【課題】 外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、画素の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置１は、信号電極228はＸ方向と交差するＹ方向に沿って延在
して設けられており、ドレイン配線Ｄと補助容量線222とは、信号電極229の形成領域内で、互いに重なるようにＹ方向での信号電極228の一端から他端にかけて延在していること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。シール材１０７で囲まれた領域で、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで液晶層５０に表面を向けており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで液晶層５０に表面を向けている。 （もっと読む）

【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びるゲート配線Ｇと、列に沿って延びるソース配線Ｓと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴの周囲の領域において画素電極ＰＥと同層に配置され、ゲート配線Ｇと同層に配置された第１導電体とソース配線Ｓと同層に配置された第２導電体とを電気的に接続する電極ＥＢと、電極ＥＢの端部に沿って設けられた突起２００と、を備えた第１基板ＡＲと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴおよび周囲の領域と対向した共通電極ＣＥを備え第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素電極に光反射防止構造が採用され、明るい表示が可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、第１基板としての素子基板１０と、第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とにより挟持された液晶層５０と、画素電極層１５と、画素電極層１５に対応したトランジスター３０と、トランジスター３０と画素電極層１５との間に設けられ、コンタクトホールＣＮＴ２が形成された層間絶縁膜１２とを備え、画素電極層１５は、第２層間絶縁膜１２側から順に形成された、導電性の第１透光性層１５ａと、第１透光性層１５ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性層１５ｂと、第２透光性層１５ｂよりも屈折率が大きく導電性の第３透光性層１５ｃとを含み、コンタクトホールＣＮＴ２内において第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】画素領域の平坦性が改善され、画素領域で液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜１３と、第１の絶縁膜１３の上に形成され、保持容量電極が配置された保持容量領域Ｓと、第１の絶縁膜１３と保持容量電極とを覆って形成された第２の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１４の上に配置された複数の画素電極１５とを備え、第１の絶縁膜１３に凹部９を形成し、凹部９の底面９ａに保持容量領域Ｓを形成する。第２の絶縁膜１４の前駆体膜１４ａでは、下層の保持容量１６の形状が反映した、保持容量領域Ｓで広範囲に盛り上がった凸形状が軽微になる。平坦化処理を施すことで、広範囲に盛り上がった凸形状は解消され、平坦な表面の第２の絶縁膜１４を得ることができる。従って、画素領域Ｅでは液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の提供。
【解決手段】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の場合、共通電極の真上または直下に共通電圧線を形成して、直接的に接触させることにより、共通電圧線の信号遅延を低減するとともに、液晶表示装置の開口率の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１方向に沿って延出し第２方向に沿って第１ピッチで配置された第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、第２方向に沿って延出し第１方向に沿って第１ピッチよりも大きな第２ピッチで配置された第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第２ゲート配線及び前記第１ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記第１ゲート配線及び前記第２ゲート配線と前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線とで囲まれた画素電極であって、第２方向に沿って延出した主画素電極及び第２方向に沿って延出するとともに前記スイッチング素子とコンタクトするコンタクト部を備えた画素電極と、を備えた第１基板と、前記主画素電極と前記コンタクト部との間に位置し第２方向に沿って延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 有効表示領域周辺の配線や回路を保護し、かつ飛び込み電圧の影響を抑制することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素を含む液晶表示装置において、画素はソース及びドレイン電極１０５とゲート電極１０１とを備えたＴＦＴと、コモン電極１０８と画素電極１０６（１２０）とを備えた画素部とを含み、コモン電極１０８は、画素電極１０６（１２０）、ソース及びドレイン電極１０５上に形成された無機パッシベーション膜１０７上に設けられ、ゲート電極１０１は隣接する画素の画素電極１２０と重なって保持容量を構成する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量増加による画質劣化や、ＴＦＴ素子における逆電流の上昇という不具合の発生を抑制しつつ、遮光性能を向上させることの可能な空間光変調素子および投射型表示装置を提供する。
【解決手段】空間光変調素子は、走査線および信号線の交差部分に対応して設けられた複数の画素回路と、画素回路に対応して設けられたフローティング遮光層とを備えている。画素回路は、ＬＤＤ領域を含むＴＦＴ素子を有している。フローティング遮光層は、少なくともＬＤＤ領域との対向領域に配置されるとともに、信号線よりもＬＤＤ領域に近接して配置されている。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、半導体層５３は、平面視においてゲート電極５１の範囲内に配置される。ソース電極５５及びドレイン電極５７は、平面視において半導体層５３の範囲内に配置される。シールド７は、保護絶縁膜４上に配置され、画素電極６と同一の材料からなり、画素電極６と電気的に接続されていない。 （もっと読む）

【課題】広視野角の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを覆う平坦化絶縁膜18上に液晶駆動用の画素電極19、画素電極19の上にはラビング処理を施さない垂直配向膜31が形成され、共通電極23中には電極不在部である配向制御窓24、共通電極23上にはラビング処理を施さない垂直配向膜32が形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶はプレチルトを有することなく法線方向に初配向制御され、電圧印加により、画素電極19端及び配向制御窓24端における斜め電界に傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。画素間のブラックマトリクスが省略されてＴＦＴに対応する領域のみ遮光膜21BLが形成され、光リーク電流を防いでいる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Ｇと、ゲート配線Ｇと交差するソース配線Ｓと、コンタクト部ＰＣおよびコンタクト部ＰＣから延びた主画素電極ＰＡを備えた画素電極ＰＥと、ソース配線Ｓの下に配置されゲート配線Ｇと交差しソース配線Ｓの下から屈曲してコンタクト部ＰＣの下へ延びた半導体層ＰＳと、を備えた第１基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲと対向して配置され、主画素電極ＰＡを挟んだ両側で主画素電極ＰＡと略平行に延びた主共通電極ＣＡを備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、半導体層ＰＳは、ゲート配線Ｇと交差する位置の一方側でソース配線Ｓと電気的に接続するとともに、ゲート配線Ｓと交差する位置の他方側でコンタクト部ＰＣと電気的に接続している液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴにおいて発生する光リーク電流を抑制し、表示画質の向上を図ることができる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】 液晶表示装置を構成する液晶表示パネル１は、画素トランジスタが形成されたアレイ基板ＡＲと、色レジスト１２ａ〜１２ｃを含みアレイ基板ＡＲと対向するカラーフィルタ基板ＣＦと、少なくとも各画素トランジスタに覆うように形成されたブラックマトリクス１０とを備える。色レジスト１２ａ〜１２ｃとブラックマトリクス１０の間にはそれぞれ反射防止膜１１ａ〜１１ｃが設けられている。ここで、反射防止膜１１ａ〜１１ｃの屈折率と膜厚は、光源からの入射光がブラックマトリクス１０および反射防止膜の界面で反射する反射光と、反射防止膜および色レジストの界面で反射する反射光とが互いに打ち消しあうように定められる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１波長範囲の光を透過する第１カラーフィルタＣＦ１と、第１波長範囲よりも長波長の第２波長範囲の光を透過する第２カラーフィルタＣＦ２と、前記第２カラーフィルタの上に配置された第１スイッチング素子ＳＷ１と、前記第２カラーフィルタの上に配置された第２スイッチング素子ＳＷ２と、前記第１スイッチング素子と電気的に接続され、前記第１カラーフィルタの上方に位置する第１画素電極ＰＥ１と、前記第２スイッチング素子と電気的に接続され、前記第２カラーフィルタの上方に位置する第２画素電極ＰＥ２と、を備えたアレイ基板を具備することを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】データ線と電界効果型トランジスターとを電気的に接続するコンタクトホール内の構成を改良して、コンタクトホールでの迷光の反射、およびデータ線の抵抗ばらつきを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、コンタクトホール４２ａの内部には、コンタクトホール４２ａの内壁４２ａ₁に沿って導電性の多結晶シリコン膜６０ａが形成され、多結晶シリコン膜６０ａに対して内壁４２ａ₁とは反対側にはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムからなる遷移金属膜６６ａが積層されており、データ線６ａは、導電性の多結晶シリコン膜６０ａと、金属材料層６５（遷移金属膜６６ａ、アルミニウム膜６７ａおよびチタン窒化膜６８ａ）との積層構造を有している。多結晶シリコン膜６０ａと遷移金属膜６６ａとの間にはシリサイド層６１が介在している。 （もっと読む）

【課題】表示画像の焼き付きが少なく、高品位な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、少なくとも一方が透明な一対の基板と、一対の基板間に配置された液晶層２４０と、一対の基板の一方の基板２３２に形成され、液晶層２４０に電界を印加するための一対の電極群と、一対の電極群に接続された複数のアクティブ素子と、液晶層２４０に接する面上に形成された配向膜２３７とを有する液晶表示装置であって、一画素の領域において一対の電極群のうちいずれか一方の電極２３３は平板状、他方の電極２３６は櫛歯状に形成されており、一対の電極の間には絶縁膜２７０が配置され、櫛歯状電極の上に配向膜２３７が配置され、絶縁膜２７０の比抵抗ρ_ｐ（Ωｃｍ）および膜厚ｄ_ｐ（ｎｍ）、配向膜２３７の比抵抗ρ_Ａ（Ωｃｍ）および膜厚ｄ_Ａ（ｎｍ）が関係式（ρ_ｐ・ρ_Ａ）／（ρ_ｐ・ｄ_Ａ＋ρ_Ａ・ｄ_ｐ）≧８×１０^１７（Ω）を満たす。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、透光膜の膜厚の測定結果に基づいて、透光膜の表面側からの研磨量やエッチング量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。この状態で、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに光を照射し、膜厚を測定する。 （もっと読む）