【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フロントウインドウを液晶パネルに接着した後に液晶パネルの周辺部に色ムラが発生することを抑制する。
【解決手段】液晶表示装置は、走査信号線、データ信号線、及び画素電極をそれぞれ含む複数のＴＦＴパターンを形成したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板と対向して配置されるカラーフィルタ基板と、カラーフィルタ基板においてＴＦＴ基板と対向する面に形成された、複数の柱状スペーサと、を備え、複数のＴＦＴパターンのうち少なくとも一部は、走査信号線の上又は画素電極の下に形成され、複数の柱状スペーサの１つを直接又は間接的に支持する台座を備え、ＴＦＴ基板の中央部分に形成されたＴＦＴパターンに備えられる台座が柱状スペーサを支持する面積が、ＴＦＴ基板の中央部分よりも外側に形成されたＴＦＴパターンに備えられる台座が柱状スペーサを支持する面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】２層構造の走査線を、絶縁膜を介して映像信号線が乗り越える際の、映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線が絶縁膜を介して走査線を乗り越える構成となっている。走査線１０はＡｌＣｕ合金を下層１１とし、ＭｏＣｒ合金を上層１２とする２層構造である。上層/下層の膜厚比を、０．４以上、１．０以下とすることによって、走査線１０の断面において、電池作用によって上層１２のエッチング速度が遅くなって、上層１２の庇部が形成されることを防止する。これによって、走査線１０に生じた庇部に起因して、映像信号線が走査線１０との交差部において断線することを防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素電極の間に重なる領域にデータ線や、画素電極と異なる電位が印加された第１容量電極が設けられている場合でも、画素電極の端部周辺に余計な電界が発生することを防止することのできる電気光学装置、投射型表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、画素電極９ａの間の第２画素間領域１０ｈに平面視で重なる領域にデータ線６ａおよび第１容量電極５ａが設けられているが、これらの電極（第１容量電極５ａおよびデータ線６ａ）より画素電極９ａの側には、画素電極９ａに導通する中継電極７ａが設けられている。このため、画素電極とデータ線との間、および画素電極と第１容量電極との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）

【課題】シール材の段差を一様にして、液晶の歩留まり、信頼性を向上する。
【解決手段】素子基板と、素子基板に設けられた薄膜トランジスタを有する画素部と、素子基板の画素部を囲むように設けられたシール材と、素子基板のシール材の内側に設けられた片側駆動方式の周辺駆動回路と、シール材下に設けられ、周辺駆動回路に接続される第１の配線、第２の配線と、シール材下の第１の配線及び第２の配線と対向する領域にそれぞれ設けられ、第１の配線及び第２の配線と電気的に絶縁された支持部材と、支持部材と一部が重なるように設けられたブラックマトリクスと、を有し、支持部材及び第１の配線は、同一材料からなる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】上部遮光膜を備えなくともチャネル形成領域を遮光することができる表示層装置。
【解決手段】チャネル形成領域上にシリコンを含むゲート絶縁膜１０３を有し、ゲート絶縁膜を介して、チャネル形成領域上にゲート電極１０４と、容量配線とを有し、その上にシリコンを含む第２絶縁膜１０６を有し、第２絶縁膜上に、Ａｌを含む第２配線を有し、その上に酸化シリコンを有する第３絶縁膜を有し、第３絶縁膜上に、Ａｌを含む第３配線を有する表示装置であって、第２配線及び第３配線はチャネル形成領域を遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】走査線をパターニング後、レジスト剥離の際、剥離液と水で形成されるアルカリによって走査線の断面端部が逆テーパとなることを防止する。
【解決手段】基板１００にＡｌ合金層１０１１とＭｏＣｒ合金層１０１２を積層し、ＭｏＣｒ合金層１０１２にレジスト５０を形成し、ＭｏＣｒ合金層１０１２、Ａｌ合金層１０１１の順にウェットエッチングする。Ａｌ合金層１０１１にはテーパθが形成されている。この状態で、基板１００をチャンバー内に投入して窒素プラズマ処理を行うことにより、Ａｌ合金層１０１１の端部側面にはＡｌＮ層１０１３が形成される。Ａｌ合金層１０１１の端部にＡｌＮ層１０１３が形成されているので、レジスト剥離を行う際に、剥離液と水で形成されるアルカリによって、Ａｌ合金層１０１１がサイドエッチされて走査線断面が逆テーパとなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、対向電極８２と、液晶層２８と、第１配向膜７１と、第１配向膜７１と画素電極３５との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層７０と、液晶層２８と対向電極８２との間に、対向電極８２と当接して設けられた第２配向膜８３と、を備える。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも低い。 （もっと読む）

【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を確保し、低い電圧で液晶を駆動して消費電力を低減し、また、開口率を大きくし、さらに色相による透過率の差を補償する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、第１基板及び第２基板の間に封止されており、複数の液晶分子で構成される液晶物質層と、第１基板上に形成される面形電極と、第１基板上に形成され、画素領域において面形電極と重畳する少なくとも２つの線形電極とを含み、線形電極と面形電極との間に電圧を印加することにより電気場が生成され、線形電極の境界における電気場の平均水平成分は、２つの線形電極の中間における電気場の平均水平要素よりも大きい、液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）