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Fターム[2H092JA46]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 構造 (10,751) | 素子と画素電極との接続 (3,242) | スルーホール (2,664)

Fターム[2H092JA46]に分類される特許

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【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第2基板22の主面21a上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第1絶縁膜226を形成する工程と、第1絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第2基板22の反対主面22b側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光の利用効率に優れると共に、容易に製造可能な液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターを提供すること。
【解決手段】対向配置され、複数の画素領域が設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち第一基板において複数の前記画素領域のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記一対の基板のうち前記第一基板において前記スイッチング素子よりも前記液晶層側に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第一光屈折部と、前記一対の基板のうち前記第一基板とは異なる第二基板に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第二光屈折部とを備え、前記第一光屈折部及び前記第二光屈折部のうち、一方は曲面状に形成されており、他方は平面視で前記画素領域の中央部へ向けて傾斜する複数の平面によって形成されている。 (もっと読む)


【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第1配線層と、第1配線層の間に設けられた第1配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第1配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第2配線層とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】画素の開口領域を最大化し、画素の透過率を向上させる、FFS方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート配線とデータ配線113aとの交差地点に形成された薄膜トランジスタTと、薄膜トランジスタTを含む基板101全面に形成され、薄膜トランジスタTを露出する開口部を備えた有機絶縁膜117の上部に形成された大面積の共通電極123aと、開口部から薄膜トランジスタTに接続された補助電極パターン123cと、共通電極123a及び補助電極パターン123cを含む基板101全面に形成され、薄膜トランジスタTに接続された補助電極パターン123cを露出するパッシベーション膜127の上部に形成され、露出した補助電極パターン123cを介して薄膜トランジスタTに電気的に接続され、共通電極123aとオーバーラップする複数の画素電極133aとを含む。 (もっと読む)


【課題】端子金属が保護用ITOのピンホールまたは亀裂から侵入した水分による水和反応によって侵され、接続不良が生ずることを防止する。
【解決手段】端子部は、表示領域から延在する引き出し線30と、端子金属10と、端子金属10から外側に延在する検査用配線40を有している。端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、端子金属10の部分は、保護用絶縁膜にスルーホール20が形成され、端子金属10はスリット15を介して複数に分割され、スリット15は、表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われている。ITO60は分割された端子金属10とスリット15を覆っている。これによって、ITO50のピンホール等から水分が浸入しても、水分はスリット15において進行を阻止される。したがって、端子金属10全体が腐食して導通不良を引き起こすことは無い。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第1の配線と、信号線として機能することができる第2の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第1の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第1方向に延出した第1補助容量線及び第2補助容量線と、第1補助容量線と第2補助容量線との間に位置し第1方向にゲート配線と、画素の略中央でゲート配線の上方に位置する半導体層と、半導体層とコンタクトし第2方向にソース配線と、半導体層にコンタクトし第1補助容量線及び第2補助容量線の上方に延出したドレイン電極と、ドレイン電極と電気的に接続され第1補助容量線と対向し第1方向に延出した第1主画素電極及びドレイン電極と電気的に接続され第2補助容量線と対向し第1方向に延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、第1主画素電極を挟んだ両側及び第2主画素電極を挟んだ両側に位置し第1方向に延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を1回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第1開口部17aおよび第2開口部17bを備えたレジストマスク17を層間絶縁膜42の表面に形成した後、第1開口部17aおよび第2開口部17bから層間絶縁膜42および絶縁膜49をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク17を変形させて第2開口部17bを塞ぐ一方、第1開口部17aの開口面積を狭める。次に、第1開口部17aから層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】画素の高開口率化に有効であって剥離を生じ難い絶縁膜を有するアレイ基板と、このアレイ基板の製造方法を提供する。また、輝度が高く、高い信頼性を備えた液晶表示素子を提供する。
【解決手段】カルボキシル基を有する構成単位と重合性基を有する構成単位とを含む重合体と、キノンアジド化合物あるいは重合性化合物および重合開始剤と、熱酸発生剤と、硬化促進剤である式(1)または式(2)の化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物を用い、スイッチング能動素子8の形成された基板4上に絶縁膜12を形成し、アレイ基板1を製造する。アレイ基板1を用い液晶表示素子を構成する。
(もっと読む)


【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板1と、ゲート電極配線2と、ゲート絶縁膜3と、チャネルとなる第1の半導体層4と、第1及び第2のコンタクト層5a、5bとなる第2の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線7a、7bとを有し、ソース又はドレイン電極配線7a、7bに対して露出する第2の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層6a、6bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】VA(Vertical Alignment)モードの液晶装置100においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第1基板10側の配向膜16には、画素電極9aの端部に平面視で重なる部分に、配向膜16の膜厚を他の領域より薄くする凹部16aが設けられている。凹部16aが設けられている部分では、液晶層50に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子50bの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層50での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス基板上の電極と対向基板上のブラックマトリクスとの間に生じる電位に起因する光漏れを抑制する。
【解決手段】スイッチング素子が配置された一方の基板とブラックマトリクスが形成された他方の基板と液晶層とを少なくとも備える液晶表示装置において、ノーマリーブラックの第1の領域とノーマリーホワイトの第2の領域とを有し、第1の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第1画素電極と第1共通電極と第1共通電極に第1共通信号を供給する第1共通電極線を有し、第2の領域の一方又は他方の基板には第2共通電極を有し、第2の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第2画素電極と第2共通電極に第2共通信号を供給する第2共通電極線を有し、第1の領域に対向するブラックマトリクスと第2の領域に対向するブラックマトリクスが電気的に分離されている。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】GRTA装置を用いて、第1の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第1の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第2の酸化物半導体膜とし、GRTA装置を用いて、酸素が添加された第2の酸化物半導体膜に熱を加える。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該GRTA装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。 (もっと読む)


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