【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】シール材の段差を一様にして、液晶の歩留まり、信頼性を向上する。
【解決手段】素子基板と、素子基板に設けられた薄膜トランジスタを有する画素部と、素子基板の画素部を囲むように設けられたシール材と、素子基板のシール材の内側に設けられた片側駆動方式の周辺駆動回路と、シール材下に設けられ、周辺駆動回路に接続される第１の配線、第２の配線と、シール材下の第１の配線及び第２の配線と対向する領域にそれぞれ設けられ、第１の配線及び第２の配線と電気的に絶縁された支持部材と、支持部材と一部が重なるように設けられたブラックマトリクスと、を有し、支持部材及び第１の配線は、同一材料からなる。 （もっと読む）

【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】オン電流を確保しつつ、オフ電流を低減した薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に形成される結晶化された第１の半導体層ＭＳと、第１の半導体層ＭＳの上側に形成される、ソース電極ＳＴおよびドレイン電極ＤＴと、第１の半導体層ＭＳの側方から延伸して、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴのうちの一方と第１の半導体層ＭＳとの間に介在する第２の半導体層ＳＬと、を有する表示装置であって、第２の半導体層ＳＬは、第１の半導体層ＭＳと接触して結晶化されて形成される第１部分ＳＬａと、第１部分ＳＬａよりも結晶性が低い第２部分ＳＬｂを有する、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高密度な保持容量及びＴＦＴに対する高い遮光性能を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、基板と画素電極との間に画素電極に対応して設けられたトランジスタ（３０）と、画素電極とトランジスタとの間に設けられ、画素電極及びトランジスタに電気的に接続された第１容量電極（７１）と、画素電極と第１容量電極との間に、容量絶縁膜（７５）を介して第１容量電極と対向配置されており、所定の電位が供給される第２容量電極（７２）と、画素電極と第２容量電極との間にトランジスタと少なくとも部分的に重なるように設けられ、第２容量電極との間に配置された絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２容量電極に電気的に接続される遮光膜（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置を製造する際に、好適に平坦化処理を行う。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）に、スイッチング素子（３０）及びスイッチング素子に電気的に接続された配線（１５０）を備えた電気光学装置の製造方法であって、配線を形成する配線形成工程と、配線を覆うように第１の絶縁膜（４３）を形成する第１絶縁膜形成工程と、第１の絶縁膜上に、配線と少なくとも部分的に重なるように、ストッパー膜（２００）を形成するストッパー膜形成工程と、ストッパー膜を覆うように第２の絶縁膜（４４）を形成する第２絶縁膜形成工程と、第２の絶縁膜を研磨することで平坦化する平坦化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。
【解決手段】半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＧｅ：０．３原子％〜１．２原子％、Ｃｏ：０．０５原子％〜２．０原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１原子％〜０．５ 原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子上において、層間絶縁膜を挟持して配設される一対の導電膜が、製造工程中に混入する異物の影響によって電気的に短絡してしまうことを防止する電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、少なくとも一部が前記スイッチング素子上に配設された第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に配設され、表面が研磨処理により平坦化された下側絶縁膜、及び前記下側絶縁膜上に形成された上側絶縁膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に、少なくとも一部が前記スイッチング素子上に配設された第２の導電膜と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴチャンネルのオーバーエッチングされる程度が低下され、液晶表示装置の表示機能が確保できる液晶表示装置のアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置のアレイ基板の製造方法において、ソースドレイン金属層の上部に、スリートーンマスクによりフォトレジストパターン層を形成する工程と、フォトレジストパターン層が露出されたソースドレイン金属層及び第１の透明導電層に対してウェットエッチングを行う工程と、フォトレジストパターン層に対して第１回目のアッシングプロセスを行い、露出されたソースドレイン金属層、第１の透明導電層及び活性層パターンに対してドライエッチングを行う工程と、フォトレジストパターン層に対して第２回目のアッシングプロセスを行い、露出されたソースドレイン金属層に対してウェットエッチングを行う工程と、残されたフォトレジストパターン層を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、高開口率・高コントラスト化を達成することにより、より明るいなどの高い品質を備えた画像を表示可能とする。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、基板上に、ＴＦＴ（３０）、走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）、並びに蓄積容量（７０）及びシールド層（４００）等が積層構造の一部を構成しつつ備えられている。そして、本発明では、これら各種構成要素が、画素電極（９ａ）の形成領域と相補関係にある遮光領域に形成されている。これにより、画素開口率は高まる。 （もっと読む）

【課題】柔軟性に富み、かつ、損傷し難く、耐久性に富み、そして動作不良が起き難い高品質な液晶セルを提供することである。
【解決手段】導電層と導電層との間に液晶層が設けられてなる液晶セルであって、前記導電層の中の少なくとも一方の導電層が絡み合った単層カーボンナノチューブで構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有し、凹部の底面と半導体膜の底部の第１方向に延在する中心線（ＣＰ）との距離をＬｃと、凹部の底面間の距離をｔｃと、ｎを基材の屈折率とした場合、ｎｔｃ²＜４８８Ｌｃを満たす。本構成によれば、上記凹部（１２）により、基板側からの光の入射が制限され、光リーク電流を低減できる。さらに、凹部の深さの関数であるＬｃ等を上記式を満たすよう設定することで、光リーク電流を効果的に低減できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有する。かかる構成によれば、凹部（１２）およびその内部の充填材料により、基板側からの光の入射が制限され、半導体膜（特に、チャネル）において発生する光リーク電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極１０９またはドレイン電極１１０と同じ層に形成された第１の配線と、第１の配線の上方に絶縁膜を介して形成された第２の配線と、を有し、第１の配線は、第２の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられた複数のコンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】走査線の配線抵抗等を低減して、高速動作可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素電極１０８と当該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ１００とを含む画素と、画像表示領域の列方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のソース領域２０４を列方向に互いに接続する複数本のデータ線１０４と、画像表示領域の行方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のゲート電極２０８を行方向に互いに接続する複数本の走査線１０２と、を含む電気光学装置であって、ゲート電極２０８が非金属材料で形成され、上記走査線１０２は、ゲート電極２０８上に絶縁膜を介して積層された金属材料の薄膜をパターニングして形成されており、各々のゲート電極２０８とは絶縁膜を局所的に除去して形成された第１のコンタクトホール５０１を介して電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明導電膜からなる画素電極との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても、低い接触抵抗を維持しつつ、その分散を小さく抑えることができ、しかも、光透過特性にも優れた表示デバイス用透明電極を提供する。
【解決手段】窒素を含有する第１の透明導電膜６１と、窒素を含有しない第２の透明導電膜６２とからなる表示デバイス用透明電極であって、第１の透明導電膜はアルミニウム合金膜６３に接触している。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体薄膜の結晶化において問題となる結晶の表面の凹凸の生じない結晶化装置および結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板１上の半導体薄膜２に、基板１に平行な方向の結晶成長を生じさせる結晶化装置および方法であって、ビームは、所定の間隔を設けて同時に基板１に照射される主ビーム９と補助ビーム１０とにより構成され、主ビーム９により結晶化される際に生じる半導体表面の凹凸を補助ビームで平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス回路において、表示電極の面積比率（開口率）を向上させ、また、ＴＦＴに光が当たることによってＴＦＴの特性が低下することを防止する。
【解決手段】 ＴＦＴのチャネルをソース線の下に設けることにより、光を遮る面積を低減する。また、このようにＴＦＴのチャネル上にソース線が重ねられているために、ＴＦＴの上方から入射する光はソース線で遮られて、ＴＦＴには達しないので、ＴＦＴ特性が外光によって低下することが防止できる。 （もっと読む）