【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極や走査線（ゲート線）及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極と第２の配線134を形成する。第１及び第２の配線は、第１及び第２の絶縁膜を介して交差する。第２の配線134の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第１の配線及び第２の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 （もっと読む）

【課題】視野角の広い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、複数の画素ＰＸと、を備える。複数の画素ＰＸは、１つ又は複数の主画素電極ＰＡと、複数の主共通電極ＣＡと、を有している。各画素ＰＸは、第１方向Ｘに沿った主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間の隙間が互いに異なる複数の領域Ｒ３、Ｒ４を有している。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を単純化して第１の金属膜上に第２の金属層が積層された積層構造を有する領域および第１の金属膜のみで形成されている領域からなるゲート配線を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置の製造方法であって、第１の金属膜３ｂ上に第２の金属膜３ｃが積層された積層構造を有する領域および第１の金属膜３ｂのみで形成されている領域からなるゲート配線３を、多階調マスクを用いて、感光性樹脂膜１２を、積層構造となる領域では膜厚の厚い厚膜部１２ａになり、ゲート電極３ａの少なくとも半導体層５と重なっている領域では厚膜部１２ａよりも膜厚の薄い薄膜部１２ｂになるようにそれぞれ複数のゲート配線３のパターンにするとともに、隣接するゲート配線３のパターン間の領域では第２の金属膜３ｃが露出するようにパターニングする工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００においては、並列に電気的に接続された第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとによって保持容量７０が形成され、かつ、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは積層された構造になっている。また、素子基板１０の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量と、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量が形成されているとともに、検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから
選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた
一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満
の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に形成された配線で反射する光の迷光を減らすことを目的とする。
【解決手段】表示装置は、光の透過及び遮蔽を制御して画像を表示するための表示パネル１０と、表示パネル１０に重ねられて光を供給するためのバックライト１２と、を有する。表示パネル１０は、画像が表示される表示領域２６及び表示領域２６の外側の周辺領域２８を含む基板１６を有する。基板１６は、バックライト１２側を向く下面及びバックライト１２とは反対側を向く上面を有する。基板１６の上面には、周辺領域２８に配線３０が形成されている。配線３０の基板１６側を向く面の少なくとも一部は、基板１６の下面に対する法線から基板１６の外側の方向に斜めに傾いている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能であるとともに、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の内側に位置するとともに第１方向に沿って延出した第１信号配線、第１方向に交差する第２方向に沿って延出した第２信号配線、及び、第２方向に沿って延出した第１主電極を有する第１電極と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と対向する内面に形成されるとともにそのエッジが前記第２信号配線の直上に位置するカラーフィルタと、前記カラーフィルタの前記第１基板と対向する側に不透明な配線材料を用いて形成され前記第１電極を挟んだ両側で第２方向に沿って延出した第２主電極を有する第２電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品質の劣化を抑制することである。
【解決手段】絶縁基板の上面に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うように積層されたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１の上方に形成されるドレイン電極７およびソース電極８と、ゲート絶縁膜１１の上面に積層されて、ゲート電極１２が発生させる電界によりドレイン電極７及びソース電極８間の電流を制御する半導体層９と、半導体層９の上方のチャネル領域１３に対応した領域に形成された開口部１４を有する共通電極２と、ドレイン電極７およびソース電極８から離間して配置された帯電防止パターン１６とを含み、帯電防止パターン１６の一端および他端を共通電極２に接続する。 （もっと読む）

【課題】極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間では、第１保持容量８０ａが画素電極９ａに導通状態となるので、第１電極８１、第１誘電体層８６（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ₂）、第２誘電体層８７（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第２電極８２に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間では、第２保持容量８０ｂが画素電極９ａに導通状態となるので、第４電極８４、第４誘電体層８９（第１絶縁材料／シリコン酸化膜／ＳｉＯ₂）、第３誘電体層８８（第２絶縁材料／シリコン窒化膜／ＳｉＮ）、および第３電極８３に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【課題】２層構造の走査線を、絶縁膜を介して映像信号線が乗り越える際の、映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線が絶縁膜を介して走査線を乗り越える構成となっている。走査線１０はＡｌＣｕ合金を下層１１とし、ＭｏＣｒ合金を上層１２とする２層構造である。上層/下層の膜厚比を、０．４以上、１．０以下とすることによって、走査線１０の断面において、電池作用によって上層１２のエッチング速度が遅くなって、上層１２の庇部が形成されることを防止する。これによって、走査線１０に生じた庇部に起因して、映像信号線が走査線１０との交差部において断線することを防止する。 （もっと読む）

【課題】画素領域の平坦性が改善され、画素領域で液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜１３と、第１の絶縁膜１３の上に形成され、保持容量電極が配置された保持容量領域Ｓと、第１の絶縁膜１３と保持容量電極とを覆って形成された第２の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１４の上に配置された複数の画素電極１５とを備え、第１の絶縁膜１３に凹部９を形成し、凹部９の底面９ａに保持容量領域Ｓを形成する。第２の絶縁膜１４の前駆体膜１４ａでは、下層の保持容量１６の形状が反映した、保持容量領域Ｓで広範囲に盛り上がった凸形状が軽微になる。平坦化処理を施すことで、広範囲に盛り上がった凸形状は解消され、平坦な表面の第２の絶縁膜１４を得ることができる。従って、画素領域Ｅでは液晶分子が均一に配向し、表示ムラのない、良好な表示品質の電気光学装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い動作信頼性を有する表示素子を提供する。
【解決手段】この液晶表示素子は、透明基板と、その一方の面に形成された透明電極とを有する透明電極基板と、液晶層と、液晶層を挟んで透明電極と対向する領域に位置する複数の画素電極、およびそれ以外の領域に位置する第１の導電膜を含む第１の層と、第１の導電膜と重複する領域に位置する第２の導電膜を含む第２の層とを順に有する画素電極基板とを備える。ここで、第１および第２の導電膜の少なくとも一方が電気的に孤立している。 （もっと読む）

【課題】 横クロストークが抑制された高画質の横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲートバスライン５５とドレインバスライン５６で画定される画素領域Ｐの各々に、当該画素領域Ｐを画定するドレインバスライン５６に隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極５３を設ける。遮光電極５３は、孤立していると共に、画素電極７１のドレインバスライン５６に隣接して延在する櫛歯状部７１ａと絶縁膜を挟んで重なっており、動作時には電気的にフローティング状態となる。フローティング状態にある遮光電極５３の電位は、画素電極７１のそれに近い値になるので、ドレインバスライン５６と共通電極７２（共通バスライン５２）との結合容量が減少し、横クロストークの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、電流リークによる不良品を低減する。
【解決手段】表示パネルの製造方法は、基板の主表面上に複数の層を形成したものを用いて表示パネルを製造する方法であって、前記複数の層のうち最終製品に残存する各層を前記主表面に近いものから順に第１構造層、第２構造層、第３構造層、…、第ｎ構造層と呼ぶこととしたときに、１≦ｋ≦ｎ−１を満たす全てのｋに関して、第ｋ構造層を成膜する工程Ｓ（ｋ，１）と、前記第ｋ構造層を成膜する工程より後で第ｋ＋１構造層を成膜する工程より前に、前記第ｋ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｋ，３）とを、それぞれ含み、さらに、第ｎ構造層を成膜する工程Ｓ（ｎ，１）と、前記第ｎ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｎ，３）とを含む。 （もっと読む）