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Fターム[2H092JB13]の内容

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Fターム[2H092JB13]に分類される特許

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【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、素子基板10および基板本体10w(第1基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層18(第1シリケートガラス層)であり、対向基板20および基板本体20w(第2基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層28(第2シリケートガラス層)である。シール材107で囲まれた領域で、シリケートガラス層18は、画素電極9aおよびダミー画素電極9bの非形成領域9cで液晶層50に表面を向けており、シリケートガラス層28は、共通電極21の非形成領域21cで液晶層50に表面を向けている。 (もっと読む)


【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】GRTA装置を用いて、第1の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第1の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第2の酸化物半導体膜とし、GRTA装置を用いて、酸素が添加された第2の酸化物半導体膜に熱を加える。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該GRTA装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1方向に沿って延出した第1補助容量線及び第2補助容量線と、第1補助容量線と第2補助容量線との間に位置し第1方向に沿って延出したゲート配線と、第2方向に沿って延出したソース配線と、半導体層と、ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、半導体層にコンタクトしソース配線と電気的に接続されたソース電極と、半導体層にコンタクトした第1電極部、第1電極部に繋がり第1補助容量線と対向し第1方向に沿って延出した第2電極部、及び、第1電極部に繋がり第2補助容量線と対向し第1方向に沿って延出した第3電極部を備えたドレイン電極と、を備えた第1基板と、第2電極部を挟んだ両側及び第3電極部を挟んだ両側にそれぞれ位置し第1方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】各画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べて画素小型化を可能にすると共に、各画素内に2つのSRAMを用意した場合においた構成でも安定な動作を行う。
【解決手段】画素12Aは、列データ線dに出力されるデータがスイッチSW11によりサンプリングされてSRAM121に書き込まれる。画像表示部11を構成する全ての画素12AのSRAM121にデータが書き込まれる。その後、トリガパルスにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされ、SRAM121のデータがDRAM122を構成する容量C1に一斉に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加される。画素12Aは、7個のトランジスタと1つの容量C1とから構成されるため、少ない数の構成素子により画素を構成できると共に、SRAM121とDRAM122と反射電極PEとを、素子の高さ方向に有効に配置することで、画素の小型化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】高動作マージン・高信頼性・狭額縁・小型・低コストの駆動回路一体型アクティブマトリクス型の表示装置を提供する。
【解決手段】図14[2]を参照すると、ゲート線駆動回路12と対向電極21とが対面していないことがわかる。このことから、対向電極21とシール材11とが重なっている領域における電気的な影響は、少なくともゲート線駆動回路12には及ばない。これが本発明の特徴である。 (もっと読む)


【課題】画素電極に光反射防止構造が採用され、明るい表示が可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、第1基板としての素子基板10と、第2基板としての対向基板20と、素子基板10と対向基板20とにより挟持された液晶層50と、画素電極層15と、画素電極層15に対応したトランジスター30と、トランジスター30と画素電極層15との間に設けられ、コンタクトホールCNT2が形成された層間絶縁膜12とを備え、画素電極層15は、第2層間絶縁膜12側から順に形成された、導電性の第1透光性層15aと、第1透光性層15aよりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性層15bと、第2透光性層15bよりも屈折率が大きく導電性の第3透光性層15cとを含み、コンタクトホールCNT2内において第1透光性層15aと第3透光性層15cとが電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 (もっと読む)


【課題】画像表示動作中にも画素領域のイオン性不純物を周辺領域に排出することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、複数の画素を有する画素領域とを備え、各々の画素に対応して設けられた画素電極と、複数の画素電極に対向する共通電極とを有し、画素電極に交流電圧が印加される電気光学装置であって、画素領域のうちの一部の画素では第1の電位を中心電位とする交流電圧が画素電極に印加され、他の一部の画素では第1の電位と異なる第2の電位を中心電位とする交流電圧が画素電極に印加されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第1の絶縁基板と、第1の絶縁基板上に実質的に第1の方向に互いに平行するように配値されたゲート配線およびストレージ配線と、ゲートおよびストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第2の方向に配値されたデータ配線と、データ配線上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された第1の画素電極と第2の画素電極と、第1の画素電極に隣接する第2の画素電極を含み、ストレージ配線は、実質的に第1の方向に配値された水平部および水平部から実質的に第2の方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部を含み、垂直部は、第1の画素電極および第2の画素電極とオーバーラップし、第1の画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は第2の画素電極および垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】実質的な開口率をより一層向上できるMVAモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、画素毎にTFT214と該TFT214に電気的に接続された画素電極215とを有している。TFT214は、ゲートバスライン211及びデータバスライン212に接続されている。1つの画素は4つの領域に分割されており、画素電極215には各領域毎に異なる方向に延びる微細電極部215bが設けられている。また、微細電極部215bの基端側の微細電極部間の領域の形状が、微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状となっている。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第1方向に沿って延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、第1ゲート配線と第2ゲート配線との間の略中間に位置した補助容量線と、第2方向に沿って延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、第1ゲート配線及び第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、補助容量線の上方に位置し前記スイッチング素子とコンタクトし第1方向に沿って延出したコンタクト部、コンタクト部の第1ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第1主画素電極、及び、コンタクト部の第2ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、第1主画素電極と第2主画素電極との間、第1ソース配線及び第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1信号配線Gと、第1信号配線Gと交差する方向Yに延びるとともに第1信号配線Gと交差する位置において第1信号線Gが延びる方向Xにおける幅が広くなった幅広部SAを備えた第2信号配線Sと、第2信号配線Sの間において第1信号配線Gと交差する方向に延びた主画素電極PAと、主画素電極PAと電気的に接続された副画素電極PBと、を含む画素電極PEと、を備えた第1基板ARと、画素電極PEの両側に配置された共通電極CEを備えた第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に挟持された液晶層LQと、を備え、第1信号配線Gの全体が幅広部SAと副画素電極PBとの少なくとも一方と重なっている液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1方向に沿って延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の略中間に位置した補助容量線と、第2方向に沿って延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線と同一材料によって形成された画素電極であって、前記補助容量線の上方に位置する副画素電極、前記副画素電極の前記第1ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第1主画素電極、及び、前記副画素電極の前記第2ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1主画素電極と前記第2主画素電極との間、前記第1ソース配線の上方、及び、前記第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】 IPSモード及びFFSモードに比べて光透過率の高い横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、光反射表示と光透過表示とを両立しても十分な輝度レベルの画像を表示することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第1基板と、前記第1基板に隙間を置いて対向配置された第2基板と、前記第1基板及び第2基板間に挟持された液晶層LQと、複数の画素と、第1偏光板PL1と、第2偏光板PL2と、を備えている。各画素は、光反射領域R3及び光透過領域R4を含んでいる。各画素は、第1基板上に形成され、光反射領域R3に重なった光反射層30と、第1基板上に形成され、第2方向Yに沿って延出した主画素電極と、第2基板上に形成され、第1方向に主画素電極を挟んで位置し第2方向Yに沿って延出した一対の主共通電極と、を有している。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素PXを含むアクティブエリアACTと、画素PXに配置された画素電極PEと、画素電極PE上に配置され配向処理が成された第1配向膜AL1と、を備えた第1基板ARと、画素電極PEを挟んだ両側に配置された共通電極CEと、共通電極CE上に配置され配向処理が成された第2配向膜AL2と、を備えた第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に保持された液晶分子LMを含む液晶層LQと、を備え、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との配向処理方向は互いに平行であって、画素電極PEおよび共通電極CEは、配向処理方向に対して鋭角に傾いた方向に延びている液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】 液晶表示装置のコントラストと応答速度の両立を図る。
【解決手段】 表示電極の長辺42と、配向制御窓50の直線部分51の距離dを短くすると、液晶の応答速度が速くなる。一方、配向制御窓50を大きくする(距離dを短くすることに相当する)と液晶のコントラストが小さくなり好ましくない。前記距離dが、25μm〜30μm以下になると、応答速度向上の効果が少なくなる。したがって、距離dを25μm〜30μmにすることが好ましい。また配向制御窓50はその幅を7μm程度とすることがより好ましい。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に沿ってそれぞれ延出したゲート配線及び補助容量線と、第2方向に沿って延出したソース配線と、ゲート配線及びソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、補助容量線の直上に位置するとともに第1方向に沿って延出した主画素電極を備えスイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、画素電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、ゲート配線の直上に位置するとともに第1方向に沿って延出した主共通電極を備えた共通電極と、共通電極を覆う第2配向膜と、を備えた第2基板と、第1基板と第2基板との間に保持され、画素電極と共通電極との間に電界が形成されていない状態で第1方向に沿って初期配向するとともに第1基板と第2基板との間においてスプレイ配向した液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】カラーウォッシュアウト(color washout)を改善する液晶ディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】液晶ディスプレイパネルは、マトリクス状に配列される複数の画素{Pn,m}(ただしn=1,2,…,N、m=1,2,…,M)を含む。各画素Pn,mは、副画素電極を有する第1の副画素Pn,m(1)および第2の副画素Pn,m(2)を含む。画素に表示される画像のグレースケール値gはグレースケール電圧と関連し、グレースケール電圧が画素Pn,mに印加されるとき、第1および第2の副画素の副画素電極に電位差ΔV12(g)が生じるように複数の画素{Pn,m}を配置する。該電位差ΔV12(g)は画素に表示される画像のグレースケール値gに伴って変化する。(ただしg=0,1,2,…,Rであってhビットで表現される画像の階調に対応し、hは0より大きい整数、R=(2h−1)である)。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間で延出した補助容量線と、第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記第1ゲート配線及び前記第2ゲート配線と前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線とで囲まれた画素電極であって、第1方向に沿って延出し前記補助容量線の上方に位置した主画素電極及び第2方向に沿って延出した副画素電極を備えた十字形状の画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1ゲート配線の上方及び前記第2ゲート配線の上方にそれぞれ位置し第1方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極、及び、前記第1ソース配線の上方及び前記第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した副共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


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