【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びるゲート配線Ｇと、列に沿って延びるソース配線Ｓと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴの周囲の領域において画素電極ＰＥと同層に配置され、ゲート配線Ｇと同層に配置された第１導電体とソース配線Ｓと同層に配置された第２導電体とを電気的に接続する電極ＥＢと、電極ＥＢの端部に沿って設けられた突起２００と、を備えた第１基板ＡＲと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴおよび周囲の領域と対向した共通電極ＣＥを備え第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】映像信号線のパターニング時における映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線１０７、ドレイン電極１０７、ソース電極１０７は同層で同時に形成される。映像信号線１０７等はベース層１０７１、ＡｌＳｉ層１０７２、キャップ層１０７３の３層によって形成される。従来は、ＡｌＳｉ層１０７２において、キャップ層１０７３との境界にエッチングレートの早い合金が形成されて映像信号線１０７等のパターニング時、断線を生じていた。本発明では、映像信号線１０７等の形成時、ＡｌＳｉ層１０７２をスパッタリングによって形成した後、ＴＦＴを大気にさらし、ＡｌＳｉ層の表面にＡｌ酸化層を形成した後、キャップ層１０７３をスパッタリングによって形成する。これによってＡｌＳｉ層に、エッチングレートが部分的に早くなる合金が発生することを防止し、映像信号線等の断線の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】アクティブ動作中に外部電源による電位の制御を必要としない静電気保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板１は、複数のゲート配線２２と、複数のソース配線２１と、高電位側ＥＳＤリング３１及び低電位側ＥＳＤリング３２と、ゲート配線２２及びソース配線２１の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極がゲート配線２２及びソース配線２１のうちの一の配線に接続されたＥＳＤダイオード４２と、アノード電極が当該一の配線に接続されカソード電極が高電位側ＥＳＤリング３１に接続されたＥＳＤダイオード４１と、２本以上のゲート配線２２の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極が対応するゲート配線２２に接続された低電位固定ダイオード４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶層中の不純物の偏在に起因する表示不具合が改善された液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、基板としての素子基板１０上にトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と、画素電極１５をＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおける第２ソース・ドレイン領域３０ｄに電気的に接続させる柱状のコンタクト部ＣＮＴ４とを有し、コンタクト部ＣＮＴ４は、画素電極１５の液晶層側の表面において突出部１５ａを形成している。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿った長さが第１方向に交差する第２方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第２方向に沿って延出した主画素電極及び第１方向に沿って延出し主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第１基板１０と、主画素電極を挟んだ両側で主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び副画素電極を挟んだ両側で副画素電極と略平行に延出し主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第２基板と、第１基板１０と第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、主画素電極と主共通電極との第１方向に沿った水平電極間距離は、主画素電極と主共通電極との第１方向及び第２方向に直交する第３方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽く、薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高堅牢性（高信頼性）を実現することのできる半導体装置および電気装置を提供する。
半導体装置および電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、フレキシブル性を有する第１基板３０と、第１基板３０上に形成される複数の画素電極３５と、第１基板３０内に埋め込まれた少なくとも１つのドライバＩＣ８９と、ドライバＩＣ８９と画素電極３５とが接続配線２２を介して接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下層にＴＦＴのソース電極と接続した画素電極が配置され、絶縁膜を挟んで、上層にスリットを有するコモン電極が配置されたＩＰＳ方式液晶表示装置において、画素電極とコモン電極の導通による画素欠陥の数を低減する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成され、その上に分割された画素電極１０６が形成されている。通常は分割された画素電極１０６はソース電極１０５によって接続されている。画素電極１０６の上に層間絶縁膜１０７が形成され、層間絶縁膜１０７の上にスリットを有するコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８と分割された画素電極１０６の一つが導電性異物５００によって導通した場合、その分割された画素電極１０６をソース電極１０５と分離することによって、他の分割された画素電極１０６が動作することが出来るので、１画素が完全欠陥となることを免れる。 （もっと読む）

【課題】層数およびフォト工程を減らしたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴの光電流によるＯＦＦ電流の増加を防止する。
【解決手段】ドレイン線１０４、ＴＦＴを構成するドレイン電極１０４、ソース電極１０５は、金属と半導体層１０３の積層構造となっている。ドレイン線１０４とドレイン電極１０４とは下層に形成された半導体層１０３とともに分断されており、この部分を画素電極１０６と同じ材料であるＩＴＯによって形成されたブロック導電膜１０７によって接続する。バックライトからの光によって発生した光電流は、ブロック導電膜１０７によって遮断され、ＴＦＴに光電流が流入することは無い。したがって、ＴＦＴのＯＦＦ電流を増大させることなく、フォト数の低減を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素を構成する電荷保持容量の電流リーク電流を防止し、表示装置の表示画質低下を防止する技術を提供する。
【解決手段】表示装置は、ポリシリコン３とパッド電極８とが接続する第１のコンタクトホール７と、有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホール１２と、パッド電極８と画素電極１６とが接続する第３のコンタクトホール１５と、共通電極１３とを有する。これらを平面視した際に、第１のコンタクトホール７と第３のコンタクトホール１５は第２のコンタクトホール１２の内側に有り、第１のコンタクトホール７と第３のコンタクトホール１５は互いに重ならず、ゲート線５に垂直な方向では第３のコンタクトホール１５、第１のコンタクトホール７、第２のコンタクトホール１２の端部、共通電極１３の順に並び、かつ、ゲート線５に平行な方向では第２のコンタクトホール１２の端部がパッド電極８の外側に位置する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供する。
【解決手段】基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された透明導電膜、および、これら薄膜トランジスタと透明導電膜を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記透明導電膜の界面には該アルミニウム合金の酸化皮膜が形成されており、該酸化皮膜の膜厚が１〜１０ｎｍで、該酸化皮膜中の酸素含有量が４４原子％以下である表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 透光性の膜の上に形成した感光性材料膜を複数の小領域に分割して小領域毎に順次露光する際に、それぞれの小領域に照射する光の焦点のずれを低減する。
【解決手段】 透光性の膜の上に形成した感光性材料膜を露光する際に、当該感光性材料膜の露光対象領域全体を複数の小領域に分割し、それぞれの前記小領域に照射する光の焦点を決定する表示装置の製造方法であって、前記光の焦点は、前記感光性材料膜の前記露光対象領域全体を複数の測長単位領域に分割し、前記測長単位領域毎に測定した前記露光装置の光学系から前記感光性材料膜までの距離に基づいて決定し、前記透光性の膜を形成する前に、前記測長単位領域のそれぞれに不透明な導電層を形成しておく表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透過表示領域と反射表示領域とでＶ−Ｔ特性が略一致する液晶装置を得る。
【解決手段】液晶層５０を介して対向配置された第１基板１０及び第２基板１１と、第１基板１０の液晶層側に形成された第１電極と、第１電極２１と誘電層３４を介して対向する第２電極２２と、を備える液晶装置１であり、第１電極２１と第２電極２２とのうちの一方の電極は所定の間隔２８を有して延在する複数の帯状電極部２７を有し、１画素領域内に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを有する液晶装置１であって、反射表示領域Ｒの帯状電極部２７の電極幅Ｌが、透過表示領域Ｔの帯状電極部２７の電極幅Ｌよりも小さく、反射表示領域Ｒの間隔２８の幅Ｓが、透過表示領域Ｔの間隔２８の幅Ｓよりも小さく、反射表示領域Ｒの液晶層５０のセル厚ｄが透過表示領域Ｔにおけるセル厚ｄよりも薄く、反射表示領域Ｒの誘電層３４が透過表示領域Ｔの誘電層３４よりも薄い液晶装置１。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品位の低下を抑制して、薄膜トランジスタの欠陥を修正する。
【解決手段】各画素毎にゲート電極が規定され、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１ａと、各画素のゲート電極に絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第１半導体層１３ａと、各画素毎に各ゲート線１１ａに絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第２半導体層１３ｂと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の一方の端部に重なるようにソース電極１４ａａが規定され、各ゲート線１１ａと交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４ａと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の他方の端部に重なると共にソース電極１４ａａと対峙するようにドレイン電極１４ｂａが規定され、各画素電極にそれぞれ接続するように設けられた複数のドレイン線１４ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】シール材の基板側への接着性の向上を図るとともに、シール材と基板との間に介在される積層された絶縁膜の剥がれを防止し、かつ、該絶縁膜の下層に形成される配線あるいは回路を機械的衝撃から保護し得る液晶表示装置の提供。
【解決手段】第１基板および第２基板の間に画像表示部を囲んで形成され液晶を封止するシール材を備える液晶表示装置であって、少なくとも、前記第１基板の前記シール材の形成領域に、配線あるいは回路と、前記配線あるいは前記回路を被って形成された絶縁膜とを有し、前記絶縁膜は、少なくとも、前記シール材に近い側である表面側に配置される無機絶縁膜と前記無機絶縁膜に当接して前記無機絶縁膜の下層に配置される有機絶縁膜とを有して構成され、前記シール材の形成領域において、前記無機絶縁膜を貫通し前記有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、前記シール材の形成領域の周方向に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタにおいて、半導体形成が簡便であり、かつ半導体形成によって前記上部画素電極への電圧の印加に問題が生じないようにバンク層を用いた構造を提供すること。
【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ソース電極と、下部画素電極と、前記下部画素電極に接続されたドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体と、前記半導体を囲み、前記下部電極を覆うように形成されたバンク層と、少なくとも前記下部画素電極上に開口部を有する層間絶縁層と、前記バンク層を介して前記下部画素電極に静電接続された上部画素電極とを備えることを特徴とする電界効果型トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 走査信号線の本数を大幅には増大させずにデータ信号線の本数を削減する。
【解決手段】 第１の走査信号線Ｇ（２）及び第２の走査信号線Ｇ（１）に対して交差するように配置されたデータ信号線Ｓ（１）と、前記データ信号線Ｓ（１）に、一端が前記第１の走査信号線Ｇ（２）に接続された第１の薄膜トランジスタＴ（１，２，ａ）を介して接続され、該接続されているデータ信号線Ｓ（１）に供給される階調信号が印加される第１の画素電極Ｅ（１，２，ａ）と、前記第１の画素電極Ｅ（１，２，ａ）に、前記第２の走査信号線Ｇ（１）に一端が接続された第２の薄膜トランジスタＴ（１，１，ｂ）を介して接続され、前記第１の画素電極Ｅ（１，２，ａ）を介して前記階調信号が印加される第２の画素電極Ｅ（１，１，ｂ）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開口率の低下を招くことなく、広い視野角特性及び高いコントラスト比を有する表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マトリクス状の各画素ＰＸに配置された画素電極ＥＰ、画素の行方向に延出した走査線Ｙ、及び、走査線Ｙと層間絶縁膜を介して交差するように画素の列方向に延出した信号線Ｘを備えたアレイ基板ＡＲにおいて、
走査線Ｙは、各画素ＰＸにおいて互いに離間した第１セグメントＹＳ１及び第２セグメントＹＳ２を有し、
さらに、配向制御手段ＡＬＣと対向するとともに第１セグメントＹＳ１及び第２セグメントＹＳ２を電気的に接続する接続部ＣＮ１を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤパネルおよび液晶ディスプレイを駆動する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ＬＣＤパネルおよび上記パネルを駆動する方法に関する。各画素は、少なくとも第１および第２サブ画素を有する。各サブ画素は、サブ画素電極とサブ画素電極に結合されるスイッチング素子を有する。各一対の隣接する走査線は、それぞれ画素行における各画素の第１サブ画素と第２サブ画素のスイッチング素子に結合される。データ線Ｄ_ｍは、画素列Ｐ_{ｎ},ｍ-1とＰ_{ｎ},ｍの一方の奇数の画素の第１または第２サブ画素のスイッチング素子、および画素列Ｐ_{ｎ},ｍ-1とＰ_{ｎ},ｍの他方の偶数の画素の第２または第１画素のスイッチング素子に接続される。パネルは、走査信号とデータ信号を発生し、それぞれ走査線とデータ線に印加するゲートドライバとデータドライバを含む。走査信号は、所定のタイミングで走査線に結合されるスイッチング素子を導通させ、データ信号の任意二つの隣接するものは逆の極性を有する。 （もっと読む）