【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】プロセスウィンドウが広く、特性安定性が高い電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極と；電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と；前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と；前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と；を備える電界効果型トランジスタであって、前記酸化物半導体が、３価、４価、５価および６価の少なくとも１つのカチオンを導入することによりｎ型ドーピングされた結晶組成化合物であることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置における焼き付き等の表示不良を防止する。
【解決手段】液晶装置の製造方法は、素子基板（１０）と、該素子基板と対向配置される対向基板（２０）とを備える液晶装置（１００）の製造方法である。該製造方法は、対向基板上に、ＩＴＯを含んでなる対向電極（２１）を形成する対向電極形成工程と、素子基板上に、ＩＴＯを含んでなる画素電極（９ａ）を形成する画素電極形成工程とを備える。画素電極形成工程では、画素電極形成工程における酸素流量と対向電極形成工程における酸素流量との差分が、素子基板の開口率に応じて変更される。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を施した後も安定したトランジスタ特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、その製造方法及び酸化物薄膜トランジスタを用いたディスプレイを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の第１実施形態の酸化物薄膜トランジスタ１は、酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、ＰＶＰおよびフッ素系界面活性剤を含む構成とすることにより、良好かつ安定した特性を有するとともに、デバイス形成時に加熱処理を行った場合にも、特性の変化が殆どない酸化物薄膜トランジスタ１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】横方向電界で液晶分子を回転させる方式を用いた場合、液晶は電極に対して基板から離れた方向に配置される。つまり、基板側に生じる電界は液晶分子の回転に寄与しない。そのため、電界の利用率が低下する。また、電気抵抗が低い結晶型ＩＴＯを用いた場合、ドライエッチングでは残渣が残り、ウェットエッチングでは寸法精度が出せないという課題がある。
【解決手段】電極間に位置する誘電体をエッチングして逆テーパー状に窪ませることで、電界強度が強い電極間に液晶が入る領域を設けた。窪ませた部分の液晶分子も電界により回転するため電界の利用率を向上させることができる。また、逆テーパー状に誘電体が形成されているため、スパッター法等で結晶型ＩＴＯ膜を形成した場合、自己整合的にＩＴＯ膜が分離されるため、ＩＴＯをエッチングすることなく所望のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満の非整数とする。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を大きく変化させることなく、比較的単純な工程変化を通じてディスクリネイション現象を減少させて、画質を向上させることができるようにしたＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＦＦＳモード液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層を含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲートラインと前記データラインとの交差部には、スイッチング素子が配置されているＦＦＳモード液晶表示装置において、前記液晶層に電圧を印加して光透過量を調節するために、前記画素領域内には、絶縁層を間に置いて第１透明共通電極と離隔配置され、複数のスリットとバーとを有する第２透明共通電極を備え、平面的な配置を基準にして、前記第２透明共通電極の前記各スリットの中央部または前記バーの中央部には、スリットの長さ方向と実質的に平行な方向に所定の幅を有するバー形状のパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、導電性能の均一性が高く、かつ良好な塗膜強度を有する透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明な基材シートの少なくとも一方の面に導電性金属メッシュ層と導電性高分子層からなる透明導電性層を有する透明導電性フィルムにおいて、該導電性金属メッシュ層の金属が卑金属又は卑金属からなる合金であることを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板に転写方式でTFTを形成する方法において、プロセス温度を下げる必要がなく、現行のラインを使用できるとともに、コストを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持基板の上層に樹脂フィルム(a)を形成する工程と、樹脂フィルム(a)の上層に半導体素子を形成する工程と、半導体素子を形成した樹脂フィルム(a)から支持基板を剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、樹脂フィルム(a)は、膜厚が1μm以上30μm以下であり、波長400nm以上800nm以下の可視光の透過率が80％以上であり、3％重量減少温度が300℃以上であり、融点が280℃以上である、前記半導体装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素部のトランジスタの誤動作を防止しつつ、表示画像の縁付近においても高品位の画像を表示する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上における複数の画素が配列されてなる画像表示領域１０ａに、画素毎に設けられており、画素電極９ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０ａを含む画素部と、画像表示領域１０ａの周囲を占めるダミー画素領域１０ｄに、画素を模擬するダミー画素毎に設けられており、ＴＦＴ３０ａを模擬するダミーＴＦＴ３０ｄ及び該ダミーＴＦＴ３０ｄが有する半導体層１ａのうち少なくともチャネル領域１ａ'を遮光する二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂを含むダミー画素部とを備えており、二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂは夫々、ダミー画素部の開口領域９９ｄのうち少なくとも一部を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板上に、導電層４０２と、透明電極９ａと、前記導電層と透明電極との間に形成される層間絶縁膜４４と、前記導電層と前記透明電極とをコンタクト部において電気的に接続するために前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール８９と、少なくとも前記コンタクト部において、前記導電層と前記透明電極との間に設けられる酸化チタン膜１７と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタを転写して形成する表示装置の製造方法における犠牲層のエッチングの高速化と、エッチング停止層におけるエッチングの低速化。
【解決手段】 基板上に、犠牲層、エッチング停止層、絶縁膜層、Ｓｉ層を形成して薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを転写して表示装置を構成する製造方法において、前記犠牲層を、ＳｉＯ絶縁膜にリン、ボロン、ゲルマニウムのうち少なくともいずれか一種以上を、リン＋ボロン＋ゲルマニウムの重量百分率で３％以上含有して構成する。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】有機平坦化膜を形成するための露光処理時に、ＴＦＴアレイ基板を透過した光のステージでの反射光により、有機平坦化膜の膜厚に視認可能なムラが生じるのを防止することを目的とする。
【解決手段】半透過型表示装置の製造方法は、透明基板１上の透過表示領域２０に遮光膜１４を形成する工程と、遮光膜１４が形成された透明基板１上に感光性有機膜７を形成する工程と、感光性有機膜７を露光および現像して、透過表示領域２０の感光性有機膜７を貫通する貫通孔７ａを形成する工程と、貫通孔７ａの形成後に貫通孔７ａから露出する遮光膜１４を除去する工程と、感光性有機膜７の上方に反射膜９を形成し、反射表示領域を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】幅の異なるＬＤＤ領域を自己整合的に形成し、それらの幅を個々の回路に応じて精密に制御する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。なお、一つのＴＦＴにおいて、幅の異なる２つのＬＤＤ領域は、両方ともゲート電極と重なる構造である。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 電圧無印加時に光学的等方性を示し、電圧印加によって光学的異方性が発現する媒質を用いた表示装置において、応答速度を向上させるとともに、動画ボケを抑制した表示品位の高い画像を表示する。
【解決手段】 １フレーム期間Ｔｆ中に、画像表示期間Ｔｗと黒表示期間（リセット期間）Ｔｒとを設ける。画像表示期間Ｔｗには、画像表示用の電圧を印加する。また、黒表示期間Ｔｒには黒表示用（リセット用）の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 互いに交差して配置される信号配線の交差部における不具合を解消して優れた電気的特性及び信頼性を得られるようし、好ましくは画素開口率の向上、及び表示品質の向上をも実現し得る電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶装置（電気光学装置）は、互いに交差して延びる走査線（第１信号配線）３ａ及びデータ線（第２信号配線）６ａと、前記走査線３ａ及びデータ線６ａと電気的に接続されたＴＦＴ３０とを備えており、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に対応してコンタクトホール６１が形成され、当該コンタクトホール６１内に前記走査線３ａの一部が埋入されている。容量線（第３信号配線）３ｂとデータ線６ａとの交差部にもコンタクトホール６２が設けられており、当該コンタクトホール６２内に前記容量線３ｂの一部が埋入されている。 （もっと読む）