイン電極 (2,019) | 厚さ (93)

Fターム[2H092JA43]に分類される特許

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【課題】フロントウインドウを液晶パネルに接着した後に液晶パネルの周辺部に色ムラが発生することを抑制する。
【解決手段】液晶表示装置は、走査信号線、データ信号線、及び画素電極をそれぞれ含む複数のTFTパターンを形成したTFT基板と、TFT基板と対向して配置されるカラーフィルタ基板と、カラーフィルタ基板においてTFT基板と対向する面に形成された、複数の柱状スペーサと、を備え、複数のTFTパターンのうち少なくとも一部は、走査信号線の上又は画素電極の下に形成され、複数の柱状スペーサの1つを直接又は間接的に支持する台座を備え、TFT基板の中央部分に形成されたTFTパターンに備えられる台座が柱状スペーサを支持する面積が、TFT基板の中央部分よりも外側に形成されたTFTパターンに備えられる台座が柱状スペーサを支持する面積よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのTFTを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極(14)と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層(6a)との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体の特性の変化を防ぎつつ、耐圧特性も向上させた薄膜トランジスタを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極を覆い絶縁物質を含むゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜の上面にあり互いに離間する第1の領域と第2の領域にそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、前記第1の領域と前記第2の領域の間の第3の領域に接し、前記絶縁物質を含むチャネル保護膜と、を含む。平面的にみて前記ゲート電極に重なる前記酸化物半導体膜の上面の領域は第3の領域に含まれかつ小さく、前記酸化物半導体膜のうち前記ゲート電極に重なる部分の一部を除く部分は、前記ゲート電極に重なる部分の前記一部より抵抗が低い。 (もっと読む)


【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 (もっと読む)


【課題】ブラックマトリックス層の幅を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制する。
【解決手段】ボトムゲート電極12aと第1のブラックマトリックス層17aで第1の半導体層14を挟むシングルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記第1の半導体層と前記第1のブラックマトリックス層は重畳している半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とTFTとの電気的な干渉を抑制する
構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及び
ゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成され、前
記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン
電極上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上に形成された電磁シー
ルド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第3の層間絶縁膜と、前記第3の層間絶縁
膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソ
ース配線と前記画素電極との間に設けられている。 (もっと読む)


【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第2の結晶性を有する酸化物半導
体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードであ
る。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれ
る電子供与体(ドナー)となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度
化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導
体よりもバンドギャップが大きい。 (もっと読む)


【課題】シール材の段差を一様にして、液晶の歩留まり、信頼性を向上する。
【解決手段】素子基板と、素子基板に設けられた薄膜トランジスタを有する画素部と、素子基板の画素部を囲むように設けられたシール材と、素子基板のシール材の内側に設けられた片側駆動方式の周辺駆動回路と、シール材下に設けられ、周辺駆動回路に接続される第1の配線、第2の配線と、シール材下の第1の配線及び第2の配線と対向する領域にそれぞれ設けられ、第1の配線及び第2の配線と電気的に絶縁された支持部材と、支持部材と一部が重なるように設けられたブラックマトリクスと、を有し、支持部材及び第1の配線は、同一材料からなる。 (もっと読む)


【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板110側と反対側に反射防止層130が形成された反射防止層130が形成された電極(図14のAに相当するソースドレイン電極層)と、基板110側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極(図14のBに相当するソースドレイン電極層)と、基板110上に設けられた親液性領域Rと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層150と、を有している。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の金属酸化物膜と、第1の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第1の絶縁膜と、第2の金属酸化物膜と、第2の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第2電極層7aと画素電極9aとを層間絶縁膜48の穴48a内に設けたプラグ電極8aを介して電気的に接続するにあたって、第1絶縁膜46に設けたコンタクトホール46aを埋めるようにプラグ電極8aを形成した後、第2絶縁膜47を成膜する。そして、第2絶縁膜47を表面側から研磨してプラグ電極8aを露出させた後、第2絶縁膜47の表面側に画素電極9aを形成する。 (もっと読む)


【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第1基板と、絶縁表面上の第1導電膜及び第2導電膜と、第1導電膜上の第1絶縁膜と、第2導電膜上の第2絶縁膜と、第1基板と対峙する第2基板と、第1基板と第2基板の間に位置する液晶層と、を有し、第1導電膜の一部は第1絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第2導電膜の一部は第2絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機EL表示装置1は、駆動側基板10上に、有機EL素子10Aと、トランジスタ10Bと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子10Cとを備えたものである。保持容量素子10Cは、酸化物半導体よりなる半導体層11上に絶縁膜12Bを介して導電膜13Bを有し、かつ半導体層11上の選択的な領域に、導電膜13Bおよび絶縁膜12Bのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子10Cでは、そのような凹部を通じて、半導体層11の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 (もっと読む)


【課題】低コストで、後工程にて形成される上層の塗布性に優れ、かつ高信頼性を示す電界効果型トランジスタなどの提供。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層上に形成され、かつ、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を被覆するように形成された保護層とを有し、前記保護層が、フッ素樹脂を含有し、前記保護層形成後の前記保護層の水に対する接触角が、75°以上90°以下である電界効果型トランジスタである。 (もっと読む)


【課題】応答速度の高速化が可能であるとともに透過率の低減を抑制しつつ高精細化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層を備えたスイッチング素子と、第1電極と、前記第1電極と向かい合うとともに前記スイッチング素子と電気的に接続され且つ第1方向に沿って複数のV字型スリットが並んで形成された第2電極と、第1配向膜と、を備えた第1基板と、第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記V字型スリットは、第1中央部、前記第1中央部の一端側に繋がった第1端部、前記第1中央部の他端側に繋がった第2端部、第2中央部、前記第2中央部の一端側に繋がった第3端部、及び、前記第2中央部の他端側に繋がった第4端部を有し、前記第1端部と前記第3端部とが繋がったことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。
【解決手段】活性層の成膜工程での成膜室中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPodepo(%)とし、熱処理工程中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPoanneal(%)としたときに、熱処理工程時の酸素分圧Poanneal(%)が、−20/3Podepo+40/3≦Poanneal≦−800/43Podepo+5900/43の関係を満たすように成膜工程と熱処理工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体10wの一方面10sに走査線3a(遮光層)、絶縁膜12を形成した後、半導体層1aを形成する半導体層形成工程、および半導体層1aに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置920によって、一方面10s側を他方面10t側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線3aは高い温度に加熱されないので、走査線3aに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 (もっと読む)


【課題】Gaを含まないIn−Zn−Oの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Inと;Znと;Al、Si、Ta、Ti、La、Mg、およびNbよりなる群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 (もっと読む)


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