【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】走査線ＧＬと、走査線ＧＬと交差する信号線ＳＬと、信号線ＳＬが延びる方向に延び走査線ＧＬが延びる方向に並んで配置された複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３を含む画素電極ＰＥと、複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３の間において信号線ＳＬが延びる方向に延び、櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３と所定のスペースを置いて配置された複数の櫛歯共通電極ＣＥ１〜ＣＥ４を含む共通電極ＣＥと、少なくとも信号線ＳＬと信号線ＳＬの近傍に配置された櫛歯画素電極ＰＥ１、ＰＥ３との間に配置され、共通電極ＣＥと同じ電圧が印加された遮光部ＣＯＭ１と、を備えた第１基板１０１と、第１基板１０１と対向して配置された第２基板１０２と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制し、表示モード効率を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出するように形成される一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極とを備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
走査信号線と映像信号線とを有する第二の基板と、前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の底面側から伸延される下端側電極とからなる第一の電極と、前記画素の領域内に形成される第一の線状電極と、前記第二の基板側に形成され、前記前記第一の線状電極と対峙する第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、３分割以上の分割構造を実現することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、複数の画素と、各画素に関連付けられた、ＴＦＴ（ＴＦＴ−Ａ、Ｂ、Ｃ）と、ソースバスラインと、ゲートバスラインと、ＣＳバスライン（ＣＳ−Ａ、Ｂ）とを有する。各画素は、それぞれが互いに異なる電圧を保持し得る液晶容量を有する少なくとも３つの副画素（ＳＰ−Ａ、Ｂ、Ｃ）を有し、２つの副画素は、２つのＣＳバスライン（ＣＳ−Ａ、Ｂ）のいずれか一方に接続された補助容量を有し、１つの副画素は、ゲートバスラインに接続された補助容量を有する。 （もっと読む）

【課題】段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡する恐れのない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた第２の電極とを有し、前記第１の絶縁膜は、第１のコンタクトホールを有し、前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間と、前記第１のコンタクトホール内とに一体的に形成されており、前記第１のコンタクトホール内の前記第２の絶縁膜には、第２のコンタクトホールが形成されており、前記第２の絶縁膜は、第１の膜厚で形成した後、前記第２の電極を形成する前に前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚まで薄膜化されて形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法による窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】バリアーパターンを利用して立体映像を具現でき、バリアーパターン及び電極パターンを利用して外部のタッチ情報を認識できる表示装置が提供される。
【解決手段】第１基板、第１基板と対向して具備された第２基板、及び複数の画素を含む表示パネルと、第２基板に具備され、第１方向へ延長された複数の電極パターンと、第２基板に具備され、電極パターンと絶縁されるように第１方向と異なる第２方向へ延長された複数のバリアーパターンと、を含み、各画素は、第１方向へ延長されたゲートラインと、第２方向へ延長されたデータラインと、ゲートライン及びデータラインに電気的に連結され、電極パターンの中で対応する電極パターンと電界を形成して階調を表示する画素電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１の電極と第２の電極と、ソース電極とドレイン電極のうちの一方が前記第１の電極と接続された薄膜トランジスタと、前記一方の電極よりも上層に順に形成される第１のシリコン窒化膜および有機絶縁膜とを有する。前記第２の電極は前記有機絶縁膜よりも上層に形成され、第２のシリコン窒化膜は前記第２の電極と前記第１の電極との間の層に形成され、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜は両者を貫通しソース電極とドレイン電極のうち一方の電極と前記第１の電極とを接続するコンタクトホールを有し、前記第２のシリコン窒化膜は、前記一方の電極と接触する領域を持たず、前記第２のシリコン窒化膜の下面が前記コンタクトホールにおいて前記第１のシリコン窒化膜の上面と接触している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、このような半導体装置を実現する酸化物材料を提供する。
【解決手段】それぞれ、ｃ軸配向し、ａｂ面、上面または被形成面に垂直な方向から見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸においては、金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、Ｉｎ_２ＳｎＺｎ_２Ｏ_７（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは０または自然数。）で表される、ａｂ面（または上面または被形成面）においては、ａ軸またはｂ軸の向きが異なる二種以上の結晶部分を含む酸化物膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】高開口率と輝度均一性を実現し、画像品質を向上することができる。
【解決手段】サブ画素には、画素電極４ＰＩＸ、画素薄膜トランジスタ４ＴＦＴ、蓄積容量電極ＣＳ２が配置されている。蓄積容量電極ＣＳ２は、蓄積容量線ＣＳと同層で形成され、蓄積容量線ＣＳと電気的に接続されている。蓄積容量４ＣＳは、主に蓄積容量電極ＣＳ２とシリコン層４ＳＩから構成される電極との間で絶縁膜を介して形成される。画素薄膜トランジスタ４ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極の一方は、コンタクトホール４ＣＯＮＴ１を介してデータ線Ｄに接続され、他方は、コンタクトホール４ＣＯＮＴ２を介して画素電極４ＰＩＸに接続される。 （もっと読む）

【課題】 製造歩留まりの高いアレイ基板、液晶表示装置及びアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 アレイ基板は、複数の補助容量電極１７と、複数の半導体層１５と、複数のゲート電極２０と、複数の補助容量線２１と、複数の第１コンタクトホールＣＨ１及び複数の第２コンタクトホールＣＨ２を有した層間絶縁膜２２と、複数の第１コンタクトホールを通って複数の半導体層のソース領域に電気的に接続された複数の信号線２７と、少なくとも複数の第２コンタクトホールを通って複数のゲート電極に電気的に接続され、複数のゲート電極とともに複数の走査線１９を形成する複数の接続電極２８と、複数の画素電極３４と、を備える。互いに隣合う一方の画素電極３４が接続された補助容量電極１７と、他方の画素電極３４が接続された補助容量電極１７とは、走査線１９を挟んで対向している。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、データ線（６）に接続された第１ソースドレイン領域、及び画素電極（９）に接続された第２ソースドレイン領域を含んでなる半導体層（３０ａ）と、半導体層と画素電極との間に配置され、一の走査線（１１）に接続されたゲート電極（３０ｂ）とを有するトランジスター（３０）と、一の走査線に隣り合う走査線に接続された第２トランジスターのゲート電極が延在してなる第１容量電極と、第１容量電極と画素電極との間に設けられるとともに第２ソースドレイン領域に接続された第２容量電極とを有する蓄積容量（７０）とを備える。蓄積容量は、半導体層とゲート電極との間の絶縁膜及び半導体層と基板との間の絶縁膜を貫通するとともに基板に設けられた溝内の少なくとも一部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）