【課題】正規走査回路、反転走査回路を形成した表示装置において、走査線の一方の端部と、他方の端部での立下がり時定数のバラツキを軽減する。
【解決手段】表示領域と周辺領域と、複数の走査線と、周辺領域の一方の側に設けられ、複数の走査線と接続される正規走査回路と、周辺領域の他方の側に設けられ、複数の走査線と接続される反転走査回路とを備える表示装置において、正規走査回路は、複数の走査線に対して、第１の方向に順次走査電圧を供給し、反転走査回路は、複数の走査線に対して、第２の方向に順次走査電圧を供給し、一方の側には、複数の第１のトランジスタが形成され、他方の側には、複数の第２のトランジスタが形成され、複数の第１のトランジスタは、ソース電極とドレイン電極の内の一方の電極が、複数の走査線の一つと接続され、複数の第２のトランジスタは、ソース電極とドレイン電極の内の一方の電極が、複数の走査線の一つと接続される。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】機能回路の電源配線及び接地配線に要する接地面積を少なくし、同時に消費電流による電源電圧降下及び接地電圧上昇を抑えることで、薄型・軽量・高機能・低価格の半導体装置を提供する。
【解決手段】機能回路に電源電圧を供給する電源配線１００９及び接地電圧を供給する接地配線１０１０が格子状に配置されている半導体装置である。格子状にすることで、電源電圧降下及び接地電圧上昇は大幅に低減できる。また、配線幅を細くしても、格子状にしない場合と同程度の電源電圧降下及び接地電圧上昇に抑えられるので、電源配線及び接地配線の配置面積を大幅に低減できる。 （もっと読む）

【課題】周囲が薄暗い環境下でも画像表示が認識できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透光性を有する領域との双方を有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させる熱処理を行う表示装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置の製造方法において、薄膜トランジスタの半導体層上の一部に、単層もしくは複数の導電層を含むソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、ソース電極及びドレイン電極が基板上に露出している状態で、半導体層に水素終端処理をする水素終端工程と、を含み、電極形成工程は、ネオンを含む不活性ガスを導入することにより基板上に銅を付着させる工程を含む、ことを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の駆動電圧を高めると共に、液晶表示装置の光漏れを抑える。
【解決手段】互いに対向する第１基板及び第２基板、第１基板と第２基板との間に配置された、液晶分子を含む液晶層、第１基板上に位置する、ゲート信号を伝達するゲート線、データ電圧を伝達する第１データ線、第１電圧及び前記第１電圧より大きい第２電圧を交互に伝達する第１電源線、ゲート線及び第１データ線と接続される第１スイッチング素子、ゲート線及び第１電源線と接続される第２スイッチング素子、第１スイッチング素子と接続される第１画素電極、並びに、第２スイッチング素子と接続される第２画素電極を含み、第１画素電極と第２画素電極は液晶層と共に液晶キャパシタを形成し、第１電圧及び第２電圧の少なくとも一つは可変である。 （もっと読む）

【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で
設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも３０秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】端子部、スイッチングトランジスタ、及び画素電極を有する画素回路が形成された第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、前記画素電極と前記対向電極との間には液晶素子が挟持されており、前記対向電極に入力される電位は、前記スイッチングトランジスタを介して端子部より供給され、前記スイッチングトランジスタが有する半導体層は、酸化物半導体層である。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素部に用いられる、高信頼性を有する、酸化物半導体膜を含むトランジスタを提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極の上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極及び酸化物半導体膜の上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁膜の上に設けられた平坦性を有する有機樹脂膜と、平坦性を有する有機樹脂膜の上に設けられた画素電極と、を有し、酸化物半導体膜は二次イオン質量分析法で検出される水素原子の濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３未満である表示装置である。 （もっと読む）

【課題】接触検出機能を兼ね備えた液晶表示装置を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置され第１方向に延在した第１検出要素と、第１方向に交差する第２方向に延在する第２検出要素と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間に介在する絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間の静電容量の変化を検出する検出回路と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体において高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料を用いて高移動度のトランジスタを形成し、それを用いて同一基板上にドライバ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を示す液晶材料を利用した表示装置において、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを含む画素が設けられた画素部を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有し、前記トランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電極に電気的に接続され、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図る。
【解決手段】 第１基板を有し、前記第１基板は、映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、前記映像線は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される。前記表示装置は、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置である。前記第１の電極は、画素電極であり、前記第２の電極は、対向電極である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、操作子によって指し示された位置に応じた領域を示す画像を表示媒体に記録する前に、この画像が記録される領域を表示媒体上に表示することである。
【解決手段】記録装置は、２種類の光を照射する光照射部を有する。記録装置は、光記録型の表示媒体に対して、電圧を印加しないように電圧印加部を制御し、位置検出装置から取得した位置信号に応じて表示媒体を透過する第１の光を表示媒体に対して照射するように光照射部を制御する。その後に、記憶部に記憶されている位置信号に応じて表示媒体に画像を記録させるように電圧印加部に電圧を印加させ光照射部に第２の光を照射させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共通電極及び画素電極を透明電極と不透明電極の二重層によって形成することで、抵抗を低減させると共に、画面のコントラスト比及び輝度を向上させる横電界方式液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】横電界方式液晶表示装置は、相互対向する第１及び第２の基板と、前記第１の基板に配列されて複数の画素領域を定義する複数のゲートライン及びデータラインと、前記画素領域に交互に配置されて水平電界を発生させ、少なくとも１つが多層構造を有する少なくとも１つの共通電極及び画素電極と、前記第１の基板と第２の基板との間に形成された液晶層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサによる撮像機能を有する半導体装置において、各画素に設けられたフォトセンサの特性ばらつきに起因するノイズを低減し、高精度の撮像を行うことを目的とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された入力部と、画像処理回路とを有し、前記フォトセンサは、黒画像、及び被検出物の画像を撮像し、前記画像処理回路は、前記黒画像の画像データＸ、及び前記被検出物の画像の画像データＹを用いて、画像データ（Ｙ−Ｘ）を有する画像を生成する半導体装置である。また、上記入力部が表示パネルとして機能する表示装置である。 （もっと読む）