【課題】従来のプラズマを用いたアモルファス型シリコン薄膜やポリシリコン薄膜の製造は、半導体層の形成に真空装置を用いるため、ｐ−ｎ接合やＴＦＴを形成する半導体薄膜を必要な部分にのみ選択的に形成することが難しいという課題がある。
【解決手段】 本発明は、印刷法を用いてチャネル領域が反応性単分子膜で被われたｎ型またはｐ型Ｓｉ微粒子で形成されているTFT やTFTアレイを製造提供することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＰＳパネルにおいて、ＲＧＢスイッチ機能がないドライバを用いようとする場合、ドライバ設置領域にＱＤ点灯検査回路を配置しようとしても、検査用トランジスタの幅を十分にとることができず、ＱＤ点灯検査を適切に行うことができない。
【解決手段】隣接する少なくとも１以上のトランジスタ毎に千鳥配置された複数のトランジスタを、ゲートメタルが複数のポリシリコン膜を横切ることにより形成し、前記複数のトランジスタを形成する部分の前記複数のポリシリコン膜の幅を、前記コンタクトと接続する部分よりも広く形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、反射型表示装置、半導体回路の製造方法および反射型表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実質的に透明な板状の基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、そのうえに透明樹脂からなる保護層を形成した。前記カラーフィルターが基材３の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 （もっと読む）

【課題】製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減でき、かつ、製造歩留りを向上させることが可能なＴＦＴ基板及びＴＦＴ基板の製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】ガラス基板１０と、ゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート絶縁膜３０と、ｎ型酸化物半導体層４０と、酸化物導電体層６０を具備し、チャンネル部４１を保護するチャンネル部用エッチストッパー５３と、酸化物導電体層６０を有する、ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】動作特性及び信頼性の向上した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去するとともに第２の酸化膜を形成し、前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンのように電気的特性が向上した薄膜トランジスタ表示板を低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されている制御電極１２４ａと、制御電極１２４ａ上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されていて、制御電極と重畳する半導体１５１と、半導体１５１と一部分が重畳する入力電極１７３ａと、半導体１５１と一部分が重畳する出力電極１７５ａと、を含み、半導体１５１は非晶質シリコンからなる第１部分と多結晶シリコンからなる第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は有機膜と無機膜と間の分離現象を防止することができる薄膜トランジスタ基板とその製造方法、及びこれを有する液晶表示パネルとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ基板は、ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを保護する有機保護膜と、ゲートラインとデータラインとの間に形成され有機保護膜との接触面と、有機保護膜との非接触面が異なる形態で形成された無機絶縁膜と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な方法で、配線基板上の所望の位置に、導電体や半導体として利用できる柱状構造体を整列させる。
【解決手段】 表面に下地絶縁膜１０２を形成したガラス基板１０１の表面に溝１０３を形成し、その上から溶剤に分散させたカーボンナノチューブを流して溝１０３内にカーボンナノチューブを配置させる。溝１０３内の溶剤を除去して、溝１０３内にカーボンナノチューブのみを残留させ、残留させたカーボンナノチューブに接触するようにソース／ドレイン領域１０４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流が少なく、画像を安定させるために効果的なキャパシタを具備した薄膜トランジスタ装置を簡単な工程で、安価に提供する。
【解決手段】 平面視的配置において、ソース電極が孤立島パターンをなし、ドレイン電極が該ソース電極を取り囲むように配置されており、さらにゲート電極が該ソース電極とドレイン電極の間隙を埋める位置に配置されてなり、かつ層間絶縁膜中のビアホールによって画素電極とソース電極間および画素電極とキャパシタ上部電極間が接続されている薄膜トランジスタ装置とする。また、この薄膜トランジスタ装置をマトリクス状に配置した薄膜トランジスタアレイとする。さらにこの薄膜トランジスタアレイと対向基板とで液晶層を挟んだ液晶ディスプレイとする。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、トランジスタのＯＦＦ電流が少なく、トランジスタのＯＮ電流のばらつきが少ない安価な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 この発明の薄膜トランジスタは、トランジスタ電流を制御するゲート電極２、チャネル部に流れる電流を与えるためのソース電極５、チャネル部に流れる電流を取り出すためのドレイン電極６、および電流が流れる領域であるチャネル部４０とから構成され、チャネル部４０が孤立した複数の領域に分割された半導体層４０ａ…で構成されている。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供する。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。 （もっと読む）