【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】画像表示における視野角を改善し、液晶の配向乱れによる画質劣化を抑制する半透過型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁面上に絶縁膜を有する第１の領域と、絶縁面上に絶縁膜を有さない第２の領域とを有し、第１の領域において、絶縁膜上に第１の導電膜を有し、第２の領域において、絶縁面上に第２の導電膜を有し、第１の導電膜は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を透過する機能を有し、第１の導電膜上に、及び、第２の導電膜上に、液晶層を有し、第１の領域において、絶縁膜は、第１の凸部と第２の凸部とを有し、絶縁膜の端部から第１の導電膜の端部までの距離が、絶縁膜の端部から第２の導電膜の第１の端部までの距離よりも長い領域を有し、第１の凸部と第２の凸部との間の凹部の底の位置から第１の凸部の頂上の位置までの高さが、絶縁面から凹部の底の位置までの高さよりも低い領域を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な不揮発性メモリを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板９０１上に画素と不揮発性メモリとを備え、不揮発性メモリは、基板９０１上に形成される半導体活性層と、半導体活性層上に形成される絶縁膜９２３と、絶縁膜９２３上に形成されるフローティングゲイト電極９０７と、フローティングゲイト電極９０７を酸化して得られる酸化膜９０８，９１５，９２２と、酸化膜９０８，９１５，９２２に接して形成されるコントロールゲイト電極９２９と、を備え、画素と不揮発性メモリとは、基板９０１上に一体形成される。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 ボトムゲート構造のTFTを有する表示装置の生産性の低下を抑えるとともに、表示特性の劣化を抑える。
【解決手段】 複数の薄膜トランジスタが形成された基板を有する表示パネルを備え、前記薄膜トランジスタは、前記基板の上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜の順に積層され、かつ、前記半導体膜の上にはソース電極の一部または全部およびドレイン電極の一部または全部がコンタクト膜を介して積層されており、前記コンタクト膜は、前記半導体膜と前記ソース電極との間に介在する部分および前記半導体膜と前記ドレイン電極との間に介在する部分を除いた部分が酸化されている表示装置であって、それぞれの前記コンタクト膜は、前記半導体膜と接している面の反対側が凹凸を有する曲面であり、かつ、最小膜厚が3nm以下、最大膜厚が4nm以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】チャネルへの不純物添加を行うことなく閾値電圧を大きくすることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａにおける仕事関数が大きくなるので、ゲート電極２０と酸化物半導体膜４０との仕事関数差φＭＳが大きくなり、閾値電圧Ｖｔｈが大きくなる。 （もっと読む）

【課題】 移動度特性及び生産性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、コンタクト膜と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを具備し、前記半導体膜と前記ソース電極あるいはドレイン電極の間に前記コンタクト膜がある薄膜トランジスタを有する表示装置であって、前記コンタクト膜はＳｉを主成分とした膜であり、前記コンタクト膜中のIII族あるいはＶ族の不純物濃度のピークが前記コンタクト膜と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との界面から３ｎｍ以上離れている、あるいは不純物濃度が前記半導体膜側で高くなっている。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。また、バッファ層を設けてオフ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ、表示装置、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ＳｉＮ膜からなる第１ゲート絶縁膜３１及び第１ゲート絶縁膜３１上に形成されたＳｉＮ酸化層からなる第２ゲート絶縁膜３３を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも第２ゲート絶縁膜３３と接する界面部に微結晶半導体膜（第１半導体層４１）が形成された半導体層４と、半導体層４上に、オーミックコンタクト膜６を介して形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上にレジストマスクを形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、該第１の導電膜に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングをドライエッチングにより行ってゲート電極層を形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。ドライエッチングを行う前に、少なくともエッチングされた半導体膜の側壁を酸化処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリコン層を改質して得られたポリシリコン層には突起部分が発生する。ゲート絶縁層中に突起があると、この突起部分に電界が集中し、絶縁破壊が生じる。電解還元水は、酸化シリコン層をエッチングせず、ポリシリコン層をエッチングする性質がある。そこで酸化シリコン層を除去した後、電解還元水をスラリーとして用いてＣＭＰ法を用いる技術があるが、この場合、ポリシリコン層全面がＣＭＰ法により薄層化されてしまうという課題がある。
【解決手段】自然酸化シリコン層３０４を残した状態で電解還元水をスラリー１０７として用いてＣＭＰ工程を行う。機械的効果によりポリシリコン層３０３の突起上にある自然酸化シリコン層３０４は除去され、突起領域のみ電解還元水でエッチングが進みポリシリコン層３０３は平坦化される。そして、平坦部は自然酸化シリコン層３０４により保護され、薄層化は抑制される。 （もっと読む）

【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、層間絶縁膜の段差部における第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部（表示領域Ｈ）と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。額縁部は、薄膜トランジスタ等により構成される駆動回路を備える。また、薄膜トランジスタと接続されるソース電極及びドレイン電極を含む第１配線層１７と、第１配線層１７上に第２層間絶縁膜１８を介して形成される第２配線層１９とを有する。第２配線層１９は、Ａｌを含むＡｌ配線層１９ａと、Ａｌ配線層１９ａの表面を覆うトップバリアメタル層１９ｂとから構成され、Ａｌ配線層１９ａの底面を覆うボトムバリアメタル層が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有し、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、一対の第２の不純物領域、及び一対の第３の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、一対の第４の不純物領域、及び一対の第５の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば、高圧水蒸気処理によってＰチャネル型ＴＦＴ等のトランジスタ素子の動作特性が低下させない。
【解決手段】ＴＦＴ１３０と同層に形成されたＴＦＴ３０の高圧水蒸気処理が施される際に、重なる部分４２ａに水分が回り込まないようにＴＦＴ１３０上に保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成されている。このような保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成された境界領域Ｒａ及びＲｂの夫々は、絶縁膜４２上の画素領域に形成されたＴＦＴ３０に高圧水蒸気処理が施された際に、重なる部分４２ａ、より具体的には、絶縁膜４２のうちチャネル領域１３０ａ´の両端部分に重なる部分に水分が回り込まないように重なる部分４２ａを保護可能な幅を有する領域である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜による配向材の流動性阻害を抑制することにより配向膜の厚みムラに起因
する表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】本発明の液晶装置は、一対の基板及びこれらに挟持されてなる液晶を有し、
複数のサブ画素Ｇを備えるとともにサブ画素には透過表示領域Ｇｔ及び反射表示領域Ｇｒ
が設けられ、一方の基板１１０はサブ画素に対応して設けられてなるスイッチング素子１
１３及びこれに接続されてなる配線１１２並びにこのスイッチング素子及び配線上に配置
される絶縁膜１１５を有し、絶縁膜は透過表示領域及び隣接するサブ画素の境界に沿う領
域に凹部１１５ｘ，１１５ｚを有し、絶縁膜のうち凹部以外の部分の少なくとも一部が反
射表示領域と平面的に重なり配置され、隣接するサブ画素の境界に沿う領域に形成された
凹部１１５ｚは透過表示領域に形成された凹部１１５ｘより浅いことを特徴とする。 （もっと読む）