【課題】オフリーク電流を低減させた薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示部が形成される基板上に薄膜トランジスタが形成されている表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上面に、平面的に観て前記ゲート電極からはみ出すことなく、前記ゲート電極に重畳して形成された島状の半導体層と、前記半導体層を被って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された一対のスルーホールのそれぞれを通して前記半導体層と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記半導体層は、結晶性半導体層と非晶質半導体層の順次積層体からなり、前記電極のそれぞれは、不純物がドープされた半導体層と金属層の順次積層体からなっている。 （もっと読む）

【課題】安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにそれらを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。そして、前記ゲート絶縁膜４は酸化シリコン膜４ａからなり、ゲート電極６の底面と接する上記酸化シリコン膜４ａの少なくとも表面は酸窒化シリコン層４ｂから成っている。ここで、ゲート電極６は、例えば５００℃程度の比較的に低温で酸化シリコン膜と化学反応する高融点金属材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に有する電極の凹凸に起因するコントラスト低下を改善するための技術を、製造工程の清浄度を保ち、十分な光透過率を確保しつつ低コストで提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板ＳＵＢ１の主面に形成された薄膜トランジスタＴＦＴの上層を含めた画素領域に設けた第１電極ＣＴ/ＳＲＥと、第１電極ＣＴ/ＳＲＥの上に設けた容量絶縁層ＩＮＳと、容量絶縁層ＩＮＳの上に設けた第２電極ＰＸとを有し、第１電極ＣＴ/ＳＲＥと第２電極ＰＸを塗布型の透明導電膜、容量絶縁層ＩＮＳを塗布型の絶縁膜によって形成した。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン電極をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、酸素を含有する酸素含有層２８ａ、２９ａと、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。酸素含有層を構成する酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、酸素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】ベースコート層が除去されて露出したガラス基板の表面に対して、半導体デバイス部を確実に貼り付ける。
【解決手段】エッチング速度がガラス基板２２よりも速い犠牲膜３１を、ガラス基板２２に対し、貼付領域Ａの少なくとも一部を含む領域に形成する犠牲膜形成工程と、ベースコート層３２を犠牲膜３１を覆うように形成するベースコート層形成工程と、ベースコート層３２を介して犠牲膜３１の全体を覆うように非晶質半導体層２８を形成する非晶質層形成工程と、非晶質半導体層２８にレーザーを照射して非晶質半導体層２８を結晶化してエッチングすることにより結晶半導体層３３を形成する結晶層形成工程と、貼付領域Ａにおけるベースコート層３２及び犠牲膜３１をエッチングにより除去するエッチング工程と、貼付領域Ａに半導体デバイス部５３を貼り付ける貼り付け工程とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】表示装置の低消費電力化および高精細化を可能とする回路技術を提供することを課題とする。
【解決手段】ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に接続される、トランジスタのゲート電極にスタート信号によって制御されるスイッチを設ける。スタート信号が入力されると、スイッチを介して当該トランジスタのゲート電極に電位が供給され、当該トランジスタをオフする。当該トランジスタがオフすると、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極からの電荷の漏れを防止することができる。したがって、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に電荷を充電するための時間を早くすることができるので、高速に動作することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に透明な基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、その上に透明樹脂からなるオーバーコートを付与してから、カラーフィルター層の上に保護フィルムを貼った。基材３が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンに位置合わせして設けた。 （もっと読む）

【課題】 安定性に優れ、高移動度であり、フレキシブルディスプレイの画素部や駆動部に適した薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 絶縁基板上にゲート電極を有し、それらの上に形成されたゲート絶縁膜の上に、ドレイン電極、ソース電極が配置されており、ソース電極とドレイン電極の間隙を含むように酸化物半導体パターンが配置されている薄膜トランジスタ装置であって、該酸化物半導体パターン上に、封止層を有する。封止層が無機絶縁膜であり、例えば酸化窒化シリコンである。または、フッ素化樹脂である。また、少なくとも画素電極上には封止層を有しない。さらに封止層上に、画素電極部に開口を有する層間絶縁膜を有し、層間絶縁膜上に、開口部で画素電極と接続された上部画素電極を有する。 （もっと読む）

【課題】極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にプラズマＣＶＤ法によってフッ化水素酸とフッ化アンモニウムと界面活性剤の混合物に対するエッチングレートが１５０〜２００ｎｍ／ｍｉｎである二酸化珪素膜からなる下地膜を形成し、下地膜上に非晶質珪素膜を形成し、非晶質珪素膜を結晶化することによって面方位が概略｛１１１｝配向の結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜をエッチングすることによって島状半導体層を形成し、島状半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

電子デバイスは、ピクセルの制御回路と、開口部を含む第１の黒色層と、第２の黒色層とを含むことができる。この制御回路は、第１の黒色層と第２の黒色層との間に、ある高度で位置することができる。電子デバイスの形成方法は、基体上に第１の黒色層を形成するステップを含むことができ、第１の黒色層は開口部を含む。この方法は、第１の黒色層を形成するステップの後に、基体上にピクセルの制御回路を形成するステップを含むこともできる。この方法は、制御回路を形成するステップの後に基体上に第２の黒色層を形成するステップをさらに含むことができる。
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【課題】多結晶シリコンのように電気的特性が向上した薄膜トランジスタ表示板を低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されている制御電極１２４ａと、制御電極１２４ａ上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されていて、制御電極と重畳する半導体１５１と、半導体１５１と一部分が重畳する入力電極１７３ａと、半導体１５１と一部分が重畳する出力電極１７５ａと、を含み、半導体１５１は非晶質シリコンからなる第１部分と多結晶シリコンからなる第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】連続した波状形状有する形状のパターンを、均一な間隔をもって隣接して備えた半導体装置である。隣接するパターンにおいて、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、パターン同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接したパターンを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】レジストが形成されている半導体にイオンの導入すると、イオンとレジストの成分とが反応してガス（解離ガス）が発生し、解離ガスの成分が半導体に導入され、該半導体の物性を低下させる要因となっている。
【解決手段】有機膜から発生する解離ガスの処理を行うことを特徴とする。特に、本発明は、イオンの導入を行う前の解離ガスの処理を行うことを特徴とする。そのための方法として、イオンの導入を複数回に分けて行うことを特徴とする。解離ガスは、イオンの導入が始まった直後に最も多く発生する。そのため、イオンの導入を複数回に分け、少なくとも２回目以降のそれぞれのイオンの導入において、排気を行い解離ガスを処理室内から除去しながらイオンの導入を行えば、解離ガスの成分が半導体中に導入されることを低減もしくは防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ法を用いることなく、半導体層をパターニングすることで形成された、半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板上方に、第１の導電膜と、第２の導電膜と、上記第１および第２の導電膜上に形成された半導体層と、上記半導体層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された塗布膜と、を有し、上記半導体層と上記塗布膜の幅は等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造や製造工程の複雑化を最小限に抑えたまま、照度センサの分光感度特性を人間の視感度に十分に接近させ得る表示パネル、及びそれを搭載した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置では、表示パネルの周辺領域に照度センサが集積化されている。照度センサでは、赤、緑、白の三つの色フィルタが上部パネルに形成され、液晶層を隔てて各色フィルタと対向する下部パネルの領域に一つずつ光感知部が集積化されている。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）