説明

Fターム[2H092JB31]の内容

Fターム[2H092JB31]の下位に属するFターム

形状 (396)
層構造 (493)
大きさ (118)

Fターム[2H092JB31]に分類される特許

1 - 20 / 1,254




【課題】 外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、画素の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置1は、信号電極228はX方向と交差するY方向に沿って延在
して設けられており、ドレイン配線Dと補助容量線222とは、信号電極229の形成領域内で、互いに重なるようにY方向での信号電極228の一端から他端にかけて延在していること
を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第2基板22の主面21a上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第1絶縁膜226を形成する工程と、第1絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第2基板22の反対主面22b側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、素子基板10および基板本体10w(第1基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層18(第1シリケートガラス層)であり、対向基板20および基板本体20w(第2基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層28(第2シリケートガラス層)である。シール材107で囲まれた領域で、シリケートガラス層18は、画素電極9aおよびダミー画素電極9bの非形成領域9cで液晶層50に表面を向けており、シリケートガラス層28は、共通電極21の非形成領域21cで液晶層50に表面を向けている。 (もっと読む)


【課題】製造容易な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の導光部のそれぞれは、一端と、他端と、一端から他端に向かう第1方向に沿って延在する側面と、を有する。複数の導光部は、第1方向に対して交差する第2方向に、互いに離間しつつ並ぶ。光源は、導光部の一端から導光部中に光を入射させる。支持基板は、導光部の側面に接する第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有し、前記側面に接する部分が透明である。第1電極は、第2主面に設けられた光透過性の電極である。対向基板は、第2主面と対向し、第1電極と離間して設けられる。第2電極は、対向基板の前記第2主面と向かい合う面に設けられた光透過性の電極である。複数のスペーサは、支持基板と対向基板との間に設けられ、第1方向及び第2方向に対して平行な平面に射影したときに、複数の導光部間に配置される。 (もっと読む)


【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるV−T特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 (もっと読む)


【課題】静電破壊が起こりにくく、しかも、静電破壊が起こったときにショートが起こりにくい静電保護回路を有する電気光学装置およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、絶縁基板上に、複数の画素を有する画素領域と、画素領域の周縁に形成されたフレーム領域とを備えている。フレーム領域は、画素を駆動する駆動回路と、制御信号線と、共通電位と同一電位の共通電位電極と、駆動回路を保護する静電保護回路とを有している。静電保護回路は、制御信号線と共通電位電極との間に互いに直列に接続されるとともに、薄膜トランジスタで構成された複数のダイオードを有している。本技術の表示装置は、上記の電気光学装置を表示パネルとして備えている。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素電極PEと、画素電極PEが配列する行に沿って延びるゲート配線Gと、列に沿って延びるソース配線Sと、複数の画素電極PEが配置された領域ACTの周囲の領域において画素電極PEと同層に配置され、ゲート配線Gと同層に配置された第1導電体とソース配線Sと同層に配置された第2導電体とを電気的に接続する電極EBと、電極EBの端部に沿って設けられた突起200と、を備えた第1基板ARと、複数の画素電極PEが配置された領域ACTおよび周囲の領域と対向した共通電極CEを備え第1基板ARと対向して配置された第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に挟持された液晶層LQと、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】各画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べて画素小型化を可能にすると共に、各画素内に2つのSRAMを用意した場合においた構成でも安定な動作を行う。
【解決手段】画素12Aは、列データ線dに出力されるデータがスイッチSW11によりサンプリングされてSRAM121に書き込まれる。画像表示部11を構成する全ての画素12AのSRAM121にデータが書き込まれる。その後、トリガパルスにより、全ての画素12AのスイッチSW12がオンとされ、SRAM121のデータがDRAM122を構成する容量C1に一斉に転送されて保持されると共に、反射電極PEに印加される。画素12Aは、7個のトランジスタと1つの容量C1とから構成されるため、少ない数の構成素子により画素を構成できると共に、SRAM121とDRAM122と反射電極PEとを、素子の高さ方向に有効に配置することで、画素の小型化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】 1つの表示領域を2つの領域に分割し、当該2つの領域に並行して映像や画像を表示する液晶表示装置におけるドライバ回路の発熱を抑え、かつ、画質の低下を防ぐ。
【解決手段】 液晶表示パネルの1つの表示領域は、走査信号線の延在方向と一致する境界線により第1の表示領域と第2の表示領域に分割されており、前記第1の表示領域の画素のTFT素子が接続している映像信号線と、前記第2の表示領域の画素のTFT素子が接続している映像信号線とは、電気的に絶縁されており、前記第1の表示領域および前記第2の表示領域のそれぞれの表示領域において、前記映像信号線の延在方向に沿って並んだ複数個の画素の列には、それぞれ、2本の隣接する映像信号線のうちの一方の映像信号線にTFT素子が接続している画素と、前記2本の隣接する映像信号線のうちの他方の映像信号線にTFT素子が接続している画素とが、交互に並んでいる液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】製造コストの削減が可能であるとともに、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板の内側に位置するとともに第1方向に沿って延出した第1信号配線、第1方向に交差する第2方向に沿って延出した第2信号配線、及び、第2方向に沿って延出した第1主電極を有する第1電極と、を備えた第1基板と、第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と対向する内面に形成されるとともにそのエッジが前記第2信号配線の直上に位置するカラーフィルタと、前記カラーフィルタの前記第1基板と対向する側に不透明な配線材料を用いて形成され前記第1電極を挟んだ両側で第2方向に沿って延出した第2主電極を有する第2電極と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 (もっと読む)


【課題】2D映像と3D映像を選択的に実現する。
【解決手段】複数のピクセルを含み2D映像と3D映像を選択的に表示する表示パネルと、表示パネルからの光を分割するパターンドリターダを備え、ピクセルそれぞれは、第1TFTを通じデータラインに接続された第1画素電極と、上部共通ラインに接続され第1画素電極に対向する第1共通電極を含んだメイン表示部と、第2TFTを通じてデータラインに接続され放電制御TFTを通じて上部共通ラインに接続される第2画素電極と、上部共通ラインに接続され第2画素電極に対向する第2共通電極を含んだ補助表示部と、第1TFTと第2TFTに共通でスキャンパルスを印加するゲートライン、放電制御TFTに放電制御電圧を印加する放電制御ラインを含み、メイン表示部と補助表示部の間に配置された配線部を備え、上部共通ラインに共通電圧を印加する下部共通ラインはメイン表示と補助表示部の外郭部に形成される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第1の絶縁基板と、第1の絶縁基板上に実質的に第1の方向に互いに平行するように配値されたゲート配線およびストレージ配線と、ゲートおよびストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第2の方向に配値されたデータ配線と、データ配線上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された第1の画素電極と第2の画素電極と、第1の画素電極に隣接する第2の画素電極を含み、ストレージ配線は、実質的に第1の方向に配値された水平部および水平部から実質的に第2の方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部を含み、垂直部は、第1の画素電極および第2の画素電極とオーバーラップし、第1の画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は第2の画素電極および垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】信号配線と配向膜ストッパとの間における電界の発生を抑制することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
表示領域よりも外側の領域に形成され、少なくとも表示領域の2つの異なる辺に沿って形成される配向膜ストッパを有し、該配向膜ストッパは液状の配向膜材料に対して疎水性を有する薄膜材料からなり、配向膜ストッパの塗布時において、第1基板側の最上層に形成される第2の導電体層SPと、絶縁膜を介して第2の導電体層SPの下層に配置され、第2の導電体層SP側から平面的に見て、第2の導電体層SPの長手方向の辺縁部が露出するように配置される第1の導電体層SHとからなり、第1の導電体層SHが表示領域の辺部に配置される信号線と第2の導電体層SPとの間の薄膜層に形成されてなる液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置1において、半導体層ASIと半導体層ASIの液晶材側の面に形成された金属層Mとの積層部分であり、かつ画素電極MITの液晶材側の面に重なる部分である重なり部50を含むソース電極SD2を有し、第2の絶縁層PAS2は、ソース電極SD2の液晶材側の面から重なり部の50端部、及び画素電極MITの一部を開口するように形成されており、ソース電極SD2の液晶材側の面から重なり部50の端部上、及び画素電極MIT上に、ソース電極SD2の液晶材側の面から重なり部50の端部、及び画素電極MITを導通させる導体膜70が形成されている。 (もっと読む)


1 - 20 / 1,254