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Fターム[2H092MA05]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 製造方法 (16,988) | 製法、工程 (14,676) | 成膜方法 (5,204) | PVD (2,371) | スパッタ法 (1,712)

Fターム[2H092MA05]に分類される特許

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【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
る。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて
、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及
び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層
する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガス
を用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 (もっと読む)


【課題】オフ電流を低減した優れた特性を有する薄膜トランジスタを作製する。
【解決手段】少なくとも微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域が積層する半導体膜を有する逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、半導体膜上に導電膜及びエッチング保護膜を積層形成し、エッチング保護膜上にマスクを形成し、エッチング保護膜、導電膜及び非晶質半導体領域の一部をエッチングする第1のエッチング処理の後、マスクを除去する。次に、上記エッチングされたエッチング保護膜をマスクとして、露出した非晶質半導体領域及び微結晶半導体領域の一部をドライエッチングする第2のエッチング処理により、微結晶半導体領域の一部を露出させ、バックチャネル領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも80cm/Vs以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 (もっと読む)


【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード13、第1のトランジスタ14、及び第2のトランジスタ15を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ18を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第1のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第1のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第2のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 (もっと読む)


【課題】In−Sn−Zn−O系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Clまたは、BClまたは、SiClなどの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりIn−Sn−Zn−O系半導体層を選択的にエッチングする。In−Sn−Zn−O系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、In−Sn−Zn−O系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 (もっと読む)


【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とFPCを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板101上の接続配線183は端子部182において異方性導電膜195によって、FPC191に電気的に接続される。接続配線183はアクティブマトリクス基板101上のTFTのソース/ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜と透明導電膜の積層膜でなる。異方性導電膜195との接続部分において、接続配線183の金属膜の側面は保護膜で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜、下地の絶縁膜109、保護膜に接して囲まれ外気に触れることがない。 (もっと読む)


【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第2の結晶性を有する酸化物半導
体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードであ
る。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれ
る電子供与体(ドナー)となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度
化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導
体よりもバンドギャップが大きい。 (もっと読む)


【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または/およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 (もっと読む)


【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また
、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する
第1のトランジスタと、電気信号を増幅する第2のトランジスタとを有し、受光素子はシ
リコン半導体を用いて形成され、第1のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されて
いる。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するn
層又はp層と、第1のトランジスタとが重なって形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧CVD法による窒化シリコン膜は、膜厚の10%程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板(1)上に反射電極(14)がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜(17)として、膜厚が500〜2000オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 (もっと読む)


【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上の複数の部分に配設された半導体膜2と、半導体膜2上に、該半導体膜2と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極4と、半導体膜2、ソース電極3およびドレイン電極4を覆うゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6を介して、ソース電極3およびドレイン電極4の間に跨るように配設された、ゲート電極7とを有した薄膜トランジスタ201と、半導体膜2上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極10と、下層に半導体膜2を有してソース電極から延在するソース配線31と、ゲート電極7から延在するゲート配線71と、ドレイン電極4に電気的に接続された画素電極9と、隣り合う画素の補助容量電極10どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線12とを備えている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 (もっと読む)


【課題】TFTの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が微結晶を含む、又は層厚方向に組成が変化していること、又は所定の材料を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクの枚数を増やすことなく、酸化物半導体の半導体層を用いたTFTの特性の低下を抑制することにある。
【解決手段】マトリクス状の複数の画素電極Pと、各画素電極Pに接続されたTFT5と、互いに平行に延びる複数のソース線15aとを備え、TFT5が、絶縁基板10上のゲート電極11aと、ゲート電極11aを覆うゲート絶縁膜12aと、ゲート絶縁膜12a上でゲート電極11aに重なる酸化物半導体層13aと、酸化物半導体層13aに接続されたソース電極17a及びドレイン電極17bとを備え、ソース電極17a及びドレイン電極17bと酸化物半導体層13aとの間には、酸化物半導体層13aを覆う保護絶縁膜14aが設けられ、各ソース線15aは、金属材料により形成され、ソース電極17a及びドレイン電極17bは、各画素電極Pと同一材料により形成されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線DLに接続された薄膜トランジスタTFTと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第1の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第1の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第2の電極を有し、前記第2の電極は、前記第1の電極と前記第1の基板間に形成され、且つ、前記第1の電極とゲート信号線GLに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第2の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


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