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Fターム[2H092MA05]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 製造方法 (16,988) | 製法、工程 (14,676) | 成膜方法 (5,204) | PVD (2,371) | スパッタ法 (1,712)

Fターム[2H092MA05]に分類される特許

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【課題】基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。
【解決手段】活性層の成膜工程での成膜室中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPodepo(%)とし、熱処理工程中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPoanneal(%)としたときに、熱処理工程時の酸素分圧Poanneal(%)が、−20/3Podepo+40/3≦Poanneal≦−800/43Podepo+5900/43の関係を満たすように成膜工程と熱処理工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を
同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電
極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気
的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成
された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを
介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成
された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的
に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 (もっと読む)


【課題】 光学センサを搭載したとしても額縁部分の大型化を防止することのできる画像表示装置を提供する。
【解決手段】 画像表示装置は、画像を表示する画像表示領域を有する表示パネルと、画像表示領域を覆うように設けられた透明絶縁性基板と、を備えている。透明な導電性部材からなる第一電極と、第一電極上に成膜され所定の波長の光を吸収することにより導電性が変化する光導電性膜と、第一電極と重なるように前記光導電性膜上に成膜された透明な導電性部材からなる第二電極と、を有する光学センサが、画像表示領域の内側に設けられた所定の領域に重なるように透明絶縁性基板上に配置されている。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を生産性高く作製する方法を提供する。また、該微結晶半導体膜を用いて、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】反応室内に第1の電極及び第2の電極が備えられたプラズマCVD装置を用いて、堆積性気体及び水素を第1の電極及び第2の電極の間に配置された基板を含む反応室内に供給した後、第1の電極に高周波電力を供給することにより反応室内にプラズマを発生させて、基板に微結晶半導体膜を形成する。なお、プラズマが発生している領域において、基板端部と重畳する領域のプラズマ密度を、基板端部と重畳する領域より内側の領域のプラズマ密度より高くし、基板端部より内側の領域に微結晶半導体膜を形成する。また、上記微結晶半導体膜の作製方法を用いて、半導体装置を作製する。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置の作製工程においてマスク枚数を追加することなく、反射電極の散
乱構造を作製する。
【解決手段】層間膜に感光性樹脂膜を用いる。フォトマスク100の第1の透光部101
を通して露光してパターニングしてコンタクトホール103〜106を得る。フォトマス
ク100の第2の透光部102を通して露光すると、感光性樹脂膜が解像不能となり、感
光性樹脂膜の表面に凹凸ができる。これにより一枚のフォトマスクでコンタクトホール形
成と層間膜表面に凹凸を有する散乱構造とができる。 (もっと読む)


【課題】表示装置に含まれるTFTのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の作製工程において、フォトリソグラフィ工程数を削減する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜およびチャネル保護膜となる絶縁膜を連続で形成し、多階調マスクであるフォトマスクによって露光し現像したレジストマスクを用いて、(1)レジストマスクのない領域において、チャネル保護膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜およびゲート電極となる導電膜を連続してエッチングし、(2)レジストマスクをアッシングなどによって後退させ、レジストマスクを残膜厚が小さい領域のみを除去することで、チャネル保護膜となる絶縁膜の一部を露出させ、(3)露出したチャネル保護膜となる絶縁膜の一部をエッチングし、一対の開口部を形成する。 (もっと読む)


【課題】 1枚の基板から得られる表示パネルの枚数が多くでき、放電破壊を抑制するショート配線としても機能する共通配線の構成のアレイ基板において、外部接続端子と共通配線とを接続する接続配線の、共通配線のコンタクトホールを有する接続部での腐食を抑制して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 絶縁性基板1上に、複数の表示パネル50を構成する複数の表示領域40が配置され、走査配線2、信号配線6、及び共通配線80に接続される外部接続端子60を有するアレイ基板110において、外部接続端子60と隣接する表示パネル50の共通配線80とを接続する接続配線70は、隣接する表示パネル50の共通配線80に設けられたコンタクトホール64を有する接続部65において接続され、接続部65は対向基板120を貼り合わせるシール材95が形成される領域下、又はシール材95より表示領域40側である内側に配置される。 (もっと読む)


【課題】オフ電流が小さく、好ましくはオン電流及び移動度も高く、工程が簡略化された半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層上に少なくとも半導体層を形成し、半導体層上に導電膜を形成し、導電膜上にエッチングマスクを形成し、基板を反応室内に搬入し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、反応室内に半導体エッチング用のガスを導入し、反応室内で半導体エッチング用のガスでエッチングを行い、基板を反応室から搬出し、その後エッチングマスクを除去する。すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの作製に用いるフォトリソグラフィ工程を従来よりも少なくし、且つ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の基板上に酸化物半導体層を有するトランジスタを含む回路と、当該第1の基板とシール材で固定された第2の基板とを有し、当該シール材、当該第1の基板、及び当該第2の基板で囲まれる閉空間は、減圧状態、或いは乾燥空気を充填する半導体装置に関する。当該シール材は、少なくとも前記トランジスタを囲み、閉じられたパターン形状を有する。また当該回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタを含む駆動回路である。 (もっと読む)


【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第1の基板及び第2の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第1の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
2の基板とは重ならない領域の第1の基板上に配置されるICチップと、シール材の外側
において、第2の基板とは重ならない領域の第1の基板上に配置される、画素部とICチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第1の基板上に設けられた画素部とICチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】精細かつ高スループットの導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第1の波面と第2の波面とを有する基体と、第1の波面上に形成された、2層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第1の波面および第2の波面が、0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≦1.8(但し、Am1:第1の波面の振動の平均幅、Am2:第2の波面の振動の平均幅、λm1:第1の波面の平均波長、λm2:第2の波面の平均波長)の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マス
ク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶に
かかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペ
ーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電
極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽
効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第1の酸化絶縁膜を形成し、該第1の酸化絶縁膜上に第1の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第1の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第1の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第1の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第2の酸化物半導体膜を形成する。次に、第2の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜を形成した後、第2の酸化絶縁膜を形成して、当該第2の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第3の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して対向した構造を有し、画素の一部に電気的欠陥が生じた場合にも良品化することが可能なTFTアレイ基板を提供する。
【解決手段】TFTアレイ基板101は、薄膜トランジスタ10と、ドレイン電極16に導電接続された画素電極20と、画素電極40と絶縁膜30を介して対向形成された共通電極40とを含む画素が複数マトリクス状に形成されたものである。TFTアレイ基板101は、1個の画素に着目したとき、画素電極20が複数の分割画素電極20Dに分割されており、かつ、ドレイン電極16と複数の分割画素電極20Dとをそれぞれ導電接続する複数の分岐導電部16Bを有し、平面視上、複数の分岐導電部16Bの少なくとも一部の形成領域に、共通電極40が形成されていない。 (もっと読む)


【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明はTFT−LCDアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はTFT−LCDアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。 (もっと読む)


【課題】Gaを含まないIn−Zn−Oの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Inと;Znと;Al、Si、Ta、Ti、La、Mg、およびNbよりなる群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 (もっと読む)


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