【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】傷がガラス基板上にあっても視認し難く、要求される表示品質を備えたＩＰＳ型液晶表示パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに貼り合された二枚のガラス基板１１，２１の間に液晶１が封入されたＩＰＳ型液晶表示パネルＰである。二枚の基板１１，２１のうち視認側となる一方の基板１１の視認側の面に、第一層膜４及び第二層膜５が積層された下地層と、透明導電膜６と、偏光板１７と、が順次積層されている。第一層膜４の屈折率ｎ１，第二層膜５の屈折率ｎ２及び透明導電膜６の屈折率ｎ３は、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３である。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率に優れると共に、容易に製造可能な液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターを提供すること。
【解決手段】対向配置され、複数の画素領域が設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち第一基板において複数の前記画素領域のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記一対の基板のうち前記第一基板において前記スイッチング素子よりも前記液晶層側に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第一光屈折部と、前記一対の基板のうち前記第一基板とは異なる第二基板に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第二光屈折部とを備え、前記第一光屈折部及び前記第二光屈折部のうち、一方は曲面状に形成されており、他方は平面視で前記画素領域の中央部へ向けて傾斜する複数の平面によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、画素の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置１は、信号電極228はＸ方向と交差するＹ方向に沿って延在
して設けられており、ドレイン配線Ｄと補助容量線222とは、信号電極229の形成領域内で、互いに重なるようにＹ方向での信号電極228の一端から他端にかけて延在していること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線密度を高くしすぎることなく断線を修復することが可能であり、フレキシブル性を持たせる場合に短絡や断線などを抑えることが可能な薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電層と、前記第１導電層の少なくとも一部に対向して、前記第１導電層に合わせた平面形状の開口を有する絶縁膜と、前記開口を塞ぐと共に前記開口内で前記第１導電層に接するパッチ部を含む第２導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】コントラストや透過率を向上させることができ、高品質な画像を表示可能とする液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第２基板１２上に設けられた、第１透明導電膜４１と、第１透明導電膜４１より屈折率が低い透明絶縁膜４２と、透明絶縁膜４２よりも屈折率が高い第２透明導電膜４３と、を有する透明積層膜４０と、第２基板１２と透明積層膜４０との間に配置された遮光層１８と、を備え、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とは、遮光層１８と平面的に重なる領域において電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程を増やすことなく液晶表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１透明電極１４の端部に載る第１絶縁層３０と、第１絶縁層３０下のゲート電極１８と、第１絶縁層３０上の半導体層３４と、半導体層３４上から第１透明電極１４上に至るように形成されて第１透明電極１４に電気的に接続する第１配線４６と、第１配線４６から間隔をあけて半導体層３４上から引き出された第２配線４８と、第１配線４６、第２配線４８、半導体層３４及び第１透明電極１４を覆う第２絶縁層５４と、第２絶縁層５４上に形成された第２透明電極６０と、第２透明電極６０の上に配置された液晶層６６と、を有する。第１透明電極１４と第２透明電極６０の間に印加される電圧によって、基板１０の面方向に電界を加えて、液晶層６６の液晶分子を基板１０と平行な面内で回転させる。 （もっと読む）

【課題】画素電極に光反射防止構造が採用され、明るい表示が可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、第１基板としての素子基板１０と、第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とにより挟持された液晶層５０と、画素電極層１５と、画素電極層１５に対応したトランジスター３０と、トランジスター３０と画素電極層１５との間に設けられ、コンタクトホールＣＮＴ２が形成された層間絶縁膜１２とを備え、画素電極層１５は、第２層間絶縁膜１２側から順に形成された、導電性の第１透光性層１５ａと、第１透光性層１５ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性層１５ｂと、第２透光性層１５ｂよりも屈折率が大きく導電性の第３透光性層１５ｃとを含み、コンタクトホールＣＮＴ２内において第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】透過率を向上することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１配向膜と対向するとともに前記第１配向膜の配向処理方向と平行且つ逆向きに配向処理された第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板の前記第１配向膜と前記第２基板の前記第２配向膜との間に保持されるとともに、７５℃の転移温度Ｔｎｉにおいて誘電率異方性Δεが＋３．３以上、＋５．３以下の材料からなる液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配向膜は、基板上のポリシロキサンに結合した第１プレチルト官能基、第２プレチルト官能基及び第１垂直配向性官能基を含む。環状化合物を含む前記第１垂直配向性官能基３３は、前記基板１９１に対して実質的に垂直方向に配列する。前記第２プレチルト官能基と架橋した前記第１プレチルト官能基３５ａは、前記基板に対して傾くように配列する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１において、半導体層ＡＳＩと半導体層ＡＳＩの液晶材側の面に形成された金属層Ｍとの積層部分であり、かつ画素電極ＭＩＴの液晶材側の面に重なる部分である重なり部５０を含むソース電極ＳＤ２を有し、第２の絶縁層ＰＡＳ２は、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部の５０端部、及び画素電極ＭＩＴの一部を開口するように形成されており、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部上、及び画素電極ＭＩＴ上に、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部、及び画素電極ＭＩＴを導通させる導体膜７０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層へ酸素を効率よく供給し、トランジスタ特性を向上することが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する酸化物半導体層と、チャネル領域を覆うチャネル保護膜と、チャネル保護膜の両側の酸化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともソース電極およびドレイン電極上に設けられた保護膜と、酸化物半導体層に設けられ、保護膜と同一の構成材料が充填された１または２以上の凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】トップゲート型の薄膜トランジスタのオフリーク電流を低減させ、表示品質を向上させることが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
ゲート線からの走査信号に同期しドレイン線からの映像信号を画素電極に出力する薄膜トランジスタが形成される第１基板を有する液晶表示装置であって、ゲート電極が半導体層よりも第１基板よりも遠い側に形成され、ドレイン電極がドレイン線に接続される第１の薄膜トランジスタと、第１の薄膜トランジスタと直列に接続され、ソース電極が画素電極に電気的に接続される第２の薄膜トランジスタと、半導体層と第１基板との間に形成され、第１基板側から入射されるバックライト光を遮光する遮光層とを備え、前記遮光層は、平面的に見て、第１の薄膜トランジスタと重畳して形成され、第１の薄膜トランジスタ側に入射するバックライト光を遮光すると共に、第２の薄膜トランジスタ側に入射するバックライト光は通過させる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画素領域の周囲においてグローバル段差を生じ難くして、高い表示品質が得られる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置は、基板としての素子基板１０上に画素電極１５と、画素電極１５と素子基板１０との間において平面視で画素電極１５と重なって配置された保持容量１６と、画素電極１５と保持容量１６との間に形成され平坦化処理が施された第３層間絶縁膜１４と、複数の画素電極１５を含む画素領域Ｅの周辺領域Ｅｃに配置され、保持容量１６と同一配線層に形成されたダミーパターンＤｐ１と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板のずれを防止し、微小輝点の発生率を低減することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２８と第２基板３６とのギャップを保持するスペーサ８０と、第２配向膜２２側に窪み６６を有する下地層４０と、対向する第１配向膜１８の第１面２０及び第２配向膜２２の第２面２４に挟まれた液晶層２６と、を有し、第１配向膜１８は、スペーサ８０の形状に沿って、第１面２０が突出する第１凸部８２を有し、下地層４０の窪み６６の底面は、凹凸状に形成され、第２配向膜２２の第２面２４には、下地層４０の形状に対応して窪み８４が形成され、第２配向膜２２の窪み８４は、第２配向膜２２の第２面２４よりも低い第２凸部７６と、第２凸部７６よりも低い底面を有する凹部７８とによって凹凸状に形成され、第１配向膜１８の第１凸部８２は、第２配向膜２２の窪み８４に入って第２凸部７６に接触している。 （もっと読む）