【課題】高融点メタルバリア層を有していなくても、高温熱処理後の電気特性を良好にする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、透明絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順次に形成されたＳｉ半導体能動膜７と、ｎ型の導電型を有するオーミック低抵抗Ｓｉ膜８とを含む半導体層５１と、半導体層５１と直接接合された、少なくともアルミニウム（Ａｌ）を含むソース・ドレイン電極９，１０とを備える。半導体層５１は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、Ｓｉ半導体能動膜７の側面とソース・ドレイン電極９，１０との界面近傍である第１領域には、少なくとも窒素（Ｎ）が含まれる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】広視野角の液晶表示装置を得る。
【解決手段】薄膜トランジスタを覆う平坦化絶縁膜18上に液晶駆動用の画素電極19、画素電極19の上にはラビング処理を施さない垂直配向膜31が形成され、共通電極23中には電極不在部である配向制御窓24、共通電極23上にはラビング処理を施さない垂直配向膜32が形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶はプレチルトを有することなく法線方向に初配向制御され、電圧印加により、画素電極19端及び配向制御窓24端における斜め電界に傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。画素間のブラックマトリクスが省略されてＴＦＴに対応する領域のみ遮光膜21BLが形成され、光リーク電流を防いでいる。 （もっと読む）

【課題】従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置では、画素の上部電極の隙間部や枝電極部の幅が、液晶層にかかる電界強度に関連し、光透過率に影響を与えた。上部電極の露光やエッチング等のアレイ製造工程の寸法ばらつきが、液晶表示装置の表示ムラとして視認されやすいという問題点があった。
【解決手段】 液晶表示装置１００の画素３０は、走査配線２と、信号配線５と、ＴＦＴと、下部電極６と、この上層に保護膜７を介して配置された上部電極８とを有し、上部電極８は電気的に共通に接続された複数の枝電極部８２と、枝電極部８２間の隙間部８１とを有する。上部電極８は、隙間部８１の幅Ｃと隣接する枝電極部８２の幅Ｗに対する比率Ｒ（＝Ｃ／Ｗ）が異なる領域Ｓを有しており、寸法ばらつきによる比率Ｒの変化に対して、光透過率Ｔが増加する領域Ｓと減少する領域Ｓの両方を有している。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたＴａ−Ｗ合金膜を再現性よく得ることを可能にする。
【解決手段】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットは、０．０５〜２質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＴａからなると共に、ターゲット全体としてのＷ含有量のばらつきが±２０％以内とされている。このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。ＴＦＤ素子１は第１の電極３／陽極酸化膜４／第２の電極５によるＭＩＭ構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成された対向電極ＣＴと、前記対向電極と絶縁膜を介して設けられ、且つ透明導電膜で形成される平面状の画素電極ＰＸを有し、前記各画素領域には、前記ドレイン信号線ＤＬと前記ゲート信号線に接続された薄膜トランジスタが形成され、且つ、前記対向電極に電気信号を供給する対向電圧信号線が形成され、前記対向電極は、前記画素電極と前記ドレイン信号線に対して液晶層側に形成され、且つ、前記画素電極と前記ドレイン信号線に重畳する位置に形成されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】配線を高精細化しても断線が生じ難い、信頼性の高い配線回路を実現する。
【解決手段】配線構造１は、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃが配された基板９上に配される半導体層１０と、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃ及び半導体層１０が配された基板９上に配された第２層間絶縁膜１３と、第２層間絶縁膜１３上に配される配線１８とを備え、第２層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１５内で、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続され、第２層間絶縁膜１３は感光性樹脂材料からなり、さらに、コンタクトホール１５内には導電性微粒子１６が充填されており、導電性微粒子１６によって、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】柔軟性に富み、かつ、損傷し難く、耐久性に富み、そして動作不良が起き難い高品質な液晶セルを提供することである。
【解決手段】導電層と導電層との間に液晶層が設けられてなる液晶セルであって、前記導電層の中の少なくとも一方の導電層が絡み合った単層カーボンナノチューブで構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにそれらを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。そして、前記ゲート絶縁膜４は酸化シリコン膜４ａからなり、ゲート電極６の底面と接する上記酸化シリコン膜４ａの少なくとも表面は酸窒化シリコン層４ｂから成っている。ここで、ゲート電極６は、例えば５００℃程度の比較的に低温で酸化シリコン膜と化学反応する高融点金属材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】
下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。
【解決手段】
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。また、酸化物半導体膜の設計膜厚を３０ｎｍ±１５ｎｍにすることにより、電界効果移動度μ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、Ｓ値を最適化する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０１〜０．５原子％を含有し、さらにＭｇ、ＡｌおよびＬｉのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】接着力を向上することができる表示パネル及び表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表示パネルは、画素部及び画素部に接続された駆動部を含む第１基板、画素部、及び駆動部に形成された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、第１基板と対向する第２基板、有機膜が形成された第１基板と第２基板との間であって画素部の周辺領域に配置され第１基板と第２基板を結合するシールライン及びシールラインと、有機膜間の少なくとも一部領域に配置される導電性パターンとを含み、導電性パターンが、シールラインと有機膜間の接着力を向上させ、導電性パターンを金属または金属酸化物で形成することによって、第１基板と第２基板間の分離を防止し、駆動部の侵食及び腐食を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅合金積層薄膜からなる液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法を提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％、Ｏ：０．０２〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金層からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】書き込みのための露光と表示確定のための電圧印加の時期を変えることが可能な光変調素子、並びにその書き込み方法および書き込み装置を提供すること。
【解決手段】一対の電極層５，６の間に、少なくとも、相状態に応じて光を反射または透過する表示層７と、光を吸収して該吸収した光の光量に応じて電気特性が変化し、かつその変化後の状態が記憶される光メモリー機能を有する光導電層１０と、が積層されてなる光変調素子１。光変調素子１に、像様に光を照射する光照射工程と、光変調素子１の一対の電極層５，６に、表示層７の相状態を設定する駆動電圧を印加する電圧印加工程と、が順次為される書き込み方法。光変調素子１に、像様に光を照射する光照射手段１８と、光照射手段１８による光照射に続いて、光変調素子１の一対の電極層５，６に、表示層７の相状態を設定する駆動電圧を印加する電圧印加手段１７と、を備える書き込み装置２。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイパネル完成後の点灯検査で検出された短絡欠陥を修正する場合に、配線の切断が困難であった。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ基板は、走査線（１-1，１-2，１-3）、信号線（２-1，２-2）、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）が形成されるとともに、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）は、それぞれアルミニウムによって形成された主要配線部と、主要配線部の配線パターンの一部にモリブデンによって形成された修正用配線部（１ａ〜１ｇ，２ａ〜２ｇ，３ａ〜３ｇ，４ａ〜４ｇ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を液滴吐出法にて形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電
気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、
及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、第１隔壁１２をパターン状に設ける。基板１０Ａに金属材
料を蒸着し、第１隔壁１２の上面に画素電極１３及び信号線１４を形成するとともに、第
１隔壁１２に囲まれた領域にゲート線１６を形成する。基板１０Ａ上に、ゲート絶縁膜形
成領域１８、及びゲート絶縁膜形成領域１８に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも
区画する第２隔壁１７を形成する。ゲート絶縁膜形成領域１８にゲート絶縁膜２６を形成
し、有機半導体層の形成材料を含む機能液を半導体層形成領域に吐出し、ゲート電極１６
ａ及びゲート絶縁膜２６の一部を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４間を電気的に接続す
る有機半導体層２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化・高精細化の要請に応えることができると共に、画素領域の開口率及び光利用効率を飛躍的に向上させることができる集光基板、電気光学装置、電子機器及びプロジェクタを提供すること。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板の表面のうち画素間領域に設けられ光を画素領域内に集光可能な凹部を有するプリズム部を具備するので、画素間領域に入射する光についても画素領域内で利用することができる。これにより、光の利用効率を向上させることができる。しかも、ＴＦＴアレイ基板に設けられるデータ線、走査線がこの凹部内に設けられているので、これらデータ線、走査線をＴＦＴアレイ基板の基板面方向のみならず、当該ＴＦＴアレイ基板の深さ方向にも配置することができる。 （もっと読む）