【課題】 外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、画素の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置１は、信号電極228はＸ方向と交差するＹ方向に沿って延在
して設けられており、ドレイン配線Ｄと補助容量線222とは、信号電極229の形成領域内で、互いに重なるようにＹ方向での信号電極228の一端から他端にかけて延在していること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１配向膜と対向する第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板の前記第１配向膜と前記第２基板の前記第２配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第２基板22の主面21ａ上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第１絶縁膜226を形成する工程と、第１絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第２基板22の反対主面22ｂ側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。シール材１０７で囲まれた領域で、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで液晶層５０に表面を向けており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで液晶層５０に表面を向けている。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第１方向に延出した第１補助容量線及び第２補助容量線と、第１補助容量線と第２補助容量線との間に位置し第１方向にゲート配線と、画素の略中央でゲート配線の上方に位置する半導体層と、半導体層とコンタクトし第２方向にソース配線と、半導体層にコンタクトし第１補助容量線及び第２補助容量線の上方に延出したドレイン電極と、ドレイン電極と電気的に接続され第１補助容量線と対向し第１方向に延出した第１主画素電極及びドレイン電極と電気的に接続され第２補助容量線と対向し第１方向に延出した第２主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第１基板と、第１主画素電極を挟んだ両側及び第２主画素電極を挟んだ両側に位置し第１方向に延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物に起因する表示不具合が改善された液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極１５が配列する画素領域Ｅが設けられた第１基板としての素子基板１０と、共通電位が印加される共通電極２３が設けられた第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わすシール材４０と、シール材４０で囲まれた領域内に保持された液晶層５０と、を備え、素子基板１０は、平面視で画素領域Ｅとシール材４０との間において、共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層としての定電位配線１２１ｓと、定電位配線１２１ｓと液晶層５０との間に設けられると共に、平面視で定電位配線１２１ｓの少なくとも一部と重なって設けられ、共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層としての周辺電極１４１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第１の配線と、信号線として機能することができる第２の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第１の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置１００においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第１基板１０側の配向膜１６には、画素電極９ａの端部に平面視で重なる部分に、配向膜１６の膜厚を他の領域より薄くする凹部１６ａが設けられている。凹部１６ａが設けられている部分では、液晶層５０に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子５０ｂの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層５０での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。 （もっと読む）

【課題】視野角の広い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、複数の画素ＰＸと、を備える。複数の画素ＰＸは、１つ又は複数の主画素電極ＰＡと、複数の主共通電極ＣＡと、を有している。各画素ＰＸは、第１方向Ｘに沿った主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間の隙間が互いに異なる複数の領域Ｒ３、Ｒ４を有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が２．０１で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が１．９３で信号を表さない半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ８８１は、リーク電流が小さいため、画素８８０内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素８８０の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極や走査線（ゲート線）及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極と第２の配線134を形成する。第１及び第２の配線は、第１及び第２の絶縁膜を介して交差する。第２の配線134の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第１の配線及び第２の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びるゲート配線Ｇと、列に沿って延びるソース配線Ｓと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴの周囲の領域において画素電極ＰＥと同層に配置され、ゲート配線Ｇと同層に配置された第１導電体とソース配線Ｓと同層に配置された第２導電体とを電気的に接続する電極ＥＢと、電極ＥＢの端部に沿って設けられた突起２００と、を備えた第１基板ＡＲと、複数の画素電極ＰＥが配置された領域ＡＣＴおよび周囲の領域と対向した共通電極ＣＥを備え第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１方向に沿って延出した第１補助容量線及び第２補助容量線と、第１補助容量線と第２補助容量線との間に位置し第１方向に沿って延出したゲート配線と、第２方向に沿って延出したソース配線と、半導体層と、ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、半導体層にコンタクトしソース配線と電気的に接続されたソース電極と、半導体層にコンタクトした第１電極部、第１電極部に繋がり第１補助容量線と対向し第１方向に沿って延出した第２電極部、及び、第１電極部に繋がり第２補助容量線と対向し第１方向に沿って延出した第３電極部を備えたドレイン電極と、を備えた第１基板と、第２電極部を挟んだ両側及び第３電極部を挟んだ両側にそれぞれ位置し第１方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００においては、並列に電気的に接続された第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとによって保持容量７０が形成され、かつ、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは積層された構造になっている。また、素子基板１０の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量と、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量が形成されているとともに、検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから
選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた
一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満
の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】画素電極に光反射防止構造が採用され、明るい表示が可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、第１基板としての素子基板１０と、第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とにより挟持された液晶層５０と、画素電極層１５と、画素電極層１５に対応したトランジスター３０と、トランジスター３０と画素電極層１５との間に設けられ、コンタクトホールＣＮＴ２が形成された層間絶縁膜１２とを備え、画素電極層１５は、第２層間絶縁膜１２側から順に形成された、導電性の第１透光性層１５ａと、第１透光性層１５ａよりも屈折率が小さい絶縁性の第２透光性層１５ｂと、第２透光性層１５ｂよりも屈折率が大きく導電性の第３透光性層１５ｃとを含み、コンタクトホールＣＮＴ２内において第１透光性層１５ａと第３透光性層１５ｃとが電気的に接続されている。 （もっと読む）