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Fターム[2H092KA07]の内容

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【課題】単純化された工程を通じて表示能力が優れた薄膜トランジスタ基板を製造する方法に関する。
【解決手段】画面表示部と周辺部とを含む基板の上にゲート配線をITOまたはIZOとの接触特性が良好な下部金属膜と低抵抗上部金属膜との二重膜構造で形成し、ゲート絶縁膜、半導体層、接触層を連続蒸着する。次いで、二重膜構造のデータ配線及びその下部の接触層パターンを形成する。保護膜を蒸着した後、その上に感光膜を塗布し、その次、画面表示部の透過率と周辺部の透過率とが異なる一つ以上のマスクを用いて感光膜を露光・現像して部分に応じて厚さが異なる感光膜パターンを形成する。このような感光膜パターンを通じて保護膜及びその下部の膜をエッチングして半導体パターン及び接触窓を形成し、その上にITOまたはIZOで画素電極と補助ゲートパッド及び補助データパッドを形成する。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を
備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞ
れ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と
焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着
弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向(或いは吐出ヘッドの走査方向)と同じ方向に
行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。 (もっと読む)


【課題】 液晶表示装置のコントラストと応答速度の両立を図る。
【解決手段】 表示電極の長辺42と、配向制御窓50の直線部分51の距離dを短くすると、液晶の応答速度が速くなる。一方、配向制御窓50を大きくする(距離dを短くすることに相当する)と液晶のコントラストが小さくなり好ましくない。前記距離dが、25μm〜30μm以下になると、応答速度向上の効果が少なくなる。したがって、距離dを25μm〜30μmにすることが好ましい。また配向制御窓50はその幅を7μm程度とすることがより好ましい。 (もっと読む)


【課題】オフ電流が小さく、電位保持特性が優れており、消費電力が低いと共に、動作速度も速い低温ポリシリコントランジスタを含む薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタの製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板10上にゲート電極11、ゲート絶縁膜12、チャネル領域、ソース・ドレイン電極15a,15bを形成した逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このチャネル領域は、ポリシリコン膜13と、このポリシリコン膜13の上面及び側面を覆うa−Si:H膜14とから構成されている。 (もっと読む)


【課題】高分解能でカラーでの撮像が可能な安価なタッチパネルを提供することを課題とする。
【解決手段】対向する第1基板及び第2基板を有するパネルと、第1基板側から異なる波長領域の光をパネルに順にまたは並行して供給する複数の光源とを有し、第1基板と第2基板の間には、液晶素子、フォトダイオード及び薄膜トランジスタを各々有する複数の画素が設けられており、フォトダイオードが有する島状の半導体膜と、薄膜トランジスタが有する島状の半導体膜とは、第2基板上の一の半導体膜をエッチングすることで形成されているタッチパネル。 (もっと読む)


【課題】オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。また、バッファ層を設けてオフ電流を低減させる。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ基板の製造コストの低減を図る。
【解決手段】基板10に設けられたゲート電極11と、ゲート電極11を覆うように設けられたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上にゲート電極11に重なるように設けられた半導体層15aと、半導体層13a上にゲート電極11に重なると共に互いに離間するように設けられたソース電極16a及びドレイン電極16bとをそれぞれ備えた複数のTFT5aが設けられたTFT基板20aであって、半導体層15aは、ゲート絶縁膜12側に設けられたシリコン系の第1半導体層13と、ソース電極16a及びドレイン電極16b側に設けられた酸化物半導体系の第2半導体層14とを備えている。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、プラズマ(少なくとも酸素プラズマを含む)の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化物絶縁膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】画素マトリクス、イメージセンサ、及びそれらを駆動するための周辺回路を有する、すなわち、撮像機能と表示機能とを兼ね備え、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第1の基板と、第1の基板表面上の表示部及びセンサ部と、第1の基板表面に対向する第2の基板と、第1の基板と第2の基板を貼り合わせるシール材と、第1の基板と第2の基板の間の液晶材料と、を有し、第1の基板の裏面には、カラーフィルターと、光学系と、光学系を取り付ける支持台とが設けられる。 (もっと読む)


【課題】金属膜をウェットエッチングする際、下地膜である、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜の膜減りを抑制でき、該膜減りによる素子特性の劣化を抑制できる電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜と、W及びMoの少なくとも1種を含む金属膜と、をこの順に有する膜付き基板を用意する工程と、前記膜付き基板の前記金属膜を、過酸化水素を主成分とするエッチング液により、エッチング選択比〔前記金属膜のエッチングレート/前記酸化物半導体膜のエッチングレート〕が100以上の条件でウェットエッチングする工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】光センサ素子を画素と同一の絶縁性基板上にマトリクス状に配置した画像表示装置であって、低照度光の検出精度を落とすことなく、高照度光の検出を可能にし、光センサ素子が検出できる光の照度レンジを拡大できる光センサ内蔵画像表示装置の提供。
【解決手段】画像表示装置と光センサ装置とが同一絶縁性基板上に形成され、前記光センサ装置は、前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された光センサ素子群と、前記光センサ素子群を2次元撮像装置として機能させる付加回路とで構成されている光センサ内蔵画像表示装置であって、
2次元撮像装置を構成している1ピクセル分の中に、少なくとも1個の光センサ素子と、前記光センサ素子で生成された電荷を蓄積する少なくとも2個の容量値が異なる蓄積容量を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたTFTの構造を機能に応じて適切なものとするとき、pチャネル型TFTにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。
【解決手段】表示領域に第1のnチャネル型TFTが配置され、駆動回路に第2のnチャネル型TFT及びpチャネル型TFTが配置された半導体装置であって、pチャネル型TFTはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはnチャネル型TFTのために添加された不純物元素を含ませない。そのために、pチャネル型TFTのチャネル長はnチャネル型TFTのチャネル長より短くなる。 (もっと読む)


【課題】活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板10の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜13を形成する工程と、少なくとも活性層となる部分のアモルファス酸化物薄膜13に向けてパルスレーザー20を照射する工程とを少なくとも有する。パルスレーザー20の照射工程は、プラスチック基板10に該プラスチック基板のガラス転移温度以上の温度を一定時間加えず、且つアモルファス酸化物薄膜13をアモルファス相のままで所定の比抵抗に制御する工程である。 (もっと読む)


【課題】単結晶シリコン基板よりも大面積な基板に、均一な質を有する複数の単結晶半導体層を貼り付けたSOI基板の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】熱処理において、ベース基板支持及び単結晶半導体基板保持のトレイとして、凹部の底が深く、ベース基板に貼り付けられた単結晶半導体基板と接触しないトレイを用いて、単結晶半導体基板の熱分布の均一化を図る。また、該トレイの各々の凹部の間にベース基板支持部を設けることによって、該トレイとベース基板との接触面積を低減する。以上より、単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離する熱処理の際、単結晶半導体基板及びベース基板の熱分布が均一になるようにする。 (もっと読む)


【課題】酸化物からなる半導体層における酸素含有率の変動や水分吸着に起因する特性変動を確実に防止可能な、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に設けられた酸化物からなる酸化物半導体層7と、酸化物半導体層7上に酸化物半導体層7に対して連続成膜された上層絶縁膜9とを備えている。酸化物半導体層7および上層絶縁膜9の外周縁は、酸化物半導体層7に形成されるチャネル領域7chに対して13μm以上の間隔d1〜d4を保持して配置されている。これにより、外周縁の外側からの酸素の出入りや水分吸着の影響が、チャネル領域7chに対して影響を及ぼすことを防止する。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域として酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱して低抵抗化し、低抵抗な酸化物半導体層を形成する。また、低抵抗な酸化物半導体層においてゲート電極層と重なる領域を選択的に高抵抗化して高抵抗な酸化物半導体領域を形成する。酸化物半導体層の高抵抗化は、該酸化物半導体層に接して、スパッタ法により酸化珪素を形成することによって行う。 (もっと読む)


【課題】オン電流が高く、特性シフトが低減された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層としてのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜のモル比〔In:Ga:Zn〕を2.0−x:x:y(但し、0.0<x<2.0、0.0<y)で表したとき、前記酸化物半導体膜の膜厚方向についての前記yの分布において、前記基板に近い側の膜面、及び、前記基板から離れた側の膜面よりも、前記yが大きい領域が存在する。 (もっと読む)


【課題】移動度の大きな結晶性半導体層をチャネル層とし、動作速度を向上させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】レーザアニール時に、非晶質シリコン層106aに吸収されたレーザ光は熱に変換される。変換された熱は、非晶質シリコン層106aを溶融させるとともに、輻射熱としてゲート電極150に与えられる。しかし、レーザアニール時には、ゲート電極150はゲート配線30と分離されているので、与えられた熱はゲート電極150からゲート配線30に熱伝導によって放熱されることはなく、ゲート電極150の温度を上昇させる。このため、ゲート電極150上の非晶質シリコン層106aで発生した熱は、主に非晶質シリコン層106aを溶融させて結晶化するために使われ、微結晶シリコン層106bの結晶粒径が大きくなり、移動度も大きくなる。 (もっと読む)


【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極20A、ドレイン電極20B、及び画素電極20Cを含む導電層20上に、該導電層20及び酸化物半導体層18を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層23を形成する。そして、この無機絶縁層23上にフォトレジスト膜30を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン30B’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層23の内のレジストパターン30B’から露出した領域を除去することによって導電層20の一部を露出させて、無機絶縁層22にコンタクトホール27を形成する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高い効率で製造することが可能な、コンタクトホールの段差部における画素電極の断線を防止したアクティブマトリクス基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極10と、ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層50と、ゲート絶縁層の上に形成された半導体層40と、半導体層と接触するように形成されたソース電極11およびドレイン電極12と、ソース電極およびドレイン電極の上に形成された第1層間絶縁層54と、第1層間絶縁層の上に形成された画素電極20と、第1層間絶縁層に形成された第1コンタクトホール51と、第1コンタクトホール内に形成された第1金属層55であって、厚さが第1コンタクトホールの深さより小さく、且つ、第1コンタクトホール内においてドレイン電極と電気的に接続された第1金属層55とを備え、画素電極は第1コンタクトホール51内で第1金属層に接触している。 (もっと読む)


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