【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するためのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省略し、ゲート電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される配線等含む）を形成する工程、コンタクトホールを形成する（コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む）工程、画素電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程の４つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。コンタクトホールを形成する工程において、半導体層が除去された溝部を形成することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置では、画素の上部電極の隙間部や枝電極部の幅が、液晶層にかかる電界強度に関連し、光透過率に影響を与えた。上部電極の露光やエッチング等のアレイ製造工程の寸法ばらつきが、液晶表示装置の表示ムラとして視認されやすいという問題点があった。
【解決手段】 液晶表示装置１００の画素３０は、走査配線２と、信号配線５と、ＴＦＴと、下部電極６と、この上層に保護膜７を介して配置された上部電極８とを有し、上部電極８は電気的に共通に接続された複数の枝電極部８２と、枝電極部８２間の隙間部８１とを有する。上部電極８は、隙間部８１の幅Ｃと隣接する枝電極部８２の幅Ｗに対する比率Ｒ（＝Ｃ／Ｗ）が異なる領域Ｓを有しており、寸法ばらつきによる比率Ｒの変化に対して、光透過率Ｔが増加する領域Ｓと減少する領域Ｓの両方を有している。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたＴａ−Ｗ合金膜を再現性よく得ることを可能にする。
【解決手段】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットは、０．０５〜２質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＴａからなると共に、ターゲット全体としてのＷ含有量のばらつきが±２０％以内とされている。このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。ＴＦＤ素子１は第１の電極３／陽極酸化膜４／第２の電極５によるＭＩＭ構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成された対向電極ＣＴと、前記対向電極と絶縁膜を介して設けられ、且つ透明導電膜で形成される平面状の画素電極ＰＸを有し、前記各画素領域には、前記ドレイン信号線ＤＬと前記ゲート信号線に接続された薄膜トランジスタが形成され、且つ、前記対向電極に電気信号を供給する対向電圧信号線が形成され、前記対向電極は、前記画素電極と前記ドレイン信号線に対して液晶層側に形成され、且つ、前記画素電極と前記ドレイン信号線に重畳する位置に形成されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】低電圧、且つ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１０は、対向して配置された第１基板１２と第２基板１４との間に挟持された液晶層１６を有し、液晶層１６の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、第１基板１２は、互いに交差する走査線３６Ａ及びデータ線と、複数の画素電極３０と、走査線３６Ａ又はデータ線よりも液晶層１６側に設けられた絶縁膜６２と、絶縁膜６２に形成したコンタクトホール５７を介して走査線３６Ａ又はデータ線と電気的に接続された転移電極５８と、転移電極５８と画素電極３０との間に設けられた誘電体膜６６と、を含み、転移電極５８は、誘電体膜６６を介して画素電極３０との間に電位差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の向上を図った液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶を介して対向配置される一方の基板の前記液晶の側の面の、一対のゲート信号線と隣接する一対のドレイン信号線で囲まれる画素領域に、前記ゲート信号線及び前記ドレイン信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基準となる基準信号が供給される対向電極を備え、前記画素電極は絶縁膜を介して前記対向電極よりも前記液晶側に形成され、前記対向電圧信号線は、前記ゲート信号線の走行方向に沿って形成され、且つ前記絶縁膜を介して前記ゲート信号線に重畳して形成され、前記絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記対向電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。
【解決手段】
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 （もっと読む）

フラットパネルディスプレイ相互接続システムに使用するための基板上に銅相互接続層を堆積させる方法であって、ａ）前記基板をフォトレジスト層で被膜する工程と、ｂ）前記フォトレジスト層をパターン化し、前記フォトレジスト層中にパターン化された少なくとも１つのトレンチを含む、パターン化されたフォトレジスト基板を得る工程と、ｃ）パターン化されたフォトレジスト基板上に第１の触媒層を提供する工程と、ｄ）前記第１の触媒層上に堆積された絶縁層の無電解めっき層を設ける工程と、ｅ）少なくとも１つのトレンチの中を除いて、連続して重ねられたフォトレジスト層、触媒層および絶縁層を除去し、第１の触媒層のパターンを、その上に堆積された絶縁層と共に得る工程を含む。
（もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０１〜０．５原子％を含有し、さらにＭｇ、ＡｌおよびＬｉのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】接着力を向上することができる表示パネル及び表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表示パネルは、画素部及び画素部に接続された駆動部を含む第１基板、画素部、及び駆動部に形成された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、第１基板と対向する第２基板、有機膜が形成された第１基板と第２基板との間であって画素部の周辺領域に配置され第１基板と第２基板を結合するシールライン及びシールラインと、有機膜間の少なくとも一部領域に配置される導電性パターンとを含み、導電性パターンが、シールラインと有機膜間の接着力を向上させ、導電性パターンを金属または金属酸化物で形成することによって、第１基板と第２基板間の分離を防止し、駆動部の侵食及び腐食を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を液滴吐出法にて形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電
気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、
及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、第１隔壁１２をパターン状に設ける。基板１０Ａに金属材
料を蒸着し、第１隔壁１２の上面に画素電極１３及び信号線１４を形成するとともに、第
１隔壁１２に囲まれた領域にゲート線１６を形成する。基板１０Ａ上に、ゲート絶縁膜形
成領域１８、及びゲート絶縁膜形成領域１８に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも
区画する第２隔壁１７を形成する。ゲート絶縁膜形成領域１８にゲート絶縁膜２６を形成
し、有機半導体層の形成材料を含む機能液を半導体層形成領域に吐出し、ゲート電極１６
ａ及びゲート絶縁膜２６の一部を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４間を電気的に接続す
る有機半導体層２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイパネル完成後の点灯検査で検出された短絡欠陥を修正する場合に、配線の切断が困難であった。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ基板は、走査線（１-1，１-2，１-3）、信号線（２-1，２-2）、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）が形成されるとともに、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）は、それぞれアルミニウムによって形成された主要配線部と、主要配線部の配線パターンの一部にモリブデンによって形成された修正用配線部（１ａ〜１ｇ，２ａ〜２ｇ，３ａ〜３ｇ，４ａ〜４ｇ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】遮光膜端面形状を改善し、その上面に成膜される膜の段差による段切れ等の欠陥
を防止する遮光膜の形成方法、及び、それを用いた電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】素子基板１０に第１遮光層２１、及び第２遮光層２２を成膜して、第２遮光
層２２上にレジストマスクを形成する。該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１への
エッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を
用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。続いて、同レ
ジストマスクを使用して第１遮光層２１を異方性エッチングする。その結果、第１遮光層
２１はレジストマスクの範囲を残して除去される。この方法により、第１遮光層２１と第
２遮光層２２の端面は、段差の小さい階段状に形成される。それにより、該段差部分の上
層の保護膜１５や半導体層１６の被覆性が向上し欠陥を防止できる。 （もっと読む）

【課題】異なる幅を連結した導電膜の極細パターンを少ないプロセス数で高精度に形成して高精細な液晶表示パネルを得る。
【解決手段】幅広の導電膜と幅狭の導電膜のように、薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１の下地膜ＵＷの表面の大部分を撥液性ＲＡとし、幅狭のゲート電極形成部ＧＴＡのみを親液性ＦＡとする。新液性ＦＡのゲート電極形成部ＧＴＡに導電性インクを滴下し、滴下したインク膜がゲート電極形成部ＧＴＡに均一に広がった後、撥液性ＲＡのゲート配線形成部ＧＬＡに幅広のゲート配線をＩＪ直描で形成する。ゲート電極形成部ＧＴＡとゲート配線形成部ＧＬＡのインク膜の膜厚は、それぞれの部分におけるインクの滴下量で制御し、焼成後側液晶表示パネルに得られる両者の膜厚を同等にする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、画素電極の端付近にできる等電位線の屈曲を抑えるこにより光漏れ及びディスクリネーションを低減することを課題とする。
【解決手段】複数の走査線と複数の信号線によって囲まれた領域に設けられた第１の画素電極と、複数の走査線と複数の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第２の画素電極と、第１及び第２の画素電極の上方に設けられた対向電極を有する液晶表示装置であって、第１の画素電極と第２の画素電極には異極性の信号が入力され、第１及び第２の画素電極は、第１の画素電極の最大の面積を占める第１の面と、第１の面よりも対向電極表面との間隔が狭くなるように複数の走査線に沿って設けられた第２の面と、第２の面よりも対向電極表面との間隔が狭くなるように第２の面よりも小さい面積で設けられた第３の面とを有する。 （もっと読む）