【課題】液晶表示装置において各画素の上下の基板にそれぞれ画素電極を設けると、上下の画素電極それぞれに画像信号を印加するための構成に起因して、開口率の低下や製造コストの増加を生じる。
【解決手段】第１の基板８は信号配線１８、第１の画素電極２６ａ、及びそれらを導通させるＴＦＴ２０を有する。第２の基板１０は第２の画素電極２６ｂを有する。基板８，１０の間には液晶層１２が設けられる。第１の画素電極２６ａ及び第２の画素電極２６ｂは液晶層１２に面して配置される。両画素電極２６ａ，２６ｂが相互に対向する部分に導電性ビーズ４０を配し、両画素電極を当該導電性ビーズ４０で電気的に接続する。第２の画素電極２６ｂは信号配線１８からＴＦＴ２０及び第１の画素電極２６ａを介して画像信号を印加される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡単な回路構成で走査回路と複数の走査線との間の配線数を低減する。
【解決手段】１番目のトランジスタの第１電極は、第１群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、ｊ（１≦ｊ≦Ｎ−１）番目のトランジスタの制御電極は、第（ｊ＋１）群のゲート配線のいずれかのゲート配線に接続され、走査線駆動回路は、ｋ１個の第１群のゲート配線に対して、各グループ内の走査線を１水平走査期間毎に選択する第１選択走査電圧を出力し、 ｋ２個の第２群のゲート配線に対して、ｋ２個のグループを１単位とする２段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、ｋ１水平走査期間毎に選択する第２選択走査電圧を出力し、ｋ（ｍ＋１）（２≦ｍ≦Ｎ−１）個の第（ｍ＋１）群のゲート配線に対して、ｋｍ個の第ｍ段目のグループを１単位とする（ｍ＋１）段目のグループの中の一つグループ内の走査線を、（ｋｍ×・・・×ｋ１）水平走査期間毎に選択する第ｍ選択走査電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】柔軟性に富み、かつ、損傷し難く、耐久性に富み、そして動作不良が起き難い高品質な液晶セルを提供することである。
【解決手段】導電層と導電層との間に液晶層が設けられてなる液晶セルであって、前記導電層の中の少なくとも一方の導電層が絡み合った単層カーボンナノチューブで構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】スリットを形成する電極の透過率を向上させることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示部２を形成する画素３を、少なくとも、液晶分子Ｍを挟んで対向する第１の基板１２及び第２の基板２９と、該第１の基板１２及び第２の基板２９の一方に設けられ絶縁膜２３を挟んで配置された前記液晶分子を駆動する共通電極２２及び画素電極２４とで構成し、前記共通電極２２及び前記画素電極２４のうちの前記液晶分子側の電極は、ラビング方向に対して所定角度傾斜し且つ平行な複数のスリットＳ１，Ｓ２を有する少なくとも一対のスリット形成領域Ａ１，Ａ２が前記画素３の長手方向と直交する線で前記スリットＳ１及びＳ２が線対称となるように配置されると共に、各スリット形成領域Ａ１，Ａ２における他のスリット形成領域とは反対側の外周縁３１及び３２が内部に形成されたスリットＳ１及びＳ２と平行に形成されている。 （もっと読む）

【課題】より画質及び信頼性の高い表示装置、また大画面を有する大型な表示装置であっても、低コストで生産性よく提供することを目的の一とする。
【解決手段】表示装置に用いられる機能層（着色層や画素電極層など）を、主鎖にＣ−Ｎ結合、又はＣ−Ｏ結合を有する第１の有機化合物を含む層を底面に、第２の有機化合物を含む層を隔壁にして形成された開口に、液状の機能層形成材料を吐出することで形成する。有機化合物を含む層表面に付着する、液状の機能層形成材料に対して撥液性を示すフッ素密度を制御することによって、撥液領域及び親液領域を選択的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置用基板において十分な遮光性を有する多層配線構造を提供する。
【解決手段】画素電極と、これを駆動するためにゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、各電極の層及び各電極を接続する配線の層で構成される多層配線とを形成した表示装置用基板であって、多層配線は、第１配線層６と、その上に配された第２配線層１５と、両配線層６，１５の間に配され且つ両配線層から層間絶縁膜７，９で絶縁された金属遮光層８とを含む。第１配線層６と第２配線層１５は、層間絶縁膜７，９を貫通して形成されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続している。コンタクトホールは、その側壁に露出した金属遮光層８の端面を電気的に絶縁被覆するためにサイドウォール１３ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に有する電極の凹凸に起因するコントラスト低下を改善するための技術を、製造工程の清浄度を保ち、十分な光透過率を確保しつつ低コストで提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板ＳＵＢ１の主面に形成された薄膜トランジスタＴＦＴの上層を含めた画素領域に設けた第１電極ＣＴ/ＳＲＥと、第１電極ＣＴ/ＳＲＥの上に設けた容量絶縁層ＩＮＳと、容量絶縁層ＩＮＳの上に設けた第２電極ＰＸとを有し、第１電極ＣＴ/ＳＲＥと第２電極ＰＸを塗布型の透明導電膜、容量絶縁層ＩＮＳを塗布型の絶縁膜によって形成した。 （もっと読む）

【課題】広視野角かつ高コントラストな液晶表示装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第一基板及び第二基板と、上記第一基板及び第二基板間に挟持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、上記液晶層は、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶を含有し、上記第一基板は、可変電位が印加される第一電極と、第一基板面内かつ画素領域内において第一電極と対峙する第二電極と、液晶層側の表面に形成された第一垂直配向膜とを有し、上記第二基板は、液晶層側の表面に形成された第二垂直配向膜を有し、上記液晶表示装置は、少なくとも第一電極及び第二電極によって液晶層に電界を発生させる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ソースドライバ及びゲートドライバの破損を抑制し、安定して駆動することができる液晶モジュールを提供する。
【解決手段】液晶セルと５、液晶セル５に接続され、液晶セル５に動作信号を出力する動作ドライバ５２（５３）とを有し、動作ドライバ５２（５３）は可撓性を有するフィルム基板５２１（５３１）に、直方体形状のドライバＩＣ５２２（５３２）が面実装されているものであり、動作ドライバ５２（５３）がフィルム基板５２１（５３１）のドライバＩＣ５２２（５３２）の角部と接触している部分の近傍の非配線領域５２１２（５３１２）をよけて配線されていることを特徴とする液晶モジュールＡ。 （もっと読む）

【課題】コモンコンタクト部と対向基板との電気的な接続を良好にする。
【解決手段】絶縁膜３１５上に形成された第１の導電膜３１８と、第１の導電膜３１５上に設けられた絶縁膜３１９の開口部にて電気的に接続された第２の導電膜３２３が設けられたコモンコンタクト部において、コモンコンタクト部上に対向して設けられ、第２の導電膜３２３と導電性スペーサ４０１により電気的に接続された第３の導電膜２５２の上に、第４の導電膜５０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電磁波を遮断する作業を簡単にすることができる可撓性回路フィルムを有する表示装置が開示される。
【解決手段】可撓性回路フィルム４００は、フィルム本体部４１０及び電磁波遮断部４２０を含む。フィルム本体部は、表示パネル２００に連結される。電磁波遮断部は、フィルム本体部から延長し、表示パネル上に配置された駆動チップ３００をカバーする。よって、可撓性回路フィルムに電磁波遮断部を形成することによって、駆動チップから発生する電磁波を遮断するための作業を簡単にすることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅合金積層薄膜からなる液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法を提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％、Ｏ：０．０２〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金層からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 透明なフィルム基材の一方の面に、前記フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体で、透過率が高く、かつ生産性の良好であって、かつペン入力耐久性、面圧耐久性を有する透明導電性積層体を提供する。
【解決手段】 透明なフィルム基材Ｆの一方の面に、フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜１、第二透明誘電体薄膜２および透明導電性薄膜３がこの順に形成されており、透明なフィルム基材の他方の面には、透明な粘着剤層Ａ，ａを介して透明基体が貼り合わされている透明導電性積層体であって、第一透明誘電体薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーディング法により形成され、第一透明誘電体薄膜の屈折率をｎ１、第二透明誘電体薄膜の屈折率をｎ２、透明導電性薄膜の屈折率をｎ３としたとき、ｎ２＜ｎ３≦ｎ１の関係を満たした積層透明基体である。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイパネル完成後の点灯検査で検出された短絡欠陥を修正する場合に、配線の切断が困難であった。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ基板は、走査線（１-1，１-2，１-3）、信号線（２-1，２-2）、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）が形成されるとともに、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）は、それぞれアルミニウムによって形成された主要配線部と、主要配線部の配線パターンの一部にモリブデンによって形成された修正用配線部（１ａ〜１ｇ，２ａ〜２ｇ，３ａ〜３ｇ，４ａ〜４ｇ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ用電極やタッチパネル用電極用途で長期間安定に動作できる、導電性フィルムの提供。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に、下記（ａ）〜（ｃ）を含有する組成物から形成される透明導電塗膜層を積層して、温度６０℃湿度９０％で２４０時間処理した後の表面抵抗変化率が１５０％以下である透明導電性フィルムを得る。（ａ）下記式で表される単位を主たる繰返し単位とするポリカチオン状のポリチオフェンとポリアニオンとからなる導電性高分子、（ｂ）該導電性高分子の固形重量を基準として１０〜１０００重量％の割合で添加された、分子中に光硬化性官能基を３以上及びポリオキシエチレン単位を含有し、そのオキシエチレン単位の合計の繰返し単位数が１０〜３０である水溶性光硬化性化合物、（ｃ）該導電性高分子の固形分に対して１０〜１０００重量％の割合で添加された、グリシジル基を有するアルコキシシラン化合物。
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【課題】透過率の低下なく、高輝度の表示品質で低コストの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板ＳＵＢ１上に薄膜トランジスタのゲート電極ＧＴを一部に形成して走査信号を印加するゲート配線ＧＬと、ゲート配線を覆って成膜されたゲート絶縁膜ＧＩと、ゲート絶縁膜の上に島状に形成されて薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体層ｎＳ／Ｓと、ゲート絶縁膜ＧＩの上かつ半導体層に個別に接続されたソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２と、ドレイン電極ＳＤ２に接続された画素電極ＰＸを有し、ゲート配線ＧＬとゲート電極ＧＴ、ソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２、画素電極ＰＸを絶縁性膜のバンクＧ−ＢＮＫ、ＳＤ−ＢＮＫ、Ｐ−ＢＮＫで囲まれた領域内にインクジェット塗布した導電性溶液の焼成で形成するものにおいて、これらのバンクのいずれも第２基板ＳＵＢ２に有する遮光膜ＢＭで隠される領域内にのみ配置し、表示領域には設けない。 （もっと読む）

【課題】表示品質の優れた表示装置を生産性よく製造することができる表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る表示装置の製造方法は、ＴＦＴ１０８を備える基板１００を有する表示装置に関する方法である。まず、ＴＦＴ１０８を備える基板１００上にスルーホール１１を有する平坦化膜１０を成膜する。次に、スルーホール１１を介してＴＦＴ１０８のドレイン部と接続され、画素電極の少なくとも一部となる透明導電膜１２を成膜する。そして、透明導電膜１２を成膜後、ＴＦＴ１０８を備える基板１００に対してプラズマによる第１の表面処理を行う。さらに、プラズマによる第１の表面処理後、反射膜１３を成膜する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層とソース電極およびドレイン電極との間のバリアメタル形成の省略が可能な（薄膜トランジスタの半導体層とソース電極およびドレイン電極との間にバリアメタルを形成する必要のない）薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する。
【解決手段】(1) 薄膜トランジスタの半導体層と、ソース電極、ドレイン電極と、透明導電膜とを有する薄膜トランジスタ基板において、前記ソース電極およびドレイン電極が前記薄膜トランジスタの半導体層と直接接続した構造を有すると共に、前記ソース電極およびドレイン電極がNi：0.1 〜6.0 原子％、La：0.1 〜1.0 原子％、Si：0.1 〜1.5 原子％を含有するAl合金薄膜よりなることを特徴とする薄膜トランジスタ基板、(2) 前記薄膜トランジスタ基板が設けられている表示デバイス等。 （もっと読む）

【課題】ＡｌまたはＡｌ合金膜から形成された電極や配線と透明電極層とを直接接触させることができ、かつ、信頼性、生産性に優れた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる透明性導電膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびＺｎＯから実質的に構成される透明導電性膜であって、モル比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）が０．６５〜０．８であり、かつ、モル比Ｓｎ／Ｚｎが１以下であるものである。当該透明導電性膜はＡｌまたはＡｌ合金膜から形成された電極や配線と良好な電気的コンタクト特性を有する。また、当該透明導電性膜と、ＡｌまたはＡｌ合金膜から形成された電極や配線とを備ええる半導体デバイスは、信頼性、生産性に優れる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＤ素子の第１電極１５に含有される水素の量及び分布は、当該金属を用いたＴＦＤ素子の動作特性に影響を与える。例えば第１電極１５中の水素量を増加させるとＴＦＤ素子の絶縁抵抗値を高くでき好適である。反面水素が過剰量入るとＴＦＤ素子外に水素が時間と共に飛散し、ＴＦＤ素子の電気特性が不安定になる。当該水素はＴａ膜成膜後Ｔａ膜を大気中に晒すことで大気中の水素を吸収させることで導入しているため、水素量の制御が困難であるという問題があった。
【解決手段】第１電極１５を覆う第１散逸阻止膜５を減圧雰囲気中で除去する。この工程により、第１電極１５中に蓄えられていた水素は第１電極１５外に放出される。放出後、大気に晒すことなく新たに水素を吸着させ、更に第２散逸阻止膜６を形成することで内蔵水素量が制御されたＴＦＤ素子の提供が可能となる。 （もっと読む）