【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第２基板22の主面21ａ上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第１絶縁膜226を形成する工程と、第１絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第２基板22の反対主面22ｂ側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】端子金属が保護用ＩＴＯのピンホールまたは亀裂から侵入した水分による水和反応によって侵され、接続不良が生ずることを防止する。
【解決手段】端子部は、表示領域から延在する引き出し線３０と、端子金属１０と、端子金属１０から外側に延在する検査用配線４０を有している。端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、端子金属１０の部分は、保護用絶縁膜にスルーホール２０が形成され、端子金属１０はスリット１５を介して複数に分割され、スリット１５は、表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われている。ＩＴＯ６０は分割された端子金属１０とスリット１５を覆っている。これによって、ＩＴＯ５０のピンホール等から水分が浸入しても、水分はスリット１５において進行を阻止される。したがって、端子金属１０全体が腐食して導通不良を引き起こすことは無い。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域を最大化し、画素の透過率を向上させる、ＦＦＳ方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート配線とデータ配線１１３ａとの交差地点に形成された薄膜トランジスタＴと、薄膜トランジスタＴを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴを露出する開口部を備えた有機絶縁膜１１７の上部に形成された大面積の共通電極１２３ａと、開口部から薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃと、共通電極１２３ａ及び補助電極パターン１２３ｃを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃを露出するパッシベーション膜１２７の上部に形成され、露出した補助電極パターン１２３ｃを介して薄膜トランジスタＴに電気的に接続され、共通電極１２３ａとオーバーラップする複数の画素電極１３３ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が２．０１で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が１．９３で信号を表さない半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】保護膜溶液組成物を提供すること。
【解決手段】下記の化学式１で表わされる有機シロキサン樹脂を含む保護膜溶液組成物：



・・・化学式１
（式中、Ｒは１乃至２５個の炭素を有する飽和炭化水素または不飽和炭化水素から選ばれた少なくとも一つの置換基であり、ｘ、ｙはそれぞれ１乃至２００であり、各波線は水素原子、ｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示すか、あるいは、ｘシロキサン単位、ｙシロキサン単位またはこれらの組み合わせを含む他の有機シロキサン鎖のｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示す）。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、層間絶縁膜１１ｅに設けられた複数の第１コンタクトホールＣＮＴ４を介して第１容量電極１６ａと容量線３ｂとは電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】バリア性の高い保護層を有する積層構造、有機半導体素子、配線および表示装置、並びに有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導体または半導体を含む有機層と、絶縁材料により構成され、前記有機層を覆う保護層と、外周が前記絶縁材料と親和性を有する親和層に覆われ、前記保護層に分散された複数の粒体とを備えた積層構造。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜を有するTFTアレイ基板の製造工程において、ブラシ洗浄の際に異物が有機平坦化膜表面にキズを生じさせることがある。このようにキズが生じた有機平坦化膜上に、画素電極となる透明電極膜を成膜した場合、キズ上の透明電極膜も断線してしまい、画素電極に信号が伝わらず表示不良を引き起こすことがある。
【解決手段】 有機平坦化膜を塗布する工程と、中間調露光を用いて有機平坦化膜に凹凸を形成する工程と、凹凸が形成された有機平坦化膜表面をロールブラシを用いて洗浄する工程と、洗浄工程後に、有機平坦化膜上に画素電極を構成する透明導電膜を成膜する工程とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）