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Fターム[2H092KA11]の内容

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Fターム[2H092KA11]に分類される特許

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【課題】本発明はアレイ基板及び液晶ディスプレイに関する。
【解決手段】本発明は、アレイ基板と液晶ディスプレイを開示している。このアレイ基板は、サブストレートと、前記サブストレートに形成された、横縦方向に交差して複数の画素ユニットを囲んで形成したデータライン及びゲートラインと、を備え、各画素ユニットは画素電極と薄膜トランジスタースイッチ素子とを備え、前記薄膜トランジスタースイッチ素子は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、活性層を備え、前記ゲート電極と活性層との間にゲート絶縁層が設けられ、前記ゲート絶縁層は不透明絶縁層を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、金属パターンの下に配置される半導体パターンを適切に処理することを目的とする。
【解決手段】半導体パターン16及び金属パターン18を、半導体パターン16が、金属パターン18の下に積層された第1部分26と、第1部分26から金属パターン18の外側にはみ出す第2部分28と、を有するように形成する。金属パターン18及び半導体パターン16を覆う絶縁層30を形成する。絶縁層30の、金属パターン18の上方の第1領域と、半導体パターン16の少なくとも第2部分28の上方の第2領域と、に対してエッチングを行う。エッチング工程で、第1領域では絶縁層30をエッチングして金属パターン18との電気的接続のための貫通穴34を形成し、第2領域では絶縁層30及び半導体パターン16をエッチングして、半導体パターン16の第2部分28を除去する。 (もっと読む)


【課題】 被転写体上に形成するレジストパターンの段差形状をより精緻に制御する。
【解決手段】 透明基板上に、遮光部、透光部、第1半透光部及び第2半透光部を含む転写パターンが形成された多階調フォトマスクであって、露光光に対する第1半透光部の透過率が、露光光に対する第2半透光部の透過率よりも小さく、第1半透光部を透過する露光光と、第2半透光部を透過する露光光との干渉によって形成される光強度が、第1半透光部を透過する露光光の強度以上となるように、第1半透光部を透過する露光光と、第2半透光部を透過する露光光との位相差が制御されている。 (もっと読む)


【課題】インクジェットにより短時間に配線の形成が可能な積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上において導電性材料により形成された導電層とを有し、導電層は、インクジェットヘッドにより導電性材料を含む液体を吐出することにより形成されるものであって、インクジェットヘッドの副走査方向に延びたパターンの導電層となる高表面エネルギー領域には、前記インクジェットヘッドの主走査方向に延設された高表面エネルギー領域の液滴供給領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ディスクリネーションの発生を制御し、良好な透過率を得る液晶装置及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第1基板14と、第1基板14上に形成されたゲート配線46と、ゲート配線46と交差して矩形状の画素40の領域を定義するデータ配線44と、ゲート配線46及びデータ配線44に連結されている薄膜トランジスタ42と、画素40の領域と対応し、複数のスリット状の開口部50を有する共通電極38と、薄膜トランジスタ42に連結され共通電極38と重なる画素電極34と、第1基板14と向かい合うように配置された第2基板12と、第1基板14と第2基板12との間に設けられた液晶層30と、を含み、共通電極38は屈曲部51を有し、屈曲部51は液晶配向の不連続点によるディスクリネーションの発生を抑制する曲線部51Aを備えた。 (もっと読む)


【課題】表示装置用基板において十分な遮光性を有する多層配線構造を提供する。
【解決手段】画素電極と、これを駆動するためにゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、各電極の層及び各電極を接続する配線の層で構成される多層配線とを形成した表示装置用基板であって、多層配線は、第1配線層6と、その上に配された第2配線層15と、両配線層6,15の間に配され且つ両配線層から層間絶縁膜7,9で絶縁された金属遮光層8とを含む。第1配線層6と第2配線層15は、層間絶縁膜7,9を貫通して形成されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続している。コンタクトホールは、その側壁に露出した金属遮光層8の端面を電気的に絶縁被覆するためにサイドウォール13aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】生産性を向上させることができるTFT基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるTFT基板100は、ソース領域4a及びドレイン領域4bを有する半導体膜4と、ソース領域4aに電気的に接続され、透明導電膜21によってソース領域4a上に形成されるソース電極11と、ドレイン領域4bに電気的に接続され、透明導電膜21によってドレイン領域4b上に形成されるドレイン電極12と、ドレイン電極12から延在し、半導体膜4からはみ出すように形成される画素電極13と、ソース電極11に電気的に接続され、ソース電極11上において、ソース電極11からはみ出さないように、上部導電膜22によって形成された配線14とを有するものである。 (もっと読む)


【課題】電気特性の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】LCDドライバIC14(半導体装置)は、トランジスタ素子31と、第1STI分離層32と、第2STI分離層33と、絶縁膜41と、抵抗素子34とを有する。第2STI分離層33は、第1STI分離層32と共に、トランジスタ素子31を電気的に分離するために用いられる。第2STI分離層33上には、電気抵抗を得るために用いられる抵抗素子34が、絶縁膜41を介して形成されている。絶縁膜41は、製造過程において第2STI分離層33に欠陥が生じた場合であっても、抵抗素子34に印加された電圧に対して耐圧を確保することが可能に形成されている。抵抗素子34は、例えば、ポリシリコン膜であり、層間絶縁膜42に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子39(+15V)と接続されている。 (もっと読む)


【課題】製造工程を簡素化でき、かつゲート駆動部の腐食を防止できる薄膜トランジスタ(TFT)基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、表示領域と非表示領域とに区分される絶縁基板と、表示領域に該当する絶縁基板上に形成される第1のゲート電極を含むゲート金属パターンと、ゲート金属パターン上に形成されるゲート絶縁層と、第1のゲート電極に重なるゲート絶縁層上に形成される第1の半導体パターンと、第1の半導体パターンの両端に接続される第1のソース電極と第1のドレーン電極とを含むデータ金属パターンと、第1のドレーン電極に接続され、ゲート絶縁層上に形成される画素電極を含む透明導電パターンと、第1の半導体パターンとデータ金属パターン上に形成される保護層とを含む。 (もっと読む)


【課題】オフ時のリーク電流の発生を抑制し、画像品質を向上させる。
【解決手段】画素スイッチング素子102のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、量産に適し、低コストで製造可能な薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】基板11上に有機半導体層14、ゲート絶縁膜15、ゲート電極16をこの順に積層してなる薄膜トランジスタ10の製造方法において、印刷法により、ゲート絶縁膜15上にゲート電極材料をパターン塗布する工程と、熱処理を行うことで、パターン塗布されたゲート電極材料を乾燥固化してなるゲート電極16を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこの薄膜トランジスタを用いた表示装置である。 (もっと読む)


【課題】 能動素子アレイ基板を提供する。
【解決手段】 スキャンラインおよびデータラインが基板の表示領域に配設され、複数のピクセル領域が表示領域上に形成される。スイッチ素子がピクセル領域に配設され、各スイッチ素子はスキャンラインおよびデータラインと電気的に接続される。ピクセル電極がピクセル領域に配設され、各ピクセル電極はスイッチ素子と電気的に接続される。ワイヤは基板の非表示領域に配設され、各ワイヤの少なくとも一部分は第1導電体層および第2導電体層を含む。ここで、第2導電体層は第1導電体層の上に配設され、第1導電体層と第2導電体層は並列に接続される。第1導電体層は、スキャンライン、データラインおよびピクセル電極のいずれかと同じ層に形成される。第2導電体層は、スキャンライン、データラインおよびピクセル電極のいずれかであって第1導電体層とは異なるものと、同じ層に形成される。 (もっと読む)


電子デバイスは、ピクセルの制御回路と、開口部を含む第1の黒色層と、第2の黒色層とを含むことができる。この制御回路は、第1の黒色層と第2の黒色層との間に、ある高度で位置することができる。電子デバイスの形成方法は、基体上に第1の黒色層を形成するステップを含むことができ、第1の黒色層は開口部を含む。この方法は、第1の黒色層を形成するステップの後に、基体上にピクセルの制御回路を形成するステップを含むこともできる。この方法は、制御回路を形成するステップの後に基体上に第2の黒色層を形成するステップをさらに含むことができる。
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【課題】 TFTの層間絶縁膜の下層にあって膜厚が薄いポリシリコン膜からなるソース領域やドレイン領域に到達するコンタクトホールを開口する際に、ポリシリコン膜を突き抜けてしまうとコンタクトホール底部にポリシリコン膜が残存しないため、接続抵抗が増大してしまう。また、保持容量の下部電極がポリシリコン膜からなる場合、該膜を低抵抗化するために高ドーズのドーピングプロセスが必要であるため、生産性を著しく低下させていた。
【解決手段】 基板1上で島状に形成されたポリシリコン膜3におけるソース領域3aおよびドレイン領域3bの少なくとも一部を覆う金属膜4を形成してから、ゲート絶縁膜5、ゲート電極6、層間絶縁膜7を形成し、金属膜4の上部にコンタクトホール8を開口する。さらに、金属膜4を形成する際に、保持容量の位置まで延在させることにより、金属膜4を保持容量の下部電極となす。 (もっと読む)


【課題】結晶化半導体薄膜の表面上に低温及び短時間において絶縁耐性に優れた良質な膜質を有する絶縁膜を形成する絶縁膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜(ゲート絶縁膜3)及び薄膜トランジスタ10の製造方法において、基板1上に半導体薄膜2を形成し、半導体薄膜2を結晶化し、結晶化半導体薄膜20を形成し、結晶化半導体薄膜20の表面に異方性酸化を行い、結晶化半導体薄膜20の表面上に異方性酸化膜31を形成し、異方性酸化膜31の表面上に絶縁膜32を成膜する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にLDD領域を少なくとも一つ備えたTFTを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なTFT、例えば、チャネル形成領域の片側にLDD領域を有するTFTと、チャネル形成領域の両側にLDD領域を有するTFTとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にLDD領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】 液滴吐出法によって形成するゲート電極を、その成分元素の拡散を起こさせることなく良好に形成することができるようにした薄膜トランジスタの製造方法、さらには電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板P上に、ゲート電極80の形成領域に対応したバンクB1またはその前駆体を形成する工程と、バンクB1またはその前駆体によって区画された領域に、導電性材料を含有してなる機能液を液滴吐出法で配置し、焼成することにより、ゲート電極80を形成する工程と、ゲート電極80上にポリシラザン液を配置し、焼成することにより、ゲート電極80上を覆うゲート絶縁膜83を、ポリシロキサンを骨格とする無機質層で形成する工程と、ゲート絶縁膜83上に半導体層33を形成する工程と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ60の製造方法。 (もっと読む)


【課題】生産コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1金属層32、ゲート絶縁層34、半導体層36、オームコンタクト層38、及び第2金属層40が基板の上方に順に形成され、第1パターン化プロセスが実行されてソース/ドレイン電極領域51、53,走査線領域45、データ線領域47、ターミナルコンタクト領域55及び画素領域49が画定される。層間絶縁層60が形成され、第2パターン化プロセスが実行されてソース/ドレインコンタクトホール66、データ線コンタクトホール68、及びターミナルコンタクトホール65が画定される。第3パターン化プロセスが実行されて薄膜トランジスタ1、走査線2、データ線3、ターミナルコンタクト4及び画素電極5が形成される。 (もっと読む)


【課題】 リーク電流が少なく、画像を安定させるために効果的なキャパシタを具備した薄膜トランジスタ装置を簡単な工程で、安価に提供する。
【解決手段】 平面視的配置において、ソース電極が孤立島パターンをなし、ドレイン電極が該ソース電極を取り囲むように配置されており、さらにゲート電極が該ソース電極とドレイン電極の間隙を埋める位置に配置されてなり、かつ層間絶縁膜中のビアホールによって画素電極とソース電極間および画素電極とキャパシタ上部電極間が接続されている薄膜トランジスタ装置とする。また、この薄膜トランジスタ装置をマトリクス状に配置した薄膜トランジスタアレイとする。さらにこの薄膜トランジスタアレイと対向基板とで液晶層を挟んだ液晶ディスプレイとする。 (もっと読む)


【課題】 高抵抗アモルファスシリコン膜4の厚さを薄くするとともにコンタクト層6の膜厚を略一定にすることにより、特性が不安定になったり、不均一な特性を示すことのない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板1上に形成されたゲート電極2、ゲート電極2上及び基板1上に形成されたゲート絶縁膜3、ゲート絶縁膜3上に形成された高抵抗アモルファスシリコン膜4、高抵抗アモルファスシリコン膜4上の各一部にコンタクト層6を介して形成されたドレイン電極7及びソース電極8を有する薄膜トランジスタであって、コンタクト層6は、高抵抗アモルファスシリコン膜4中に不純物5を拡散して得た低抵抗領域であり、ドレイン電極7及びソース電極8の接触部分に拡散されている不純物5の量が0.01%以上になっている。 (もっと読む)


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