【課題】良好な特性を有するトランジスタおよびその製造方法、並びにそのトランジスタを備えた表示装置を提供する
【解決手段】制御電極と、制御電極に対向する能動層と、能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、制御電極と第１電極および第２電極との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも３０秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オフ電流が小さい有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】有機半導体層の内部のうち、ソース電極の真上又は真下に位置する部分を第１の部分とし、ドレイン電極の真上又は真下に位置する部分を第２の部分とし、第１の部分と第２の部分とは異なる部分を第３の部分とした場合に、ドーピング領域が、第３の部分、第１の部分と第３の部分、又は第２の部分と第３の部分に存在する有機薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】性能向上を容易に実現することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、そのゲート電極から分離絶縁層を介して離間された半導体層と、その半導体層に接続されると共に互いに離間されたソース電極およびドレイン電極とを備える。ソース電極とドレイン電極との間においてゲート電極とソース電極およびドレイン電極とが重ならない第１領域における分離絶縁層の厚さは、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも一方とが重なる第２領域における分離絶縁層の厚さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 有効表示領域周辺の配線や回路を保護し、かつ飛び込み電圧の影響を抑制することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素を含む液晶表示装置において、画素はソース及びドレイン電極１０５とゲート電極１０１とを備えたＴＦＴと、コモン電極１０８と画素電極１０６（１２０）とを備えた画素部とを含み、コモン電極１０８は、画素電極１０６（１２０）、ソース及びドレイン電極１０５上に形成された無機パッシベーション膜１０７上に設けられ、ゲート電極１０１は隣接する画素の画素電極１２０と重なって保持容量を構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数でアクティブマトリクス表示素子を形成する。
【解決手段】実施形態にかかるアクティブマトリックス型表示素子の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極層、第１の絶縁膜、酸化物半導体層、第２の絶縁膜、酸化物半導体層と電気的に接続したソース・ドレイン電極を順に形成する工程を含む。酸化物半導体層は、ソース・ドレイン電極が形成される領域から画素領域にわたって形成され、第２の絶縁膜を形成する前に、酸化物半導体の画素領域に相当する部分を低抵抗処理して第１の画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置における表示品位の低下を抑制し、また、消費電力を低減する。
【解決手段】互いに連続したフレーム期間である第１のフレーム期間及び第２のフレーム
期間において、互いに電圧の極性を反転させて液晶素子に電圧を印加することにより画素
の表示を行う液晶表示装置の駆動方法であって、第１のフレーム期間における画像及び第
２のフレーム期間における画像の比較により第１のフレーム期間及び第２のフレーム期間
における画像が静止画像であると判断され、且つ第１のフレーム期間における液晶素子に
印加される電圧の絶対値と、第２の期間における液晶素子に印加される電圧の絶対値と、
が異なる場合に、第１のフレーム期間又は第２のフレーム期間において、液晶素子に印加
される電圧を補正する補正処理を行う。 （もっと読む）

【課題】部材を新たに追加せず、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートに表示が観察可能な表示品位の優れたＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶表示装置は、ゲート配線４３の延在方向に対して０°＜α＜９０°の角度αで傾斜した配向方向を有する配向膜と、画素電極６と、画素電極６上に絶縁膜を介して対向配置される共通電極とに形成され、画素電極６との間で液晶２０にフリンジ電界を発生させるスリットとを備える。共通電極は、隣接する画素間にまたがり、ソース配線４４上を絶縁膜を介して覆うように形成される。画素内は、配向方向に延在する境界線により分割され、スリットは、各領域において境界線の延在する方向に対して角度±θ傾斜し配置された複数の第１スリットＡ、第２スリットＢを有し、第２の基板には配向方向に設定された吸収軸を有する偏光板を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、電流リークによる不良品を低減する。
【解決手段】表示パネルの製造方法は、基板の主表面上に複数の層を形成したものを用いて表示パネルを製造する方法であって、前記複数の層のうち最終製品に残存する各層を前記主表面に近いものから順に第１構造層、第２構造層、第３構造層、…、第ｎ構造層と呼ぶこととしたときに、１≦ｋ≦ｎ−１を満たす全てのｋに関して、第ｋ構造層を成膜する工程Ｓ（ｋ，１）と、前記第ｋ構造層を成膜する工程より後で第ｋ＋１構造層を成膜する工程より前に、前記第ｋ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｋ，３）とを、それぞれ含み、さらに、第ｎ構造層を成膜する工程Ｓ（ｎ，１）と、前記第ｎ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｎ，３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】広視野角の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを覆う平坦化絶縁膜18上に液晶駆動用の画素電極19、画素電極19の上にはラビング処理を施さない垂直配向膜31が形成され、共通電極23中には電極不在部である配向制御窓24、共通電極23上にはラビング処理を施さない垂直配向膜32が形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶はプレチルトを有することなく法線方向に初配向制御され、電圧印加により、画素電極19端及び配向制御窓24端における斜め電界に傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。画素間のブラックマトリクスが省略されてＴＦＴに対応する領域のみ遮光膜21BLが形成され、光リーク電流を防いでいる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。 （もっと読む）