【課題】 配線容量の低減を図り、液晶表示装置の高精細化や狭額縁化を図る。
【解決手段】 走査線及び信号線の交点に配列されるスイッチング素子１２と、マトリクス状に配置されスイッチング素子によって駆動される画素電極と、画素電極の印加電圧を保持するための保持容量とを有するアレイ基板２と、対向電極を有し、アレイ基板２と所定の間隔を隔てて対向配置される対向基板３とを備え、これらアレイ基板２と対向基板３の間に液晶層が封入されてなる液晶表示パネル１を備えた液晶表示装置である。アレイ基板２の電源配線及び電気信号配線の少なくとも一部（例えば保持容量配線１３や額縁領域の引き出し配線４１）は、配線上に誘電率の低い絶縁性着色層（青色絶縁性着色層２１）が積層された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の形状を改良して、インパクトイオン化の原因となるドレイン端での電界集中を防止可能な薄膜トランジスタを備えた半導体装置、この半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｘの薄膜トランジスタ３０ｎにおいて、ゲート電極３ｎは、その表面を酸化してなるシリコン酸化膜３ｓにより覆われて、エッジ部分３ｗ、３ｘ、３ｙ、３ｚが丸みを有しているため、ゲート電極３ｎには、電界の集中するエッジ部分がない。このため、ゲート電極３ｎのエッジ部分に対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１３０ｎのドレイン端では、電界が集中しないので、インパクトイオン化が発生しにくい。それ故、下地絶縁層１２上に形成された薄膜トランジスタ３０ｎであっても、良好な電流−ゲート電圧特性を有する。 （もっと読む）

【課題】容量結合駆動方式の液晶表示装置において、駆動ＩＣチップの装着時の熱圧着操作に起因する局所的な輝度レベルのズレによる表示不良（ツールムラ）や、液晶層の厚みの偏りに起因する輝度レベルのズレ（ギャップムラ）、またはその他の特定箇所に生じる輝度レベルのズレによる表示不良による表示不良（定点ムラ）を解消または低減することのできるものを提供する。
【解決手段】定点ムラの発生箇所に、補助容量（Ｃst）形成部の面積を所定量だけ増加させた輝度補正エリア１０１，１０２を設ける。すなわち、容量結合駆動の際のバイアス電圧（重畳電圧）を局所的に変化させることで、輝度を抑え、輝度ムラを解消する。この際、面積増加の量は、定点ムラによる輝度のズレの約１／２だけをうち消すように設定する。また、最大補正箇所１０３から輝度補正エリア１０１，１０２の縁に向かって直線的に減少するように設定する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置用基板は、Ｙ方向に沿って１画素分相互にずらして配置された素子部１３０ａ及び１３０ｂと、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１及び１ｂ−２を夫々覆う部分Ｐｙ１及びＰｙ３と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１及び１ｃ−２を夫々覆う部分Ｐｙ２及びＰｙ４と、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−３及び１ｂ−４を夫々覆う部分Ｐｙ５及びＰｙ７と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−３及び１ｃ−４を夫々覆う部分Ｐｙ６及びＰｙ８とを備える。更に、画素電極９ａ１及び９ａ２は、部分Ｐｙ１及びＰｙ３が形成されＸ方向に沿って相隣接する画素に夫々配置され、画素電極９ａ３及び９ａ４は、部分Ｐｙ５及びＰｙ７が形成されＸ方向に沿って相隣接する画素に夫々配置される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの枚数を低減しながらも、容易且つ高精度に半導体装置を製造する。
【解決手段】ゲート配線５と、ソース配線６と、ゲート配線５及びソース配線６に接続された薄膜トランジスタ１２と、薄膜トランジスタ１２に接続された絵素電極１１とを備えた半導体装置１を製造する場合に、絵素電極１１とソース配線６とを同時にパターン形成する。 （もっと読む）

【課題】画素電極と信号配線間の容量を低減して信号配線の信号電圧の影響を小さくし、横筋等のクロストークを防止する。
【解決手段】画素電極８と信号配線６の間の層間絶縁膜７に対して凹部１０を形成し、この凹部１０に層間絶縁膜７よりも比誘電率の小さな物質、例えば、配向膜１１を充填する。これによって、画素電極８と信号配線６間の容量を低減して、画素電極８と信号配線６のクロストークを低減する。 （もっと読む）

【課題】 開口率を大きくするため、補助容量ラインをＩＴＯ等の透明導電材料によって形成した液晶表示装置において、開口率をさらに大きくする。
【解決手段】 オーバーコート膜１７の上面には画素電極５が設けられている。画素電極５間におけるアクティブ基板２の上面には走査ライン３が設けられている。走査ライン３上におけるゲート絶縁膜１０の上面には補助容量ライン７の補助容量電極部７ａが設けられ、その上面には遮光膜８が設けられている。遮光膜８は画素電極５間からの光漏れを防止するためのものである。この場合、遮光膜８はアクティブ基板２上に設けているので、対向基板２２下に設ける場合と比較して、遮光膜８の幅を小さくしても、画素電極５間からの光漏れを確実に防止することができ、ひいては開口率をさらに大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】保持容量の単位面積当たりの容量値を高めるための構成を利用して、ゲート絶縁
層の下層側に形成された下層側導電層への電気的な接続を効率よく行うことのできる電気
光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供す
ること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層
側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分およ
び下層側導電層層接続用コンタクトホール８９の形成領域の下層側ゲート絶縁層４ａを除
去する。次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保
持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 （もっと読む）

電子デバイスは、ピクセルの制御回路と、開口部を含む第１の黒色層と、第２の黒色層とを含むことができる。この制御回路は、第１の黒色層と第２の黒色層との間に、ある高度で位置することができる。電子デバイスの形成方法は、基体上に第１の黒色層を形成するステップを含むことができ、第１の黒色層は開口部を含む。この方法は、第１の黒色層を形成するステップの後に、基体上にピクセルの制御回路を形成するステップを含むこともできる。この方法は、制御回路を形成するステップの後に基体上に第２の黒色層を形成するステップをさらに含むことができる。
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【課題】ストレージキャパシタの面積を減らしても、容量を維持するようにした液晶表示装置のアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成される複数のゲート配線９０及びゲート配線９０に交差するように複数形成されるデータ配線９２と、ゲート配線９０及びデータ配線９２の交差部に形成される薄膜トランジスタＴと、ゲート配線９０に平行に形成されるストレージキャパシタ第１電極１３０と、薄膜トランジスタＴのドレイン電極１１６と電気的に接触されて第１電極１３０領域上に形成されるストレージキャパシタ第２電極１３６を含む画素電極と、ゲート配線９０の所定領域及びデータ配線９２と薄膜トランジスタＴが形成される領域に対応するように前記基板上に形成されるブラックマトリックス９５と、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】大きな安定化蓄積容量を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有するＴＦＴ基板と、カラーフィルタ基板と、前記基板間に液晶を有し、前記蓄積容量は、下部電極（２、１１）と、この下部電極を覆う第１の絶縁膜（３、１３Ａ）と、前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜（６、１５）と、第２の絶縁膜の上に形成された上部電極（４、１８Ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】 半透過型の平面表示装置において、フリッカが少ない良好な表示を得る。
【解決手段】 平面表示装置において、透過電極と走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極１５ｂ、１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極１５ｂ、１７ｂに対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定する。 （もっと読む）

【課題】視角特性の対称性に優れたＭＶＡモードの液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】アレイ基板１０１及び対向基板１０２と、負の誘電異方性を有する液晶組成物を含みアレイ基板１０１及び対向基板１０２間に挟持される液晶層１９０と、アレイ基板１０１及び対向基板１０２の少なくとも一方において所定方向に伸びるようにして並べられ、液晶層１９０内に得られる電界の傾きを制御して液晶分子１９０Ａの平均的なダイレクタ方向が所定方向に直交する複数の配向領域Ｉに液晶層１９０を配向分割する複数の傾き制御部１５、１８とを備え、液晶層１９０は液晶分子１９０Ａの平均的なダイレクタ方向が所定方向に直交する方向からずれた複数の配向緩和領域Ａ〜Ｈを有し、複数の配向緩和領域Ａ〜Ｈの平均的なダイレクタ方向の単位ベクトルｎをこれら配向緩和領域の面積Ｓでそれぞれ重み付けしたベクトル値の総和がゼロを含む所定の範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】レジストが形成されている半導体にイオンの導入すると、イオンとレジストの成分とが反応してガス（解離ガス）が発生し、解離ガスの成分が半導体に導入され、該半導体の物性を低下させる要因となっている。
【解決手段】有機膜から発生する解離ガスの処理を行うことを特徴とする。特に、本発明は、イオンの導入を行う前の解離ガスの処理を行うことを特徴とする。そのための方法として、イオンの導入を複数回に分けて行うことを特徴とする。解離ガスは、イオンの導入が始まった直後に最も多く発生する。そのため、イオンの導入を複数回に分け、少なくとも２回目以降のそれぞれのイオンの導入において、排気を行い解離ガスを処理室内から除去しながらイオンの導入を行えば、解離ガスの成分が半導体中に導入されることを低減もしくは防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の静電破壊強度を向上する。
【解決手段】第２の半導体層１２の行方向（紙面上で左右方向）に沿ったエッジＥ２は、保持容量ライン１２２の行方向に沿ったエッジＥ３より外側に配置されている。この第２の半導体層１２のエッジＥ２は、第１の半導体層１０に近い側のエッジである。第２の半導体層１２のエッジＥ２を被覆しているゲート絶縁膜１２の部分は、保持容量ライン１２２によって被覆されていない。また、第２の半導体層１２の右側のエッジＥ５はコンタクト形成領域１２Ａからまず直線的に列方向に延び、その途中で行方向に直角に屈曲し、さらに列方向に屈曲して保持容量ライン１２２と交点Ｐ２で交差するようにしている。 （もっと読む）

【課題】 ２つの非線形素子を極性を逆向きにして並列に電気的して画素スイッチング素子を構成した場合でも、その占有面積を狭くすることのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置の素子基板には、データ線２（第１の上電極５３）、第１の下電極５１、第２の上電極５４および第２の下電極５２が略井桁状に配置され、第１の下電極５１とデータ線２との重なり領域、および第２の下電極５２と第２の上電極５４との重なり領域に第１の非線形素子５ａおよび第２の非線形素子５ｂが形成され、これらの非線形素子５ａ、５ｂは、極性を逆向きにして並列に接続されて画素スイッチング素子５として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 マトリクス構造における進行性のある欠陥を容易に検出可能にする。
【解決手段】 マトリクス構造で格子状に交差する複数のゲート線４ｃ、４ｄ及び複数のデータ線３ａを有する。複数のゲート線４ｃ、４ｄ及び複数のデータ線３ａの交差部毎に配置された画素部２ａに所定の駆動電圧が印加される。駆動電圧よりも大きな電圧を画素部に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程と、駆動電圧を画素部２ａに連続的に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程との少なくともいずれか一方の工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスにおける半導体層の熱的制限の影響が少なく、低コスト化に有利な画素構造を提供する。
【解決手段】 画素構造は、画素電極２０と、この画素電極２０に対応するスイッチング素子１０とを有する。画素電極２０とスイッチング素子１０とが同一の基板Ｐ上に形成されており、スイッチング素子１０における半導体層１１に比べて基板Ｐ側の層（第１層Ｌ１）に画素電極２０が配されている。 （もっと読む）

【課題】外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度の得られる検査を実現する。
【解決手段】 互いに交差する複数の走査線及び複数のソース線Ｓと、前記複数の走査線及び前記複数のソース線の交差に対応してマトリックス状に配置された複数の画素と、第１及び第２の端子を有し、前記第１の端子に供給される電位信号と前記第２の端子に供給される電位信号との電位を比較して、前記第１の端子に供給される電位信号が低い場合には前記第１の端子の電位をより低くし、前記第１の端子に供給される電位信号が高い場合には前記第１の端子の電位をより高くして出力する増幅器４ａと、前記第１及び第２の端子の一方に基準電位を供給し、他方に前記画素に書込まれた電位信号を読み出して供給する供給手段１３，９’と、前記第１及び第２の端子に夫々電気的に接続される第１及び第２の容量４ｉ，４ｈとを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 補助容量を設けた場合でも、画素の開口率が低下することのない電気的光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。第２電極１３３と二端子型非線形素子１４の第２導電層１３１は一体の導電パターン１３９から構成されている。画素電極１６は、層間絶縁膜１９の上層側に形成され、かつ、層間絶縁膜１９のコンタクトホール１９１を介して第２電極１３３に電気的接続している。 （もっと読む）