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Fターム[2H092MA06]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 製造方法 (16,988) | 製法、工程 (14,676) | 成膜方法 (5,204) | PVD (2,371) | イオンプレーティング法 (114)

Fターム[2H092MA06]に分類される特許

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【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び/または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、5×1018atoms/cm以下、好ましくは1×1018atoms/cm以下とする。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 (もっと読む)


【課題】アライメント精度良く半導体層を形成し、かつ、プロセス数を増やすことなくトランジスタの素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ50は、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、基板1とゲート電極2とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層4と、ゲート絶縁体層4上に形成された半導体層5と、半導体層5上に形成された保護層6と、ゲート絶縁体層4と半導体層5と保護層6とにわたって、これらの上に形成された、ソース電極7及びドレイン電極8と、を有し、半導体層5における、ソース電極7とドレイン電極8との間のチャネル部を流れる電流の方向の一端5aは、ソース電極7の一端7aと一致し、半導体層5における他端5bは、ドレイン電極8の一端8aと一致している。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板1と、基板1上に設けられたゲート電極2と、基板1上に設けられ、ゲート電極2を覆うゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層4と、半導体層4上に設けられた保護膜5と、ゲート絶縁膜3上に設けられたソース電極6、及びドレイン電極7と、を備え、保護膜5を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 (もっと読む)


【課題】400℃以下で作製可能であり、20cm/Vs以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極16と、ゲート絶縁膜15と、In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(a>0,b>0,c>0,a+b+c=1,d>0)で表され、a≦37/60、b≦91a/74−17/40、b≧3a/7−3/14、c≦3/5を満たす第1の領域A1及びIn(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250,p>0,q>0,r>0,s>0)で表され、ゲート電極に対して第1の領域よりも遠くに位置する第2の領域A2を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極13及びドレイン電極14と、を有する薄膜トランジスタ1。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH)及びアンモニア(NH)などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。 (もっと読む)


【課題】400℃以下で作製可能であり、30cm/Vs以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極16と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜15と、In(x)Zn(1−x)O(y)(0.4≦x≦0.5,y>0)で表される第1の領域A1及びIn(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(b/(a+b)>0.250,c>0,d>0)で表され、ゲート電極に対して第1の領域よりも遠くに位置する第2の領域A2を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層12と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極13及びドレイン電極14と、を有する薄膜トランジスタ1。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性(移動度、オフ電流、閾値電圧)及び信頼性(閾値電圧シフト、耐湿性)が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、In原子、Sn原子及びZn原子を含む酸化物であり、かつ、Zn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が25原子%以上75原子%以下であり、Sn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が50原子%未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】向上した発光効率を有する、低電力のディスプレイを提供する。
【解決手段】前部および後部反射面の両方を有する光キャビティを利用する、空間光変調のための改良された装置および方法が開示される。光を空間変調するために、前部反射面内に、光透過領域が形成される。意図される見る人に面した前面と、光源に面した後面とを有する基板と、基板の前面の上に配置された誘電体材料層と、複数のアパーチャを含む、誘電体材料層の上に配置された金属層と、金属層の上に配置された複数の光変調シャッタ組立体102とを備え、複数のアパーチャは、複数の光変調シャッタ組立体102による変調のために、金属層を光源からの光が通過するのを許可する、ディスプレイデバイス。 (もっと読む)


【課題】省電力で駆動が可能な光導電スイッチング素子、光導電スイッチング素子アレイ、表示装置および画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光導電スイッチング素子アレイ1は、第1の共通電極2と、第1の共通電極2に対向配置され、第1の共通電極2との間で電圧が印加される個別電極3と、第1の共通電極2と個別電極3との間に配置され、アドレス光L2を受光することにより導電性が発現する光導電層4とを備え、光導電層4は、アドレス光L2を受光した際に電荷を発生する機能を有する第1の電荷発生層41および第2の電荷発生層42と、第1の電荷発生層41および第2の電荷発生層42でそれぞれ発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送層43とを備え、第1の電荷発生層41と第2の電荷発生層42とは、電荷輸送層43の面方向の異なる位置に配置され、電荷輸送層43の厚さ方向にも異なる位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】垂直配向液晶の低電圧側の中間調表示及び応答性を向上させる。
【解決手段】実施形態に係る液晶表示装置1では、アレイ基板2と対向基板3とを液晶層4を挟んで対向させる構成を持つ。アレイ基板2は、第1の電極7、第2の電極6、配向維持層8を備える。第1の電極7は、櫛歯状であり、アクティブ素子と電気的に接続される。第2の電極6は、第1の電極7と絶縁層53を介して形成され、櫛歯状であり、櫛歯の並び方向において、第1の電極7からはみ出る部分を含む。配向維持層8は、液晶層4と接する面に形成され、櫛歯の並び方向において、第2の電極6が第1の電極7からはみ出す方向に液晶配向を行う。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ(背面基板)とカラーフィルタの画素とを位置合わせを、より容易にする。
【解決手段】実質的に透明な第1の基板1と、上記第1の基板1上に設けられた実質的に透明なゲート電極2と、上記ゲート電極と同一層に離間して設けられた実質的に透明なキャパシタ電極3と、上記ゲート電極および上記キャパシタ電極を覆うように設けられた実質的に透明なゲート絶縁膜4と、上記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層5と、上記半導体層と接続した実質的に透明なソース電極6と、上記半導体層に接続すると共に上記ソース電極と離間して形成された実質的に透明なドレイン電極7と、少なくとも上記ドレイン電極上を覆うように形成された着色層11と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。
【解決手段】活性層の成膜工程での成膜室中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPodepo(%)とし、熱処理工程中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPoanneal(%)としたときに、熱処理工程時の酸素分圧Poanneal(%)が、−20/3Podepo+40/3≦Poanneal≦−800/43Podepo+5900/43の関係を満たすように成膜工程と熱処理工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】精細かつ高スループットの導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第1の波面と第2の波面とを有する基体と、第1の波面上に形成された、2層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第1の波面および第2の波面が、0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≦1.8(但し、Am1:第1の波面の振動の平均幅、Am2:第2の波面の振動の平均幅、λm1:第1の波面の平均波長、λm2:第2の波面の平均波長)の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい、チャネル領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】窒素を含む一対の酸窒化物半導体領域、および該一対の酸窒化物半導体領域に挟まれる酸化物半導体領域を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極とを有する半導体装置。ここで、一対の酸窒化物半導体領域はトランジスタのソース領域およびドレイン領域となり、酸化物半導体領域はトランジスタのチャネル領域となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、SOIにおいて適したゲッタリング方法を適用して得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜上に表面シリコン層を有するSOI構造を有する半導体装置において、埋め込み酸化膜上に、表面シリコン層を活性層として有するトランジスタと、素子分離絶縁膜を有し、素子分離絶縁膜上に容量が形成されており、素子分離絶縁膜に希ガス元素又は金属元素が含まれていることを特徴とする半導体装置とする。 (もっと読む)


【課題】高精度にカラーフィルタと位置合わせすることができる反射型カラー画像表示装置の製造方法と、この製造方法を実施する際に用いて好適な画素電極基板とを提供する。
【解決手段】画素電極基板2が背面側に重ね合わされた画像表示体1の前面側にカラーフィルタ基板3を重ね合わせて構成される反射型カラー画像表示装置の製造方法であって、画素電極基板2として、通電により画像表示体1に位置合わせマークを表示させるための位置合わせマーク表示用電極23を基材21上に1又は複数設けた画素電極基板2を用い、画素電極基板2を重ね合わせた画素電極基板2の位置合わせマーク表示用電極23に通電し、画像表示体1に位置合わせマークを表示させた状態で、表示させた位置合わせマークとカラーフィルタ基板3に予め設けられた位置合わせマーク33とを用いて位置合わせしつつ、カラーフィルタ基板3を画像表示体1に重ね合わせて貼り合わせる。 (もっと読む)


【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機TFTは、ゲート電極2および有機半導体層6と、それらの間に位置すると共に有機半導体層6に隣接するゲート絶縁層3とを備えている。このゲート絶縁層3は、スチレンおよびその誘導体のうちの少なくとも一方である第1単量体(α−メチルスチレンなど)と、炭素間二重結合および架橋性反応基を有する第2単量体(メタクリル酸グリシジルなど)とが共重合および架橋された材料を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い信頼性を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極(9a)と、画素電極に対応して設けられたトランジスター(30)と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線(6a)と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第1電極(72)及び第2電極(71)が容量絶縁膜(75)を介して対向配置されることで形成される蓄積容量(70)と、第1電極と同一層に設けられた第1付加容量電極(401)と、第1電極及び第2電極とは異なる層に設けられた第2付加容量電極(402)とが、付加容量絶縁膜(42)を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量(400)とを備える。 (もっと読む)


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